三星電子決定將其西安NAND閃存工廠過渡到200層NAND工藝。三星生產(chǎn)236層（第8代）NAND產(chǎn)品的舉措被視為克服全球NAND需求低迷而導(dǎo)致業(yè)績(jī)下降的戰(zhàn)略步驟。

業(yè)內(nèi)消息人士透露，三星高管已批準(zhǔn)其西安工廠的NAND工藝升級(jí)，并已開始廣泛的擴(kuò)張工作。三星已開始為這一轉(zhuǎn)型采購(gòu)最新的半導(dǎo)體設(shè)備，新設(shè)備預(yù)計(jì)將在2023年底交付。

三星西安工廠是該公司唯一的海外存儲(chǔ)半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。2014年竣工的西安工廠到2020年擴(kuò)建了第二個(gè)工廠，成長(zhǎng)為每月能生產(chǎn)20萬(wàn)個(gè)12英寸晶片的世界最大的nand制造基地。占三星nand總生產(chǎn)量的40%以上。在這樣的背景下，三星計(jì)劃到2024年在西安工廠接連引進(jìn)能夠生產(chǎn)nand 236段（第8代）的設(shè)備。

三星決定升級(jí)西安工廠的原因大致有兩個(gè)。第一，在nand閃存市場(chǎng)尚未出現(xiàn)恢復(fù)跡象的情況下，在nand閃存市場(chǎng)保持世界領(lǐng)先地位。受從去年年底開始的it景氣低迷和半導(dǎo)體景氣低迷的影響，三星nand的銷量增加，從而使虧損擴(kuò)大。

在政策性減產(chǎn)后，業(yè)績(jī)改善緩慢，因此打出了工程升級(jí)牌。隨著批量生產(chǎn)最新第八代產(chǎn)品，可以確保價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力和需求，第八代產(chǎn)品比第六代經(jīng)過更多的工程，可以自然地減少30%左右的晶片投入。這意味著有平衡市場(chǎng)供求的潛力。

實(shí)際上，三星在今年4月正式宣布減產(chǎn)。第六代（128段）v - nand的主力生產(chǎn)基地西安工廠的開工率也大幅下降。現(xiàn)有產(chǎn)品（128層）的需求受到限制，也不能確保價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力，因此全體工廠的開工率下降到了20%左右。

三星和sk海力士暫時(shí)放寬半導(dǎo)體限制規(guī)定，以便在中國(guó)運(yùn)營(yíng)工廠，這也是程序變更的另一個(gè)背景。美國(guó)政府去年10月要求允許向中國(guó)本土半導(dǎo)體生產(chǎn)基地銷售128段以上14納米以下的nand閃存和18納米以下d內(nèi)存使用的本國(guó)設(shè)備。隨著美國(guó)政府發(fā)表對(duì)三星電子和sk海力士等半導(dǎo)體企業(yè)免除1年出口管制的措施，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)在中國(guó)工廠的運(yùn)轉(zhuǎn)可能會(huì)受到制約的憂慮和不安感正在增大。

但是，美國(guó)商務(wù)部產(chǎn)業(yè)安全局（bis） 10月13日正式公布，將無(wú)限期免除美國(guó)對(duì)三星電子和sk海力士中國(guó)工廠的對(duì)華半導(dǎo)體設(shè)備限制規(guī)定，從而允許三星和sk海力士所需的半導(dǎo)體制造設(shè)備入境。