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幾種常見的電動兩輪車BMS架構(gòu)及優(yōu)缺點和使用場景

jf_L18yujSQ ? 來源:小飛哥玩嵌入式 ? 2023-01-05 09:45 ? 次閱讀
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1、摘要

近年來,隨著新國標(biāo)的施行,以及平衡車,滑板車,共享電單車等新應(yīng)用場景的出現(xiàn),促使電動兩輪車市場迎來了新的發(fā)展熱潮。

鋰電池因為具有能量密度高,循環(huán)次數(shù)多等優(yōu)點而逐漸替代鉛酸電池,受到越來越多電動兩輪車廠商的追捧。但因為鋰電池相比鉛酸電池而言,安全性更差,因此需要嚴(yán)格的電池管理系統(tǒng)(Battery Management System, BMS)對鋰電池進(jìn)行監(jiān)控和保護(hù)。

而根據(jù)不同的用戶需求,往往需要選擇不同的 BMS 架構(gòu),比如電摩需要實現(xiàn)更高功率,因此會使用多片 AFE 級聯(lián)以支持更多電池串?dāng)?shù),又比如某些電動自行車的充放電電流相差較大,會設(shè)置單獨的充放電路徑以優(yōu)化成本。

本文將介紹幾種常見的電動兩輪車 BMS 架構(gòu)以及不同架構(gòu)的優(yōu)缺點及其使用場景。

2、電動兩輪車 BMS 架構(gòu)

2.1 典型的電動兩輪車BMS架構(gòu)

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通常由電芯,模擬前端,二段保護(hù),主控等組成。

其中, BQ77216 是一款單顆可支持 3-16S 的二段保護(hù)產(chǎn)品,不需要像傳統(tǒng)的采用多片級聯(lián)實現(xiàn) 16S 二次保護(hù)。并且相比傳統(tǒng)的二段保護(hù)產(chǎn)品, BQ77216 不僅具有過壓保護(hù)功能,而且還具備欠壓,過溫,開線等保護(hù)功能,滿足更多的設(shè)計需求。

BQ76952 是 TI 最新的支持 3-16S 的 AFE 產(chǎn)品,具有采樣精度高,集成高邊驅(qū)動和可編程 LDO,支持脫離 MCU 獨立工作,支持亂序上電,功耗小等諸多優(yōu)點,而被廣泛應(yīng)用于電動兩輪車領(lǐng)域。并且因為BQ76952 具有 DCHG 和 DDSG Pin,分別實現(xiàn)對 CHG 和 DSG Pin 的邏輯映射, 因此既能實現(xiàn)高邊驅(qū)動的方案,也可以實現(xiàn)低邊驅(qū)動的方案。同系列的產(chǎn)品還有 BQ76942 和 BQ769142,分別支持 3-10S和 3-14S 的電池包。

2.2 電動兩輪車BMS架構(gòu)細(xì)分類

按照充電 FET (CFET)和放電 FET (DFET)的位置不同,可以將電動兩輪車的 BMS 架構(gòu)分為以下四種:

2.1.1 高邊串聯(lián)架構(gòu)

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CFET 和 DFET 都置于高邊,并且以串聯(lián)的形式連接,所以稱之為高邊串聯(lián)架構(gòu)。

2.1.2 高邊并聯(lián)架構(gòu)

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CFET 和 DFET 都置于高邊,并且以并聯(lián)的形式連接,所以稱之為高邊并聯(lián)架構(gòu)。

2.2.3 低邊串聯(lián)架構(gòu)

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CFET 和 DFET 都置于低邊,并且以串聯(lián)的形式連接,所以稱之為低邊串聯(lián)架構(gòu)。

2.2.4 低邊并聯(lián)架構(gòu)

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CFET 和 DFET 都置于低邊,并且以并聯(lián)的形式連接,所以稱之為低邊并聯(lián)架構(gòu)。

3、選擇合適的電動兩輪車 BMS 架構(gòu)

