從2018年開(kāi)始，電動(dòng)車、車聯(lián)網(wǎng)等ADAS的普及速度加快，尤其在自駕車的帶動(dòng)下，半導(dǎo)體的封裝技術(shù)愈來(lái)愈先進(jìn)，但新的封裝方式也讓車用零件可靠度方面有了更多的挑戰(zhàn)。

我司最新推出的TEM小室可以用來(lái)測(cè)量來(lái)自被測(cè)件EUT或集成電路PCB的輻射敏感度和傳導(dǎo)抗擾度的試驗(yàn)，其頻率可以達(dá)到8GHz。其駐波比可以到達(dá)1.3，傳輸衰減比小于0.3dB。

源于被測(cè)件EUT的發(fā)射場(chǎng)通過(guò)小室的發(fā)射模進(jìn)行耦合，并以此在室的一個(gè)端口耦合到一個(gè)電壓。用TEM小室進(jìn)行輻射騷擾測(cè)量的優(yōu)點(diǎn)：由于它是在一個(gè)屏蔽室內(nèi)進(jìn)行的，因此把可能感應(yīng)到的環(huán)境電壓降到了極低的水平，一般地講也就是測(cè)量設(shè)備的本底噪聲，TEM小室的兩端呈錐形向通用的同軸器件過(guò)渡，一頭連接同軸線到測(cè)試接收機(jī)，另一頭連接匹配負(fù)載，如下圖所示。

TEM小室的外導(dǎo)體頂端有一個(gè)方形開(kāi)口用于安裝測(cè)試電路板。其中,集成電路的一側(cè)安裝在小室內(nèi)側(cè)，互連線和外圍電路的一側(cè)向外。這樣做使測(cè)到的輻射發(fā)射主要來(lái)源于被測(cè)的IC芯片。受測(cè)芯片產(chǎn)生的高頻電流在互連導(dǎo)線上流動(dòng),那些焊接引腳、封裝連線就充當(dāng)了輻射發(fā)射天線。

當(dāng)測(cè)試頻率低于TEM小室的一階高次模頻率時(shí)，只有主模TEM模傳輸，此時(shí)TEM小室端口的測(cè)試電壓與騷擾源的發(fā)射大小有較好的定量關(guān)系，因此,可用此電壓值來(lái)評(píng)定集成電路芯片的輻射發(fā)射大小。

用TEM小室的測(cè)試方法是：為了保證重復(fù)性，環(huán)境溫度保持于18℃～28℃；測(cè)試環(huán)境的背景電磁噪聲至少低于最低極限線值6dB；在測(cè)試之前，集成電路應(yīng)使用適當(dāng)?shù)某绦蚣虞d并處于穩(wěn)定狀態(tài)；待測(cè)集成電路的供電特性應(yīng)符合集成電路制造商要求。

用TEM小室的測(cè)試步驟：

第一步：按測(cè)試布置進(jìn)行環(huán)境溫度及背景電磁噪聲測(cè)試，此時(shí)待IC不上電；

第二步：待測(cè)IC上電，并進(jìn)行功能測(cè)試，需要對(duì)IC的軟件加載，并一直到其處于穩(wěn)定狀態(tài)；

第三步：對(duì)待測(cè)IC進(jìn)行輻射發(fā)射測(cè)量；

第四步：將待測(cè)IC與測(cè)試夾具旋轉(zhuǎn)90o，重復(fù)第三步測(cè)試，直至四個(gè)可能的方向均完成輻射發(fā)射測(cè)量。

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