實(shí)現(xiàn)7nm產(chǎn)能，國內(nèi)90%芯片需求將無限供應(yīng)！

在芯片成型的整個過程中，最關(guān)鍵、最難的在于制程工藝上，雖然全球范圍內(nèi)也有很多芯片制造廠商，但能夠?qū)崿F(xiàn)7nm以下工藝的，卻只有臺積電以及三星。

在摩爾定律極限之下，雖然兩家公司都將實(shí)現(xiàn)3nm制程工藝，但卻也伴隨著發(fā)熱嚴(yán)重、功耗大等等問題，導(dǎo)致在性能的提升上也極其地有限。

雖然臺積電此前表態(tài)，將會在2025年實(shí)現(xiàn)2nm的工藝，但其中存在著諸多的不確定性，傳統(tǒng)的硅基芯片時代，也即將走向終點(diǎn)，需要新技術(shù)和新工藝的誕生，才能夠讓芯片產(chǎn)業(yè)持續(xù)地發(fā)展下去。

目前臺積電也調(diào)整了技術(shù)方向，后續(xù)將會把重心放在先進(jìn)封裝工藝上，不僅能夠擺脫對***的依賴，還能夠有效地縮減成本，而基于封裝工藝的“雙芯疊加”技術(shù)，目前已經(jīng)得到了市場的認(rèn)證，這也是后續(xù)華為的方向。

國產(chǎn)工藝水平

由于國內(nèi)工業(yè)制造水平較為薄弱，導(dǎo)致了華為海思設(shè)計(jì)的尖端芯片，難以完成本土自主化制造，華為所面臨的芯片供應(yīng)問題，同樣也是整個中國芯片領(lǐng)域的縮影。

現(xiàn)階段中國能夠?qū)崿F(xiàn)的量產(chǎn)工藝為14nm，雖然在良品率上等同于臺積電，但依然要高度依賴于ASML的DUV***，而中芯國際利用現(xiàn)有的資源，利用特殊的工藝也算是實(shí)現(xiàn)了不亞于7nm性能的芯片！

目前中芯國際初代的N+1工藝芯片，已經(jīng)成功實(shí)現(xiàn)了小規(guī)模的量產(chǎn)，目前已經(jīng)在推進(jìn)N+2工藝的研發(fā)了，在成功實(shí)現(xiàn)之后，在邏輯面積上將無限接近于臺積電的7nm芯片，目前已經(jīng)進(jìn)入風(fēng)險試產(chǎn)的狀態(tài)了。

而一旦能夠?qū)崿F(xiàn)7nm芯片的國產(chǎn)化，就意味著國內(nèi)超過90%的需求已經(jīng)能夠滿足了，芯片的供應(yīng)也不會再中斷。

而7nm及以上的制程芯片，也占據(jù)了全球市場90%以上的份額，5nm及以下的芯片，就目前而言，市場需求量并不是很大，基本只用于手機(jī)、電腦等等智能電子產(chǎn)品上，傳統(tǒng)工業(yè)依然依賴于成熟的制程工藝。

成熟工藝的重要性

華為除了手機(jī)業(yè)務(wù)之外，對芯片的需求基本維持在7nm以上，華為本身就是一家通訊企業(yè)，只要能夠保證5G業(yè)務(wù)的正常開展，就能夠很好地在國際市場上保持競爭力，也能夠擁有足夠多的營收，維持研發(fā)經(jīng)費(fèi)的投入。

在鴻蒙系統(tǒng)誕生之后，萬物互聯(lián)時代常被提及，而在這個范圍內(nèi)，對于芯片的需求，基本維持在14nm左右，包括目前處于風(fēng)口的智能汽車領(lǐng)域，芯片需求也基本維持在這個水平。

因此只要國內(nèi)能夠完成，對于7nm芯片的完全自主化，那么就不用擔(dān)心受到相關(guān)限制的困擾了，國內(nèi)超過九層的芯片都能夠?qū)崿F(xiàn)無限制生產(chǎn)。

而這樣的數(shù)據(jù)也不是毫無根據(jù)的，據(jù)統(tǒng)計(jì)2021年芯片消耗量達(dá)到了1.15萬億元，其中有80%是來自14nm及以上芯片，而7nm芯片則占據(jù)了10%的市場份額，也就意味著超過90%的市場需求，來源于7nm及以下芯片。

而正是因?yàn)槲覀兪褂玫氖謾C(jī)，才造成了5nm芯片需求量大的假象，實(shí)則除了數(shù)碼產(chǎn)品之外，基本找不到使用這么高端芯片的領(lǐng)域了。

芯片領(lǐng)域正在面臨轉(zhuǎn)型

臺積電并沒有預(yù)定ASML最新的***，其中就釋放出了一定的信號，在后續(xù)幾年芯片領(lǐng)域?qū)l(fā)生很大的變革。

臺積電此前就聯(lián)合英特爾成立了“小芯片聯(lián)盟”，目前包括三星、高通、蘋果等等企業(yè)，都已經(jīng)加入了這個聯(lián)盟內(nèi)，而成立這個聯(lián)盟的目的，就是利用先進(jìn)的封裝技術(shù)，在降低芯片成本的同時，還能夠有效地提升芯片性能。

目前“芯片堆疊”方式已經(jīng)取得了初步成效，在蘋果的M1 Ultra芯片上實(shí)驗(yàn)成功，將兩顆芯片堆疊在一起，成功實(shí)現(xiàn)了性能的翻倍，如果將此項(xiàng)工藝用于7nm芯片上，則可以有效提升芯片40%的性能。

而目前國內(nèi)即將完成對于14nm芯片的完全自主化，屆時再利用上“雙芯疊加”工藝，就可以利用兩顆14nm芯片，實(shí)現(xiàn)不亞于7nm芯片性能的芯片，基本上能夠滿足國內(nèi)的需求了，屆時就能夠真正實(shí)現(xiàn)九層芯片的無限制生產(chǎn)了。