Toshiba推出適用于半導(dǎo)體測試儀高頻信號開關(guān)的小型光繼電器
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了"TLP3475W"。這款光繼電器采用小巧輕薄的WSON4封裝，可降低插入損耗并抑制高頻信號[1] 的功率衰減，適用于使用大量繼電器并需要高速信號的半導(dǎo)體測試儀引腳電子裝置。該產(chǎn)品即日起開始批量發(fā)貨。
Toshiba的優(yōu)化封裝設(shè)計減少了新款光繼電器中的寄生電容和電感。這降低了插入損耗，將高頻信號的傳輸特性提高到20GHz（典型值） [2]，比Toshiba當(dāng)前產(chǎn)品TLP3475S低約1.5倍[2]。
TLP3475W采用小巧輕薄的WSON4封裝，厚度僅為0.8毫米（典型值），使其成為業(yè)內(nèi)最小的 [3]光繼電器，從而實現(xiàn)了更好的高頻信號傳輸特性。與Toshiba的超小型S-VSON4T封裝相比，它的高度降低了40%，從而可以在同一電路板上安裝更多產(chǎn)品，并有助于提高測量效率。
Toshiba將繼續(xù)擴(kuò)大其產(chǎn)品陣容，以支持速度更快、功能更多的半導(dǎo)體測試儀。
應(yīng)用
半導(dǎo)體測試儀（高速存儲器測試儀、高速邏輯測試儀等）
探針卡
測量設(shè)備
特性
業(yè)界最小的[3]WSON4封裝：1.45mm×2.0mm（典型值），t=0.8mm（典型值）
改善高頻信號通過特性：f=20GHz（典型值）@插入損耗(S21) = -3dB
常開功能(1-Form-A)
備注：
[1] 當(dāng)頻帶在幾百兆赫至幾十兆赫范圍內(nèi)時。
[2] 信號通過輸出MOSFET時，信號功率衰減比（插入損耗）為-3dB的頻段。
[3] 針對光繼電器。截至2023年10月的Toshiba調(diào)查。
主要規(guī)格
| （除非另有說明，否則Ta = 25°C） | ||||
| 部件編號 | TLP3475W | |||
| 封裝 | 名稱 | WSON4 | ||
| 尺寸（毫米） | 1.45×2.0（典型值），t=0.8（典型值） | |||
| 絕對最大額定值 | 關(guān)斷狀態(tài)輸出端電壓VOFF (V) | 60 | ||
| 導(dǎo)通電流ION (A) | 0.4 | |||
| 導(dǎo)通電流（脈沖）IONP (A) | 1.2 | |||
| 工作溫度Topr (°C) | -40至110 | |||
| 耦合電氣特性 | 觸發(fā)LED電流IFT (mA) | 最大值 | 3.0 | |
| 導(dǎo)通電阻RON (Ω) | 典型值 | 1.1 | ||
| 最大值 | 1.5 | |||
| 電氣特性 | 輸出電容COFF (pF) | 最大值 | 20 | |
| 開關(guān)特性 | 導(dǎo)通時間tON（毫秒） |
@RL = 200Ω, VDD = 20V, IF = 5mA |
最大值 | 0.25 |
| 關(guān)斷時間tOFF（毫秒） | 0.2 | |||
| 隔離特性 | 隔離電壓BVS (Vrms) | 最小值 | 300 | |
審核編輯：湯梓紅
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