有圖晶圓關(guān)鍵尺寸及套刻量測(cè)系統(tǒng)可對(duì)Wafer的關(guān)鍵尺寸進(jìn)行檢測(cè)，對(duì)套刻偏移量的測(cè)量，以及Wafer表面3D形貌、粗糙度的測(cè)量，包括鐳射切割的槽寬、槽深等自動(dòng)測(cè)量。300*300mm真空吸附平臺(tái)，最大可支持12寸Wafer的自動(dòng)測(cè)量，配置掃描槍，可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)線的全自動(dòng)化生產(chǎn)需求。
一.系統(tǒng)的布局結(jié)構(gòu)1. 上料/下料區(qū)：Robot自動(dòng)抓取Wafer至尋邊器平臺(tái)；2. 定位區(qū)：尋邊器對(duì)Wafer自動(dòng)輪廓識(shí)別，旋轉(zhuǎn)校正到設(shè)定姿態(tài)；3. 測(cè)量區(qū)：自動(dòng)測(cè)量平臺(tái)，包含2D和3D測(cè)量模組，內(nèi)部有溫濕度監(jiān)控及除靜電裝置。 1.上下料區(qū)：Robot自動(dòng)上下料

Robot自動(dòng)上下料

2.定位區(qū)：尋邊器自動(dòng)識(shí)別出wafer輪廓，旋轉(zhuǎn)校正到設(shè)定姿態(tài)

Robot將Wafer放在尋邊器上

自動(dòng)識(shí)別出wafer輪廓

3. 測(cè)量區(qū)：自動(dòng)測(cè)量平臺(tái)

自動(dòng)測(cè)量平臺(tái)

二.應(yīng)用案例

1.Wafer關(guān)鍵尺寸、套刻偏移量測(cè)量

2.鐳射切割槽測(cè)量

3.表面粗糙度測(cè)量