非制冷紅外技術持續(xù)突破，鋪開紅外探測民用市場不同于制冷型紅外，非制冷型紅外可以在常溫下工作，雖然靈敏度和觀測距離較短，但在成本、功耗、重量和壽命等方面具有優(yōu)勢，在大部分民用應用里非制冷紅外展示出的性能完全是足夠的，而且工藝技術門檻也相對低一些。

紅外探測器能在民用領域鋪開應用多晶硅技術功不可沒。非制冷型紅外芯片的熱敏元件材料常見的有氧化釩（VOx）和非晶硅（α-Si），負責感知紅外輻射。氧化釩具有較高的TCR，多晶硅的TCR其實并不弱于氧化釩，但受限于自身無定形結構，往往NETD不如氧化釩，噪聲會高出大概兩個數(shù)量級。

物理特性導致的噪聲意味著成像質量有天然的差距，但這個差距和二者的成本相比，在民用領域里就沒有那么大了。非晶硅以較低的成本擁有穩(wěn)定的市場份額，較低的成本加之像素水準的不斷突破，非晶硅紅外芯片在測溫、監(jiān)控、車載夜視領域都有著不小的市場份額，低成本的下探鋪開了民用紅外探測應用空間。

氧化釩則在高質量成像技術路線上不斷突破像元間距。像元間距，紅外探測芯片中最受關注的指標，像元間距越小高質量成像的優(yōu)勢越大。從25μm開始，綜合考量氧化釩與非晶硅的成像質量與成本難以分上下，到17μm像元間距，基于非晶硅的紅外芯片成像質量就開始落入下風，到12μm像元間距再往下，就是氧化釩的天下。

在25μm到17μm像元間距紅外芯片上批量出貨的廠商不少，大立科技就是基于非晶硅工藝主要做這個像元間距的產品。實現(xiàn)12μm像元間距批量出貨的廠商據(jù)目前資料有艾睿光電和高德紅外，都走氧化釩路線。再往更小的像元間距，目前國內最有競爭力的就是艾睿光電，國內首款全球第二款10μm紅外芯片、全球首款8μm紅外芯片就是由艾睿光電推出，體現(xiàn)了國產非制冷紅外芯片的領先實力。這些領先的廠商在量產攤薄成本之后，高成像質量的紅外芯片也得以進入更多的市場。

國產非制冷紅外芯片對比高德紅外

目前高德紅外集團旗下高芯科技有四款晶圓級探測芯片，GST612W、GST412W、GST212W以及GST417W，均采用氧化釩敏感材料。GST612W、GST412W、GST212W為12μm像元間距，GST417W為17μm像元間距。

12μm系列覆蓋640×512、400×300、256×192面陣規(guī)格，典型NETD均做到＜40mK，熱響應時間＜12ms，配置14位輸出信號，在功耗和幀頻上略有差異，幀頻最高可達50Hz。

艾睿光電艾睿光電非制冷紅外芯片共14款，覆蓋10μm、12μm、17μm三種像元間距，10μm有1款、12μm有10款，17μm有3款。去年突破性的8μm并未在官網公布，只給出了其NETD≤40mk。

國內少有的10μm芯片RTDS101M采用了氧化釩敏感材料，分辨率為1280×1024。在10μm像元間距應用里即便是采用氧化釩也很難縮小NETD，RTDS101M保持了＜50mk的高靈敏度，熱響應時間＜10ms，幀頻最高可達60Hz。

12μm系列NETD相關指標NETD都能實現(xiàn)小于40mK，參數(shù)最優(yōu)的系列在NETD實現(xiàn)小于40mK的情況下熱響應時間＜10ms，幀頻最大60Hz。17μm系列里NETD小于40mK的料號熱響應時間為12ms，NETD小于50mK的料號可以做到10ms熱響應時間，幀頻均最大可達60Hz。

大立科技大立科技非制冷紅外芯片共11個料號，15μm系列3款，17μm系列5款，25μm系列3款。在像素這一項指標上，大立科技一直處于國內外領先水平。

15μm、17μm系列最大頻幀全部可達到60Hz，NETD在50mK水平。25μm系列熱響應速度在12ms水平，NETD小于40mk，60Hz的幀頻。有些不同的是高德紅外與艾睿光電為了微型化和輕量化沒有采用TEC溫控，大立科技的系列都采用了TEC溫控。

小結這些民營非制冷紅外探測芯片已經實現(xiàn)了國產替代，技術水平穩(wěn)居國際第一梯隊。從市場來看，較大面陣芯片應用在紅外探測器芯片量產后，會有很多領域的應用空間都會打開，包括安防監(jiān)控、汽車自動駕駛。小面陣芯片則更多的應用在物聯(lián)網、安防、消防等領域，隨著物聯(lián)網發(fā)展同樣有可預期的增長。