三星計(jì)劃采用12納米技術(shù)，提升內(nèi)存模組容量
日前有信息稱，三星將采用 12納米 (nm) 級(jí)工藝技術(shù)，生產(chǎn)ERP開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，而這樣就可以在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍。
三星方面表示：在三星最新推出的 12納米級(jí) 32Gb內(nèi)存的基礎(chǔ)上，三星可以研發(fā)出實(shí)現(xiàn) 1TB內(nèi)存模組的解決方案，這有助于滿足人工智能和大數(shù)據(jù)時(shí)代對(duì)于大容量DRAM內(nèi)存日益增長(zhǎng)的需求。
通過使用最新開發(fā)的 32Gb內(nèi)存顆粒，即使不使用硅通孔 (TSV)工藝也能夠生產(chǎn) 128GB內(nèi)存模組。與使用 16Gb 內(nèi)存封裝的 128GB內(nèi)存模組相比，其功耗降低了約10%。這一技術(shù)突破使該產(chǎn)品成為數(shù)據(jù)中心等關(guān)注能效的企業(yè)的優(yōu)選解決方案。
審核編輯：湯梓紅
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
DRAM
+關(guān)注
關(guān)注
41文章
2401瀏覽量
189537 -
納米技術(shù)
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
202瀏覽量
27202 -
內(nèi)存模組
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
16瀏覽量
9213
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
DC-DC電路中三星貼片電容容量與耐壓值如何選？
在DC-DC電路中，三星貼片電容的容量與耐壓值選擇需結(jié)合電路功能、負(fù)載特性及安全裕量綜合考量，具體選擇策略如下： 一、容量選擇：根據(jù)電路功能匹配電荷需求 濾波電路 電源濾波 ：需大容量
三星DDR5低調(diào)突破：原生速率突破7200Mbps
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 2025年末，存儲(chǔ)行業(yè)超級(jí)周期熱潮下，一則技術(shù)動(dòng)態(tài)引發(fā)產(chǎn)業(yè)鏈廣泛關(guān)注——三星半導(dǎo)體官網(wǎng)更新DRAM產(chǎn)品目錄，低調(diào)上架多款處于“樣品”階段的DDR5內(nèi)存顆粒新品。其中
三星發(fā)布Exynos 2600，全球首款2nm SoC，NPU性能提升113%
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日，三星電子正式發(fā)布其手機(jī)芯片Exynos 2600。這款芯片意義非凡，它不僅是三星首款2nm芯片，更是全球首款采用2納米（2nm）全環(huán)繞柵極（GAA）工藝制造
爆！三星退出SATA SSD業(yè)務(wù)！
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）2025年12月14日，知名硬件爆料人Tom(YouTube頻道Moore's Law Is Dead)爆料稱，三星計(jì)劃在2026年初預(yù)計(jì)CES展會(huì)后，宣布逐步退出
三星電子正式發(fā)布Galaxy Z TriFold
2025年12月2日，三星電子正式發(fā)布Galaxy Z TriFold，進(jìn)一步鞏固了三星在移動(dòng)AI時(shí)代中針對(duì)形態(tài)創(chuàng)新的行業(yè)優(yōu)勢(shì)。
三星公布首批2納米芯片性能數(shù)據(jù)
三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數(shù)據(jù)；據(jù)悉，2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞（GAA）晶體管技術(shù)，相比第二代3nm工藝，性能提升5%，功耗效率提高8%，芯片面積縮小5%。
三星正式啟動(dòng)DDR4模組停產(chǎn)倒計(jì)時(shí)，PC廠商加速轉(zhuǎn)向DDR5，供應(yīng)鏈掀搶貨潮
三星近期已向全球 OEM 客戶發(fā)出正式函件，明確旗下 DDR4 模組將于 2025 年底進(jìn)入產(chǎn)品壽命結(jié)束（EOL）階段，最后訂購(gòu)日期定于 6 月上旬，最后出貨日期則為 12 月 10 日。此次停產(chǎn)
曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 三星獲特斯拉千億芯片代工大單
我們來(lái)看看三星的最新消息： 曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 數(shù)碼博主“剎那數(shù)碼”爆料稱，三星Exynos 2600芯片已進(jìn)入質(zhì)量測(cè)試階段，計(jì)劃在今年10月完成基于HPB（High
三星電子全力推進(jìn)2納米制程，力爭(zhēng)在2025年內(nèi)實(shí)現(xiàn)良率70%
根據(jù)韓國(guó)媒體ChosunBiz的報(bào)道，三星電子的晶圓代工事業(yè)部正在全力押注其2納米制程技術(shù)，目標(biāo)是在2025年內(nèi)實(shí)現(xiàn)良率提升至70%。這一戰(zhàn)略旨在吸引更多大客戶訂單，進(jìn)一步鞏固其在半導(dǎo)
購(gòu)買三星車規(guī)電容(MLCC)，為什么選擇代理商貞光科技？
實(shí)力與產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)三星電機(jī)具備600層大容量MLCC生產(chǎn)能力，在車規(guī)級(jí)電容領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)先。我們代理的三星車規(guī)MLCC產(chǎn)品線完整，覆蓋各種應(yīng)用需求。2024年7月，
三星MLCC電容的微型化技術(shù)，如何推動(dòng)電子產(chǎn)品輕薄化？
三星MLCC電容的微型化技術(shù)通過減小元件尺寸、提升單位體積容量、優(yōu)化電路板空間利用率及支持高頻高容量需求，直接推動(dòng)了電子產(chǎn)品的輕薄化進(jìn)程，具
超聲波指紋模組靈敏度飛升！低溫納米燒結(jié)銀漿立大功
夠有效減少信號(hào)傳輸過程中的接觸電阻和信號(hào)損失。
AS9120BL3用于指紋模組
案例為證，效果顯
實(shí)際案例是對(duì)低溫納米燒結(jié)銀漿提升指紋模組靈敏度的最好證明。某知名手機(jī)品牌在其新款手機(jī)的
發(fā)表于 05-22 10:26
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購(gòu)適用于三星S21指紋模組?；厥?b class='flag-5'>三星指紋排線，收購(gòu)三星指紋排線，全國(guó)高價(jià)回收
發(fā)表于 05-19 10:05
看點(diǎn)：三星DDR4內(nèi)存漲價(jià)20% 華為與優(yōu)必選全面合作具身智能
給大家?guī)?lái)一些業(yè)界資訊： 三星DDR4內(nèi)存漲價(jià)20%? 存儲(chǔ)器價(jià)格跌勢(shì)結(jié)束，在2025年一季度和第二季度，價(jià)格開始企穩(wěn)反彈。 據(jù)TrendForce報(bào)道稱，三星公司DDR4內(nèi)存開始漲價(jià)
會(huì)議邀請(qǐng)| Aigtek誠(chéng)邀您蒞臨微納器件與系統(tǒng)創(chuàng)新論壇（2025）暨中國(guó)微米納米技術(shù)學(xué)會(huì)微納技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新大會(huì)！
2025年5月10日-11日，由中國(guó)微米納米技術(shù)學(xué)會(huì)主辦，南京大學(xué)、蘇州市集成電路創(chuàng)新中心聯(lián)合承辦的第三屆微納器件與系統(tǒng)創(chuàng)新論壇（2025）暨中國(guó)微米納米技術(shù)學(xué)會(huì)微納技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新大會(huì)系
評(píng)論