振弦采集模塊(振弦采集儀核心)電源接口詳細(xì)情況

VMXXX 模塊有多個(gè)電源接口，分別為： 寬電壓電源輸入( VIN)、內(nèi)核電源( VDD)、 參考電壓源( VREF)、 振弦傳感器激勵(lì)電源( VSEN)， 各電源共用 GND。

振弦采集模塊(振弦采集儀核心)

電源輸入( VIN)： 寬電壓 VIN 管腳為模塊供電( DC5~15V)，推薦電壓為 6.0V~10.0V， VIN 可產(chǎn)生內(nèi)核電源 VDD， 當(dāng)使用 VIN 管腳為模塊供電時(shí)， VDD 管腳為輸出,輸出能力為 200mA， 盡量不要使用 VDD 輸出過(guò)大電流，以免影響模塊內(nèi)核的正常工作。

內(nèi)核電源( VDD)： 可由 VIN 產(chǎn)生，當(dāng)不使用 VIN 時(shí)，此管腳作為電源輸入， 需要外接 DC3.3V電源。 模塊工作時(shí)峰值電流約為 100mA，建議使用輸出能力 200mA 或以上的電壓源。 VMXXX 模塊

內(nèi)部有電壓校準(zhǔn)機(jī)制，對(duì) VDD 電壓值無(wú)嚴(yán)格要求。

參考電壓( VREF)： 此管腳為輸入，應(yīng)直接連接到 VDD(無(wú)需精準(zhǔn)的參考電壓源)。

激勵(lì)電源( VSEN)： VSEN 為傳感器激勵(lì)過(guò)程提供電能，當(dāng)采用高壓激勵(lì)方法時(shí)， VSEN 作為泵壓源， 一般情況下 VSEN 電壓越高則可獲取的激勵(lì)電壓也越高; 當(dāng)采用低壓掃頻激勵(lì)方法時(shí)，VSEN電壓即是掃頻電壓。 建議采用200mA 或以上的電壓源為VSEN供電，供電電壓推薦為DC8V~12V。

注意： VMx1x 模塊時(shí)， VSEN 可選擇是否在內(nèi)部連接于 VIN，請(qǐng)?jiān)诖_認(rèn)后再使用 VSEN。請(qǐng)?zhí)貏e注意電源的設(shè)計(jì)。 振弦傳感器返回信號(hào)為微弱的正弦波， 為減少電源紋波對(duì)傳感器信號(hào)的影響，建議所有電源均使用紋波較小的 LDO 穩(wěn)壓器。 當(dāng)使用交流電轉(zhuǎn)直流的供電方式時(shí)，模塊地線( GND)一定要可靠接地(大地)， 某些低端的交流轉(zhuǎn)直流適配器會(huì)將交流干擾引入，嚴(yán)重影響模塊信號(hào)處理質(zhì)量，甚至完全無(wú)法使用。

建議靠近電源管腳( VDD 尤其重要) 使用一個(gè) 10μF 鉭電容(低 ESR)和一個(gè) 0.1μF 的陶瓷電容并聯(lián)。增加并聯(lián)的電容可以有效去除高頻干擾。同時(shí)為防止浪涌對(duì)芯片的損壞，建議在模塊電源輸入管腳使用一個(gè)適合電壓的 500mW 的齊納二極管防止模塊的超壓損壞。 PCB 布局時(shí)，電容和二極管應(yīng)盡可能靠近模塊的電源輸入管腳。

電源連接示意：

振弦采集模塊(振弦采集儀核心)電源連接示意

參數(shù)復(fù)位管腳

RST 管腳為雙向管腳， 在不同運(yùn)行階段具有不同功能：

上電啟動(dòng)時(shí) RST 管腳為輸入，當(dāng)檢測(cè)到管腳為低電平時(shí)復(fù)位參數(shù)為出廠值。詳見(jiàn)“3.3 恢復(fù)出廠參數(shù)” 。在啟動(dòng)完成后此管腳為 IIC-SDA 功能。VMx0x 模塊的 RST 管腳未連接上拉電阻，為了防止上電時(shí)參數(shù)復(fù)位，外部必須連接2k~4.7k 上拉電阻，其它型號(hào)模塊此管腳已內(nèi)置了 4.7k 上拉電阻。

應(yīng)用領(lǐng)域

應(yīng)力應(yīng)變： 結(jié)構(gòu)應(yīng)力應(yīng)變、基坑支護(hù)、 管廊、 地下工程

儀器儀表： 振弦(采集儀)讀數(shù)儀表開(kāi)發(fā)。

自動(dòng)化、 信息化： 結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)替代傳統(tǒng)人工檢測(cè)。

審核編輯：湯梓紅