IBM已開發(fā)出全球首個2nm芯片
IBM宣布已開發(fā)出全球首個2nm工藝的半導體芯片，采用三層GAA環(huán)繞柵極晶體管技術，首次使用底介電隔離通道，其潛在性能和電池續(xù)航能力都將得到巨大的提升。
據(jù)了解，IBM 2nm芯片的晶體管密度為333.33，幾乎是臺積電5nm的兩倍，能容納500億顆晶體管，最小元件比NDA單鏈還要小。該芯片將比當前最先進的7nm芯片將實現(xiàn)45%性能提升，功耗或可降低75%。
目前，IBM 2nm芯片只是制造出來了而已，距離真正實現(xiàn)量產(chǎn)2nm工藝的芯片仍可能需要數(shù)年時間。
綜合整理自快科技、Lscssh科技官
審核編輯：湯梓紅
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