碳化硅二極管 碳化硅MOSFET 碳化硅半導體

SiC碳化硅功率器件產品線和硅基產品線介紹

硅基功率器件為第二代半導體，碳化硅功率器件為第三代半導體，碳化硅功率器件又稱為碳化硅電力電子器件，特性優(yōu)勢明顯，目前為最先進的功率器件。下面我們就來介紹一下SiC碳化硅功率器件產品線和硅基產品線。

碳化硅功率器件涵蓋碳化硅裸芯片，碳化硅二極管和碳化硅MOSFET，還要碳化硅模塊。我們重點介紹一下碳化硅二極管和碳化硅MOSFET。碳化硅二極管除了確保符合當今最嚴格的能效法規(guī)（Energy Star、80Plus、以及European Efficiency）外，碳化硅二極管的動態(tài)特性是標準硅二極管的四倍，而正向電壓（VF）比其低15%。 碳化硅（SiC）二極管的使用大大提高了太陽能逆變器、電機驅動、不間斷電源和電動車電路的效率和穩(wěn)定性。拿慧制敏造半導體的碳化硅二極管來分析，碳化硅二極管在600V到1200V的電壓范圍內采用單二極管和雙二極管（封裝尺寸從DPAK到TO-247），包括陶瓷絕緣型TO-220，以及超薄的緊湊型PowerFLATTM 8x8，具有優(yōu)異的熱性能，是高電壓（HV）表面貼裝（SMD）封裝的新標準，可用于650 V碳化硅二極管（4 A - 10 A）。拿慧制敏造半導體的碳化硅MOSFET來分析，碳化硅 MOSFET 具有導通電阻低，開關損耗小的特點，可降低器件損耗，提升系統(tǒng)效率，更適合應用于高頻電路。在新能源汽車電機控制器、車載電源、太陽能逆變器、充電樁、UPS、PFC 電源等領域有廣泛應用。新一代采用輔助源極連接方式的碳化硅 MOSFET（TO-247-4）可以進一步降低器件損耗，提升系統(tǒng) EMI 表現(xiàn)。

碳化硅二極管

硅基產品線主要有低壓MOSFET、高壓MOSFE、FRD快恢復二極管、IGBT/混合式IGBT

審核編輯黃宇