ROHM推出內(nèi)置耐壓高達(dá)80V的MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內(nèi)置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的業(yè)界最高水平，在ROHM的DC/DC轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品陣容中也是最高耐壓的機(jī)型。高耐壓的DC/DC轉(zhuǎn)換器在以電信相關(guān)和工業(yè)設(shè)備為首的應(yīng)用中、最近在使用電池組的應(yīng)用中使用量增加，因此其需求日益高漲。然而，現(xiàn)狀是可供應(yīng)具有60V以上耐壓的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC的制造商有限，而且種類(lèi)也并不是很多。

BD9G341AEFJ是作為功率開(kāi)關(guān)內(nèi)置額定80V/3.5A的N通道MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC，僅需增加很少外置元器件，即可構(gòu)建高性能的高耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器。一般高耐壓的DC/DC轉(zhuǎn)換器采用外置高耐壓MOSFET的電路結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)高耐壓的情況較多，而B(niǎo)D9G341AEFJ為減少安裝面積并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，IC設(shè)計(jì)采用內(nèi)置高耐壓MOSFET結(jié)構(gòu)，這需要具備非常先進(jìn)的技術(shù)能力才能實(shí)現(xiàn)。此外，內(nèi)置MOSFET的導(dǎo)通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。

BD9G341AEFJ的轉(zhuǎn)換方式是被稱(chēng)為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊MOSFET為內(nèi)置，而續(xù)流二極管為外置。續(xù)流二極管是肖特基勢(shì)壘二極管，需要能夠容許電路最大輸入電壓的高耐壓品。ROHM擁有適合開(kāi)關(guān)電源的各種二極管，因此還可一并供應(yīng)BD9G341AEFJ所需的肖特基勢(shì)壘二極管。

下面是主要特點(diǎn)和標(biāo)準(zhǔn)電路例。通過(guò)采用電流模式控制，相位補(bǔ)償簡(jiǎn)單，可獲得高速的瞬態(tài)響應(yīng)。開(kāi)關(guān)頻率可在50kHz～750kHz之間設(shè)置，因此可優(yōu)化尺寸與效率。另外還搭載了所需的幾乎所有的保護(hù)功能，這也是該產(chǎn)品的特點(diǎn)之一。

＜特點(diǎn)＞

內(nèi)置額定80V/3.5A、
Ron 150mΩ的Nch MOSFET

最大輸出電流：3A

輸入電壓范圍：12V～76V

輸出電壓范圍：1.0V～輸入電壓

開(kāi)關(guān)頻率（可變）：50kHz～750kHz

通過(guò)電流模式實(shí)現(xiàn)高速瞬態(tài)響應(yīng)

基準(zhǔn)電壓：1.0V±1.5%（25℃）、
±2%（整個(gè)溫度范圍）

高精度EN閾值±3%

軟啟動(dòng)功能

待機(jī)功能

搭載過(guò)電流保護(hù)（OCP）、防止低輸入誤動(dòng)作（UVLO）、
溫度保護(hù)電路（TSD）、過(guò)電壓保護(hù)（OVP）

工作溫度范圍：-40℃～+85℃

封裝：HTSOP-J8（4.9 x 6.0 x 1.0mm）

＜電路例＞

BD9G341AEFJ:實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)的80V高耐壓與高效率的DC/DC轉(zhuǎn)換器

重點(diǎn)必看

開(kāi)發(fā)的關(guān)鍵詞為“80V高耐壓”“高效率”“高可靠性”“小型”

重點(diǎn)必看

80V耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的定位與市場(chǎng)

審核編輯黃宇