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亞成微推出新型高壓超結(jié)MOSFET助力電源系統(tǒng)節(jié)能降耗

電子工程師 ? 來源:亞成微電子 ? 作者:亞成微電子 ? 2021-05-27 17:06 ? 次閱讀
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功率半導(dǎo)體器件一直被廣泛應(yīng)用于通信、汽車、消費(fèi)電子和工業(yè)領(lǐng)域,特別是近年來節(jié)能減排、新能源的興起,使其市場規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大。隨著人們對環(huán)保的日益重視,行業(yè)開始向著更加節(jié)能的方向發(fā)展,電源系統(tǒng)高效率小型化逐漸成為新的市場需求。

為了滿足這種新需求,亞成微推出了新型高壓超結(jié)MOSFET-RMX65R系列,該系列采用業(yè)內(nèi)先進(jìn)的多層外延工藝,全面提升了器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性,比導(dǎo)通電阻(Ronsp)和柵極電荷(Qg)更低,開關(guān)速度更快,且電磁干擾(EMI)性能更好,可使產(chǎn)品獲得更小的芯片面積、更優(yōu)的參數(shù)性能、更高的競爭性價(jià)比,有效的助力電源系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)節(jié)能降耗,特別適用于快速充電器、LED電源、服務(wù)器電源、電動車充電樁等系統(tǒng)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:亞成微推出新型高壓超結(jié)MOSFET,助力電源系統(tǒng)節(jié)能降耗

文章出處:【微信號:reactor-micro,微信公眾號:亞成微電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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