5G網(wǎng)絡(luò)峰值速率在1Gbit/s左右，為4G網(wǎng)絡(luò)速度的10倍，1GB的文件，10秒左右就可以下來，可以說，5G網(wǎng)絡(luò)的高速是非常驚人的。與5G網(wǎng)絡(luò)適配，對(duì)于存儲(chǔ)帶寬的需求在100MB/s左右。

5G下載并不是帶寬要求最高在的應(yīng)用，相比超高分辨率相機(jī)、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)/虛擬現(xiàn)實(shí)、游戲和8K視頻等新興應(yīng)用，以8K視頻為例，30幀/s 拍攝對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)帶寬的需求達(dá)到1,000MB/s左右，是5G網(wǎng)絡(luò)的10倍。因此，對(duì)于一款智能手機(jī)內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)品而言，1,000MB/s將是一個(gè)衡量的門檻，只有達(dá)到這樣的一個(gè)水準(zhǔn)，才能夠被稱為未來就緒的存儲(chǔ)產(chǎn)品。

按照判斷：1,000MB/s應(yīng)該能夠滿足2024年之前，智能手機(jī)應(yīng)用對(duì)帶寬存儲(chǔ)新能的需求。

西部數(shù)據(jù)公司日前發(fā)布了最新的第二代UFS 3.1存儲(chǔ)解決方案——西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件就是這樣一款產(chǎn)品。

從性能指標(biāo)上看，西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件的順序讀寫能力為2,000MB/s；順序?qū)懭敕逯祹挒?,550MB/s，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于1,000MB/s的門檻。

那么，西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件在技術(shù)上是怎么做到的呢？

西部數(shù)據(jù)公司中國(guó)區(qū)智能終端產(chǎn)品事業(yè)部高級(jí)銷售總監(jiān)文芳透露，主要依賴于閃存顆粒、閃存控制器和固件技術(shù)的進(jìn)步。

西部數(shù)據(jù)公司中國(guó)區(qū)智能終端產(chǎn)品事業(yè)部高級(jí)銷售總監(jiān)文芳女士

以及西部數(shù)據(jù)公司產(chǎn)品市場(chǎng)部高級(jí)產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理宋學(xué)紅先生

以西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件所使用的第六代162層3D閃存顆粒為例，它是西部數(shù)據(jù)與鎧俠10年聯(lián)合研發(fā)閃存顆粒的第15代產(chǎn)品，它沒有按照傳統(tǒng)八層交錯(cuò)式存儲(chǔ)孔陣列設(shè)計(jì)，而是通過第六代創(chuàng)新架構(gòu)將橫向單元陣列密度提高了約10%，結(jié)合162層堆疊式垂直設(shè)計(jì)，使每個(gè)晶圓的制造位增加了70%；通過陣列CMOS電路布局和四路同時(shí)操作，性能可提高近2.4倍，讀取延遲減少約10%，I/O性能也提高了約66%。

有了第六代162層3D閃存顆粒的基礎(chǔ)，配合西部數(shù)據(jù)獨(dú)立研發(fā)的控制器技術(shù)和固件設(shè)計(jì)，在滿足JEDEC UFS 3.1規(guī)范要求的基礎(chǔ)上，借助西部數(shù)據(jù)第七代Smart SLC Write Booster 技術(shù)，西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件進(jìn)一步融合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，實(shí)現(xiàn)了前所未有的競(jìng)爭(zhēng)力。

文芳表示：西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件是iNAND系列產(chǎn)品的新成員，十多年來，該系列產(chǎn)品一直深受全球主要智能手機(jī)制造商的信任。西部數(shù)據(jù)持續(xù)深耕移動(dòng)生態(tài)系統(tǒng)領(lǐng)域，與領(lǐng)先的SoC系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員合作，在智能手機(jī)的參考設(shè)計(jì)中驗(yàn)證其UFS 3.1解決方案，從而為制造商提供經(jīng)過測(cè)試的解決方案。西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551 UFS 3.1嵌入式閃存器件樣品現(xiàn)已開始供貨。容量版本有128GB、256GB和512GB三種類型。

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