電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李寧遠）電源模塊功率密度越來越高是行業(yè)趨勢，每一次技術(shù)的進步都可以讓電源模塊尺寸減小或者讓功率輸出能力提高。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，電源模塊的尺寸會越來越小。功率密度不斷提高的好處也顯而易見，更少的組件，更高的集成度以及更低的成本。

更高的功率密度和溫度

功率密度是在給定空間內(nèi)可處理多少功率的度量，基于轉(zhuǎn)換器的額定功率以及電源組件的體積計算得出。電流密度也是一種與功率密度有關(guān)的指標，轉(zhuǎn)換器的額定電流可用于計算電流密度，量化為單位體積的電流。電流密度通常更適合應(yīng)用于負載點穩(wěn)壓器等應(yīng)用的常見品質(zhì)因數(shù)，因為它可以排除輸出電壓的影響。

體積密度則和電路板面積息息相關(guān)，電路板面積是影響功率密度的幾個關(guān)鍵因素之一，提高功率密度需要找到堆疊或3D 集成組件的方法，以減少功率解決方案的空間占用。半導(dǎo)體電源高性能、高能效的關(guān)鍵是實現(xiàn)更高水平的功率密度，也就是能在更小的體積中提供更高的功率處理能力。但更高的功率密度也會在較小的體積中產(chǎn)生更多熱量，這就需要先進的熱管理技術(shù)來維持性能和保護元件。

從電網(wǎng)到通信設(shè)備，從電動汽車到個人電子產(chǎn)品，各類電子系統(tǒng)都需要由密度更大、熱效率更高的電源芯片提供更高的性能和效率。

優(yōu)化功率密度——開關(guān)頻率與損耗

開關(guān)頻率和損耗是限制功率密度的因素之一，這一參數(shù)具有兩面性。增加開關(guān)頻率的確可以提高功率密度，但頻率的增加也會使損耗隨之增加，并可能引起溫升。

以同步降壓轉(zhuǎn)換器為例，同步降壓轉(zhuǎn)換器是當(dāng)今低壓調(diào)節(jié)器中最流行的拓撲結(jié)構(gòu)之一。隨著單個處理器中晶體管計數(shù)的不斷增加，低壓、大電流電壓調(diào)節(jié)器的設(shè)計出現(xiàn)了各種挑戰(zhàn)。同步降壓轉(zhuǎn)換器的功率損耗包括以下幾個部分，MOSFET損耗、電感損耗、印刷電路板PCB損耗等，其中又以MOSFET損耗最為復(fù)雜。

同步降壓變換器中與MOSFET相關(guān)的功率損耗由導(dǎo)電損耗和開關(guān)損耗組成。傳導(dǎo)損耗是高側(cè)（HS）和低側(cè)（LS）FETs傳導(dǎo)損失的總和。這種損耗與開關(guān)頻率無關(guān)?？梢酝ㄟ^減少MOSFET的導(dǎo)通狀態(tài)電阻來降低傳導(dǎo)損耗。然而，減少導(dǎo)通狀態(tài)電阻也將導(dǎo)致與器件開關(guān)相關(guān)的損耗增加，并增加裸片總面積和成本。

開關(guān)損耗則包括HS FET管開關(guān)損耗、LS FET開關(guān)損耗、柵極驅(qū)動損耗、LS二極管損耗和FET管輸出電容損耗，開關(guān)損耗隨開關(guān)頻率的增加呈線性增加。MOSFET開關(guān)損耗由過渡時間決定，并受到柵極驅(qū)動回路中的幾個參數(shù)的影響。共源電感（CSI）是其中最重要的參數(shù)之一。根據(jù)不同的應(yīng)用，不同的開關(guān)損耗對總體功率損耗的影響會有所不同，必須慎重地控制開關(guān)速度。

優(yōu)化功率密度——熱性能

器件中的任何電阻都會拉低效率，既浪費了電力又產(chǎn)生了額外的熱量。從封裝角度來說，散熱效果越好，通?？梢猿惺艿墓β蕮p耗就越多不會出現(xiàn)溫升現(xiàn)象。比如QFN封裝就有一個大面積裸露焊盤用來導(dǎo)熱，這種封裝設(shè)計提供了以前認為不可能的大接地焊盤，從而在器件到印刷電路板之間形成了良好的散熱路徑，可以高效地將熱量從芯片轉(zhuǎn)移到電路板上去。晶圓芯片級封裝WCSP也能將大部分熱量直接從凸塊傳導(dǎo)出去，在越來越小的封裝尺寸下實現(xiàn)預(yù)期的熱性能。

為進一步減少產(chǎn)生額外熱量的功率損耗，很多廠商會將FET、電容器等多種元件直接集成到電源芯片中。這種集成可以讓開關(guān)速度變得更快且更高效，在實現(xiàn)高電流密度的同時提供更出色的熱性能。還可以在芯片上進行元件三維堆疊，實現(xiàn)更高的集成度。

小結(jié)

這只是如何突破功率密度瓶頸幾個途徑，提高功率密度從來不是將幾種辦法孤立拼湊在一起，而是需要全盤考慮互相權(quán)衡?？傊诟〉目臻g內(nèi)實現(xiàn)更大的功率，還是離不開先進的工藝、封裝和電路設(shè)計技術(shù)。