2023年IGBT產(chǎn)業(yè)論壇會圓滿舉辦
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為加強IGBT產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)交流聯(lián)動，6月29日，由艾邦智造主辦的”2023年IGBT產(chǎn)業(yè)鏈論壇會”在昆山金陵大飯店成功舉辦。本次論壇就IGBT產(chǎn)業(yè)化發(fā)展、IGBT芯片研發(fā)、創(chuàng)新材料、工藝制造及應用等方面展開探討。
翠展微電子研發(fā)副總吳瑞先生應邀作為此次論壇的演講嘉賓，并做《一體化高性能逆變磚模塊技術(shù)研究》主體演講，結(jié)合功率模塊封裝的發(fā)展趨勢、先進功率半導體封裝技術(shù)、一體化高性能逆變磚模塊及產(chǎn)品介紹進行了全面的專題探討。現(xiàn)場人氣滿滿，學術(shù)氣氛非常濃厚。
翠展微電子研發(fā)副總吳瑞先生在會上介紹到，功率模塊封裝的發(fā)展歷程最早可追溯到1975年賽米控推出全球第一款功率模塊，發(fā)展至今，功率模塊基本分為兩大封裝類型：塑封型模塊和框架型模塊。
封裝技術(shù)為半導體芯片提供電氣連接、機械支撐、散熱途徑、環(huán)境防護，也引入了一些問題如寄生參數(shù)、連接問題、熱阻、界面失效等。業(yè)界對于先進功率半導體封裝技術(shù)研究主要在基礎(chǔ)材料、封裝工藝、模塊設(shè)計方面，圍繞電學性能、熱管理、機械性能和可靠性進行研究。
電動汽車多合一動力總成對功率模塊提出了更高的要求，翠展微電子推出了新方案——一體化逆變磚模塊方案，將DBC直接燒結(jié)在散熱器上，去除了銅底板和導熱硅脂兩個封裝界面，降低熱阻、減少重量、降低成本，無需涂抹導熱硅脂，裝配簡單，增加可靠性。
本次論壇會吸引了業(yè)內(nèi)180家企業(yè)，約345位企業(yè)代表參會，聚焦前沿技術(shù)進步與產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新應用，暢談創(chuàng)新與合作，共享共贏。給予產(chǎn)業(yè)鏈上下游朋友創(chuàng)造了面對面交流的機會，為推動行業(yè)發(fā)展貢獻一份力量。
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原文標題：2023年IGBT產(chǎn)業(yè)論壇會圓滿舉辦
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