為加快光芯片的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，近年來(lái)我國(guó)發(fā)布了一系列政策扶持光芯片行業(yè)發(fā)展。在此背景下，陜西源杰半導(dǎo)體科技股份有限公司（公司簡(jiǎn)稱：源杰科技）等業(yè)內(nèi)企業(yè)迎來(lái)廣闊的發(fā)展空間。

目前，2.5G、10G激光器芯片市場(chǎng)國(guó)產(chǎn)化程度較高，但不同波段產(chǎn)品應(yīng)用場(chǎng)景不同，工藝難度差異大，源杰科技憑借長(zhǎng)期技術(shù)積累實(shí)現(xiàn)激光器光源發(fā)散角更小、抗反射光能力更強(qiáng)等差異化特性，為光模塊廠商提供全波段、多品類產(chǎn)品，同時(shí)提供更低成本的集成方案，實(shí)現(xiàn)差異化競(jìng)爭(zhēng)。

25G及更高速率激光器芯片市場(chǎng)國(guó)產(chǎn)化率低，源杰科技憑借核心技術(shù)及IDM模式，率先攻克技術(shù)難關(guān)、打破國(guó)外壟斷，并實(shí)現(xiàn)25G激光器芯片系列產(chǎn)品的大批量供貨。

縱觀源杰科技的發(fā)展歷程，不難發(fā)現(xiàn)其發(fā)展壯大的基本邏輯在于對(duì)技術(shù)研發(fā)的持續(xù)投入。2019年－2021年，源杰科技研發(fā)費(fèi)用分別為1,161.92萬(wàn)元、1,570.47萬(wàn)元及1,849.39萬(wàn)元，持續(xù)的研發(fā)投入使得公司積累了相當(dāng)豐富的核心技術(shù)并建立起全流程的業(yè)務(wù)體系。

目前，源杰科技已建立了包含芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、芯片加工和測(cè)試的IDM全流程業(yè)務(wù)體系，擁有多條覆蓋MOCVD外延生長(zhǎng)、光柵工藝、光波導(dǎo)制作、金屬化工藝、端面鍍膜、自動(dòng)化芯片測(cè)試、芯片高頻測(cè)試、可靠性測(cè)試驗(yàn)證等全流程自主可控的生產(chǎn)線。

在此基礎(chǔ)上，源杰科技形成了“掩埋型激光器芯片制造平臺(tái)”、“脊波導(dǎo)型激光器芯片制造平臺(tái)”兩大平臺(tái)，積累了“高速調(diào)制激光器芯片技術(shù)”、“異質(zhì)化合物半導(dǎo)體材料對(duì)接生長(zhǎng)技術(shù)”、“小發(fā)散角技術(shù)”等八大技術(shù)。

兩大平臺(tái)積累了大量光芯片工藝制程技術(shù)和生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，是源杰科技已有產(chǎn)品生產(chǎn)的保障、未來(lái)產(chǎn)品升級(jí)及品類拓展的基礎(chǔ)。同時(shí)，源杰科技突破技術(shù)壁壘，積累八大技術(shù)，實(shí)現(xiàn)激光器芯片的性能優(yōu)化及成本降低。其中，優(yōu)化產(chǎn)品性能方面，可實(shí)現(xiàn)激光器芯片的高速調(diào)制、高可靠性、高信噪比、高電光轉(zhuǎn)換、高耦合效率、抗反射等；降低產(chǎn)品成本方面，可提高激光器芯片的良率，并可簡(jiǎn)化激光器芯片封裝過(guò)程中對(duì)其他器件的需求，降低產(chǎn)品單位生產(chǎn)成本、下游封裝環(huán)節(jié)的復(fù)雜度及對(duì)進(jìn)口組件的依賴，有助于解決大規(guī)模光網(wǎng)絡(luò)部署的供應(yīng)鏈安全。

可以看到，源杰科技已經(jīng)構(gòu)建起較強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)壁壘，在未來(lái)的發(fā)展中將持續(xù)受益于行業(yè)的迅速發(fā)展，實(shí)現(xiàn)企業(yè)的可持續(xù)高質(zhì)量發(fā)展。

審核編輯 黃昊宇