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實驗室內(nèi)如何去除MOSFET封裝

如何心事都虛化 ? 來源:如何心事都虛化 ? 作者:如何心事都虛化 ? 2022-07-12 16:17 ? 次閱讀
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在mos的日常使用中若出現(xiàn)不明原因損壞時,會出現(xiàn)需要開蓋直接觀察的情況。最完美的流程是將MOS寄回廠,封裝廠有專用的溶液進行腐蝕,然后他們的工程師會出具失效報告(耗時長,且等來的答案不一定令人滿意)。

但很多情況下,我們甚至沒有途徑和時間將其寄回廠。例如學(xué)生黨做畢業(yè)設(shè)計,根本等不了這么久、或者因為就買了幾十個根本不睬學(xué)生。

所以,下面介紹一種簡易的可以在學(xué)校實驗室就輕易完成的化學(xué)開蓋手法。

第一步,物理開蓋。將MOSFET咔嚓成如圖一右邊這個樣子。(不清楚如何操作可以看我上一篇文章)物理開蓋因為手法問題,會殘留一些環(huán)氧樹脂在晶片上。如圖一右邊mos,晶片上有一個小黑點就是環(huán)氧樹脂。小黑點下面有一個鋁層。我們把鋁層去掉了,環(huán)氧樹脂也就沒了。

poYBAGLNLT-AWoisABAlwvDPkF4366.png

圖一

第二步,準(zhǔn)備一個燒杯,杯內(nèi)50ML的水+7ML的氫氧化鈉加熱至100℃,將圖一右側(cè)MOS置入溶液中。其原理為:2Al+2NaOH+6H2O=2Na [Al(OH)4]+3H2↑

其現(xiàn)象為:鋁層開始溶解,伴隨有氣泡產(chǎn)生,如圖二。

pYYBAGLNLUWAZf6-ACvU06Bx-TU247.png

圖二

第三步,等溶液中看不到氣泡后,撈出來,注意不要碰到晶片,隨著我們的抽絲剝繭,沒啥東西可以保護硅晶片了,所以很容易劃傷。將MOS自然吹干(去水漬)。

第四步,將處理好的MOS拿到顯微鏡下觀察,分析失效原因。

附錄:

圖3為物理開蓋顯微鏡下呈現(xiàn)的樣子。

圖4為去鋁層后顯微鏡下呈現(xiàn)的樣子。

注:兩圖為同一款型號的MOS,但不是同一顆。

可以發(fā)現(xiàn)沒有了環(huán)氧樹脂的遮擋,圖4看到的燒點比圖三清晰很多。

poYBAGLNLYKANOmkAA3ccAcYptM624.png

圖三

poYBAGLNLZqAAkIxAAlozdWTTcw522.png

圖四

審核編輯 黃昊宇

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