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東芝推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦TLP5705H和TLP5702H

東芝半導體 ? 來源:東芝半導體 ? 作者:東芝半導體 ? 2021-12-10 18:19 ? 次閱讀
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東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”,可在小型IGBTMOSFET中用作絕緣柵極驅(qū)動IC。這兩款器件于今日開始支持批量出貨。

TLP5705H是東芝首款采用厚度僅有2.3毫米(最大值)的薄性封裝(SO6L)可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產(chǎn)品。傳統(tǒng)采用緩沖電路進行電流放大的中小型逆變器與伺服放大器等設備,現(xiàn)在可直接通過該光耦驅(qū)動其IGBT/MOSFET而無需任何緩沖器。這將有助于減少部件數(shù)量并實現(xiàn)設計小型化。

TLP5702H的峰值輸出電流額定值為±2.5A。SO6L封裝可兼容東芝傳統(tǒng)的SDIP6封裝的焊盤[1],便于替代東芝現(xiàn)有產(chǎn)品[2]。SO6L比SDIP6更纖薄,能夠為電路板組件布局提供更高的靈活性,并支持電路板背面安裝,或用于器件高度受限的新型電路設計

這兩款光耦的最高工作溫度額定值均達到125℃(Ta=-40℃至125℃),使其更容易設計和保持溫度裕度。

此外,東芝提供的同系列器件還包括TLP5702H(LF4)與TLP5705H(LF4),采用SO6L(LF4)封裝的引線成型選項。

應用

工業(yè)設備

工業(yè)逆變器、交流伺服驅(qū)動器、光伏逆變器、UPS等。

特性

高峰值輸出電流額定值(@Ta=-40℃至125℃)

IOP=±2.5A(TLP5702H)

IOP=±5.0A(TLP5705H)

薄型SO6L封裝

高工作溫度額定值:Topr(最大值)=125℃

主要規(guī)格

(℃除非另有說明,@Ta=-40℃至125)

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編輯:jq

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原文標題:東芝推出用于IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦

文章出處:【微信號:toshiba_semicon,微信公眾號:東芝半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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