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亞成微氮化鎵功率集成方案滿足小型化大功率快充電源設(shè)計(jì)要求

亞成微電子 ? 來源:亞成微電子 ? 作者:亞成微電子 ? 2021-12-16 09:44 ? 次閱讀
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2021(秋季)USB PD & Type-C 亞洲展將于12月在深圳舉辦。屆時(shí),亞成微產(chǎn)品經(jīng)理周聰先生將為大家分享多款PD快充 GaN和超結(jié)MOS 的功率集成方案,同時(shí)歡迎各界朋友蒞臨亞成微展位 D01 參觀交流,亞成微誠(chéng)邀您共享更多精彩。

亞成微氮化鎵(GaN)功率集成方案,采用業(yè)界先進(jìn)的3D封裝技術(shù),芯片內(nèi)部集成ZVS/QR反激式開關(guān)電源控制器、650V GaN FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器以及驅(qū)動(dòng)保護(hù)等,支持最大120W快充,具有小體積、高效率、高性能、低功耗等特點(diǎn),完全滿足小型化大功率快充電源設(shè)計(jì)要求,可有效幫助快充電源廠商實(shí)現(xiàn)更小體積、更大功率快充產(chǎn)品的量產(chǎn)并節(jié)省物料成本。

原文標(biāo)題:亞成微電子邀您相約 2021(秋季)USB PD&Type-C 亞洲展

文章出處:【微信公眾號(hào):亞成微電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

審核編輯:彭菁
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原文標(biāo)題:亞成微電子邀您相約 2021(秋季)USB PD&Type-C 亞洲展

文章出處:【微信號(hào):reactor-micro,微信公眾號(hào):亞成微電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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