揚杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET產品,采用先進的SGT (Shield Gate Trench MOSFET) 制程工藝,針對電機驅動、BMS等應用設計,優(yōu)化BVdss、Rdson、Qg等參數(shù)性能同時,提升MOSFET抗沖擊電流能力。
N80V-N85V系列MOSFET產品具有TO-220、TO-263、TO-252、PDFN5060等多種封裝形式可以選擇。廣泛應用于電池管理系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、逆變電源系統(tǒng)、電機驅動系統(tǒng)、電源管理系統(tǒng)等,是其核心的功率控制部件。
揚杰科技目前已推出N40V、N60V、N80V-N85V、N100V、N120V等多個SGT工藝系列產品,解決客戶的多種應用需求。
產品特點
1.采用SGT工藝,極低的Rdson和優(yōu)異的開關特性,帶來更低的FOM,減小系統(tǒng)損耗。
2. 和傳統(tǒng)Trench工藝比Ciss/Qg參數(shù)都有大幅優(yōu)化,設計MOSFET驅動時有更多選擇。
3.針對系統(tǒng)應用中的各種異常工作狀態(tài),優(yōu)化MOS產品EAS特性,提高系統(tǒng)可靠性。
電性參數(shù)

應用領域
? PD電源
? 逆變器電源
? 鋰電池BMS
? 電機驅動
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