日本Rapidus、東京大學(xué)將和法國半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)Leti 攜手研發(fā)1納米芯片技術(shù)，已簽署考慮合作的備忘錄。

日經(jīng)新聞16日?qǐng)?bào)道，日本芯片制造商Rapidus、東京大學(xué)將和Leti攜手研發(fā)1nm等級(jí)芯片設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)技術(shù)，將在2024年正式展開人才交流、技術(shù)共享，目標(biāo)活用Leti的半導(dǎo)體元件技術(shù)，建構(gòu)提升自動(dòng)駕駛、人工智能（AI）性能所不可或缺的1nm芯片產(chǎn)品供應(yīng)體制。

據(jù)報(bào)道，Rapidus、東大等日本國立大學(xué)以及理化學(xué)研究所參與的研究機(jī)構(gòu)「最先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)中心（LSTC）」和Leti已在10月簽訂考慮合作的備忘錄。LSTC和Leti的目標(biāo)是確立1.4nm-1nm芯片研發(fā)所必要的基礎(chǔ)技術(shù)。

報(bào)道指出，在2nm芯片的量產(chǎn)上，Rapidus正和美國IBM、比利時(shí)半導(dǎo)體研發(fā)機(jī)構(gòu)imec合作，且也考慮在1nm等級(jí)產(chǎn)品上和IBM進(jìn)行合作。預(yù)計(jì)在2030年代以后普及的1nm產(chǎn)品運(yùn)算性能將較2nm提高1-2成。

美國麥肯錫指出，全球半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)估將在2030年之前達(dá)到1萬億美元、將較2021年的約6,000億美元大增約7成。臺(tái)積電、三星電子將在2025年量產(chǎn)2nm，而Rapidus位于北海道千歲市的2nm芯片研發(fā)/生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)千歲工廠「IIM-1（第1棟廠房）」已于9月動(dòng)工，試產(chǎn)產(chǎn)線計(jì)劃在2025年4月啟用、2027年開始進(jìn)行量產(chǎn)。

Rapidus設(shè)立于2022年8月，由豐田（Toyota）、Sony、NTT、NEC、軟銀（Softbank）、Denso、NAND Flash大廠鎧俠（Kioxia）、三菱UFJ等8家日企共同出資設(shè)立。