臺(tái)積電：2nm工藝將使用GAAFET技術(shù)，預(yù)計(jì)2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
今日，臺(tái)積電在其舉辦的技術(shù)論壇會(huì)中展示了2nm（N2）工藝以及其它的一些先進(jìn)制程。
在大會(huì)上，臺(tái)積電展示了N3工藝最新的FINFLEX技術(shù)，該技術(shù)擴(kuò)展了采用3nm制程產(chǎn)品的性能、功率等，能夠讓芯片設(shè)計(jì)者在芯片的每個(gè)關(guān)鍵功能塊上做出最佳的選擇。
據(jù)臺(tái)積電放出的技術(shù)發(fā)展圖來看，臺(tái)積電的N3工藝將會(huì)在今年下半年開始量產(chǎn)，并且這一代N3工藝將會(huì)持續(xù)發(fā)展至2025年，其中會(huì)擴(kuò)產(chǎn)出N3E、N3P和N3X工藝，今年除了N3工藝外，N4P和N6RF這兩種全新工藝也會(huì)在下半年進(jìn)行量產(chǎn)。
而N2工藝則是定在了2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，臺(tái)積電將會(huì)在N2工藝上首次使用GAAFET技術(shù)，以取代沿用至今的FinFET技術(shù)，而據(jù)臺(tái)積電表示，N2工藝相比N3工藝的運(yùn)行速度將會(huì)快10%~15%，相同速度的情況下，N2工藝的功耗相比N3工藝將會(huì)降低25%~30%。
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