上述四種架構(gòu)的主要區(qū)別在于兩點:一個區(qū)別是 CFET, DFET 是置于高邊還是低邊;另一個區(qū)別是CFET, DFET 是串聯(lián)連接還是并聯(lián)連接。根據(jù)不同的應(yīng)用場合,應(yīng)該選取合適的 BMS 架構(gòu)。下面分別介紹在選取不同 BMS 架構(gòu)時的主要考慮。

3.1 高邊 or 低邊

3.1.1 高邊與低邊介紹

低邊方案是目前應(yīng)用比較成熟且比較容易實現(xiàn)的方案, 多數(shù)兩輪車也是基于低邊方案設(shè)計的。同時,目前大部分模擬前端也集成了低邊驅(qū)動的能力, 比如我們上一代的經(jīng)典產(chǎn)品 BQ769x0 系列就是采用的低邊保護(hù)方案。

但是低邊保護(hù)方案存在一個缺點:當(dāng) CFET, DFET 關(guān)斷的時候,電池包的地和系統(tǒng)端的地不再共地,所以一旦有保護(hù)被觸發(fā)關(guān)斷充放電 FETs,電池端和系統(tǒng)端不再能夠?qū)崿F(xiàn)直接通信。若想繼續(xù)實現(xiàn)通信,則需要采用隔離通信,這不僅會增加成本,同時也會增加功耗,尤其是欠壓保護(hù)時,過大的通訊功耗對于原本就欠壓的電池包更是雪上加霜。因此低邊方案主要應(yīng)用于對成本更為敏感的沒有復(fù)雜通信的產(chǎn)品中。

相比較低邊保護(hù),高邊保護(hù)方案即使在保護(hù)被觸發(fā)后,電池包和系統(tǒng)端仍然是共地的,因此仍然可以實現(xiàn)相互之間的通信,而無需增加隔離通信, 且觸發(fā)保護(hù)后斷開電池正端,系統(tǒng)更加安全。

3.1.2 部分示例

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BQ76200 是一款低功耗的高邊 NFET 驅(qū)動 IC,支持充放電管單獨控制,具有很強的靈活性??蓴U展的charge pump 電容可保證多組并聯(lián) FETs 的驅(qū)動能力,同時集成了 PACK 電壓采樣開關(guān),方便通過MCU ADC 實現(xiàn) PACK 端電壓采樣。

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相比于 BQ769x0 系列, BQ769x2 系列 AFE 因為本身集成了高邊驅(qū)動能力,所以無需增加任何其他器件就可以實現(xiàn)高邊保護(hù)方案,可以幫助節(jié)省一顆高邊驅(qū)動芯片。Figure 7 所示為典型的高邊串聯(lián)應(yīng)用電路,可以看到,通過 BQ76952 的 CHG Pin 和 DSG Pin 就可以直接驅(qū)動高邊的 CHG FET 和 DSGFET,簡單方便又經(jīng)濟(jì)實惠。

BQ769x2 作為 TI 新一代的 AFE,相比 BQ769x0,除了集成高邊驅(qū)動外,還具有支持串?dāng)?shù)更多,支持亂序上電,更多的工作模式和通信接口,采樣精度更高,保護(hù)功能更全,均衡能力更強等諸多優(yōu)點。

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基于以上優(yōu)點,越來越多的低邊方案也開始使用 BQ769x2 進(jìn)行設(shè)計。BQ769x2 雖然沒有集成低邊驅(qū)動,但是集成的 DDSG Pin 和 DCHG Pin, 可分別實現(xiàn)對 DSG Pin 和 CHG Pin 的邏輯映射,利用這兩個引腳可以通過簡單的電路輕松實現(xiàn)低邊保護(hù)的方案, Figure 8 所示為典型的基于 BQ769x2 的低邊保護(hù)電路。

3.2 串聯(lián)(同口) or 并聯(lián)(分口)

