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Device Studio之Nanoskim應(yīng)用實例介紹

鴻之微 ? 來源:鴻之微 ? 作者:鴻之微 ? 2022-07-27 15:35 ? 次閱讀
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Device Studio(簡稱:DS)作為鴻之微的材料設(shè)計與仿真軟件,能夠進(jìn)行電子器件的結(jié)構(gòu)搭建與仿真;能夠進(jìn)行晶體結(jié)構(gòu)和納米器件的建模;能夠生成科研計算軟件 Nanodcal、Nanoskim、MOMAP、RESCU、DS-PAW、BDF、STEMS、TOPS、PODS、VASP、LAMMPS、QUANTUM ESPRESSO、Gaussian的輸入文件并進(jìn)行存儲和管理;可以根據(jù)用戶需求,將輸入文件傳遞給遠(yuǎn)程或本地的計算機(jī)進(jìn)行計算,并控制計算流程;可以將計算結(jié)果進(jìn)行可視化顯示和分析。

本期將介紹Device Studio應(yīng)用實例之Nanoskim應(yīng)用實例的內(nèi)容。

8.5.Nanoskim實例

Nanoskim即Nanostructure Slater-Koster Integrals Manifesting package,是一款基于Slater-Koster緊束縛勢場的量子輸運(yùn)仿真軟件,可以從原子層級來構(gòu)建納米器件。在非平衡條件下,通過自洽求解非平衡格林函數(shù)(Non-equilibrium Green’s function, 簡稱:NEGF)和,得到納米器件的電子密度和靜電勢,從而可以充分考慮量子力學(xué)效應(yīng)(如源漏隧穿效應(yīng)、量子受限效應(yīng)),以及具體的原子細(xì)節(jié)(如截面形狀、雜質(zhì)位置)等。

Nanoskim軟件官網(wǎng):詳見 http://hzwtech.com/software-prosubsub/157.html

環(huán)柵型的硅納米線晶體管結(jié)構(gòu)的電流電壓特性為例詳細(xì)描述 Nanoskim 軟件在Device Studio中的應(yīng)用。

8.5.1.Nanoskim計算流程

Nanoskim在Device Studio中的計算流程如圖8.5-1所示。

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圖8.5-1: Nanoskim計算流程

8.5.2.Nanoskim創(chuàng)建項目

雙擊Device Studio圖標(biāo)快捷方式,登錄并啟動Device Studio,在創(chuàng)建或打開項目界面中(圖5.1-1: 啟動軟件后選擇創(chuàng)建或打開項目的圖形界面),根據(jù)界面提示選擇創(chuàng)建一個新的項目(Create a new Project)或打開一個已經(jīng)存在的項目(Open an existing Project)的按鈕,選中之后點(diǎn)擊界面中的OK按鈕即可。若選擇創(chuàng)建一個新的項目,用戶可根據(jù)需要給該項目命名,如本項目命名為Nanoskim,或采用軟件默認(rèn)項目名。

8.5.3.Nanoskim導(dǎo)入結(jié)構(gòu)

在Device Studio中導(dǎo)入純硅器件結(jié)構(gòu)(Device_Si.hzw)后的圖形界面如圖8.5-2。在Device Studio中導(dǎo)入純硅器件結(jié)構(gòu)的具體操作這里不做詳細(xì)說明,用戶可參照導(dǎo)入結(jié)構(gòu)節(jié)內(nèi)容。

bff71c44-0cc9-11ed-ba43-dac502259ad0.png

圖8.5-2: 導(dǎo)入純硅器件結(jié)構(gòu)(Device_Si.hzw)后的Device Studio圖形界面

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:產(chǎn)品教程|Device Studio應(yīng)用實例07(Nanoskim )

文章出處:【微信號:hzwtech,微信公眾號:鴻之微】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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