串聯(lián)架構(gòu)的充電口和放電口共用一個端口, 缺點是 CFET 和 DFET 的數(shù)量均需要按照充放電電流的最大值進(jìn)行選型, 若充電電流和放電電流相差比較大時,比如一般電動車鋰電池包的充電電流要比放電電流小, 選擇串聯(lián)架構(gòu),則需要選擇比實際需要更多的 CFET,造成不必要的浪費。

并且無論是充電還是放電,所有的電流都需要經(jīng)過 CFET 和 DFET,會產(chǎn)生更多的損耗和熱,一定程度上也減少了電池的有效容量。優(yōu)點是不需要考慮反向電流的問題,因為 CFET 和 DFET 的背靠背連接可以阻斷反向電流。此外, 串聯(lián)架構(gòu)可以節(jié)省一根功率線和一個接線端子。

相比串聯(lián)架構(gòu),并聯(lián)架構(gòu)可以按照實際的充放電電流需要分別選型 CFET 和 DFET 的數(shù)量和型號。并且無論是充電還是放電,都只經(jīng)過一級 FET,所以損耗和發(fā)熱也都更少。缺點是需要考慮反向電流,如經(jīng) CFET 的體二極管流向充電口,或經(jīng)過 DFET 的體二極管流向電芯,若要阻斷這些電流路徑,需要額外的電路輔助實現(xiàn)。

4、其他兩輪車 BMS 架構(gòu)

除了上述按照 CFET 和 DFET 的位置分類外,還可以按照模擬前端的數(shù)量, 有無 MCU 等對兩輪車BMS 架構(gòu)進(jìn)行分類。

4.1 級聯(lián)架構(gòu)

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按照模擬前端的數(shù)量,可以將兩輪車 BMS 分為級聯(lián)架構(gòu)和非級聯(lián)架構(gòu)。

目前主流的電動兩輪車 BMS,如電動自行車,滑板車,平衡車等,一般采用 10S, 14S 或者 16S 電池包,一顆 BQ769x2 就可以支持,所以對于目前主流的電動兩輪車 BMS,采用上述單顆 AFE 方案即可,F(xiàn)igure 2 ~ Figure 5 均為非級聯(lián)架構(gòu)。但對于一些要求功率比較大的應(yīng)用場合,如電輕摩或者電摩,其電壓通常高于 60V,則需要采用高于 16 串的電池包來實現(xiàn)更大的功率,單顆 BQ76952 已經(jīng)不足以支持,需用采用兩顆進(jìn)行級聯(lián)使用,也就是采用級聯(lián)架構(gòu)。

因為高壓側(cè)的 BQ76952 是以低壓側(cè)的 Vstack作為參考地的,所以高壓側(cè) BQ76952 的通訊需要隔離 I2C

4.2 獨立架構(gòu)

按照有無 MCU,可以將兩輪車 BMS 分為獨立架構(gòu)和非獨立架構(gòu)。Figure 2 ~ Figure 5 均有 MCU 搭配工作,所以均為非獨立架構(gòu)。Figure 7 中 AFE 則脫離了 MCU 而獨立工作,所以為獨立(standalone)架構(gòu)。當(dāng) BQ769x2 工作在獨立模式時,仍然可以對電池狀態(tài)進(jìn)行監(jiān)控,對充放電 FETs 進(jìn)行控制,當(dāng)觸發(fā)保護(hù)條件時,自行控制 FETs 關(guān)斷實施保護(hù),當(dāng)保護(hù)條件撤去時,自行恢復(fù) FETs 導(dǎo)通。

獨立架構(gòu)的優(yōu)點是可以節(jié)省一顆 MCU,適用于對成本要求較為苛刻的應(yīng)用場合。但是因為缺少 MCU,所以在靈活性上有所損失,用戶需要按照實際需求進(jìn)行選擇獨立還是非獨立 BMS 架構(gòu)。

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文章摘自TI,知識傳播者,小飛哥目前剛好從事BMS相關(guān)開發(fā)

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審核編輯:郭婷

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原文標(biāo)題:常見的電動兩輪車 BMS 架構(gòu)

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