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通過電路符號認(rèn)知N溝道和P溝道MOSFET的工作原理

冬至子 ? 來源:磁小詩 ? 作者:磁小詩 ? 2023-11-21 15:05 ? 次閱讀
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硬件面試中有遇到過這樣的事嗎?通常讓你畫一個(gè)增強(qiáng)型的MOSFET,或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET,然而,無論是經(jīng)驗(yàn)不多的新工程師還是經(jīng)驗(yàn)豐富的老工程師,多數(shù)情況下還真不能完全正確的把這個(gè)器件的原理符號畫出來,甚至畫的五花八門。

但是想想也很簡單,因?yàn)槠骷脑矸栐谝欢ǔ潭壬洗碇?a href="http://www.greenbey.cn/v/tag/773/" target="_blank">工作原理,只要理解簡單原理就很容易畫出來,并且不會出現(xiàn)錯(cuò)誤,這里我總結(jié)了3點(diǎn),希望對大家有所幫助。

1、對于增強(qiáng)型N溝道和P溝道MOSFET:從 溝道線 (虛線)、電子運(yùn)動方向箭頭,門極電壓去理解即可,其中前兩項(xiàng)最容易混淆。以下文字描述較多但很簡單,圖片也已標(biāo)明了要點(diǎn)。

N溝道MOSFET:

(1)虛線:代表導(dǎo)電溝道,同時(shí)也表示在門極不加電壓的情況下,導(dǎo)電溝道是斷開狀態(tài),器件不導(dǎo)通,器件是常閉狀態(tài),虛線的含義就是表示斷開。

(2)向內(nèi)的箭頭:表示了加上柵極電壓后溝道中電子運(yùn)動方向,電子向內(nèi)被吸引,從而溝道被電子填充形成電子型導(dǎo)電溝道-N溝道。

(3)VGS電壓:柵極G-源極S施加大于開通閾值的正電壓,正電壓的電場力吸引電子,排斥空穴,從而讓源極S填充電子,形成D-S的電子導(dǎo)電溝道

N溝道MOSFET

P溝道MOSFET:

(1)虛線:代表導(dǎo)電溝道,同時(shí)也表示在門極不加電壓的情況下,導(dǎo)電溝道是斷開狀態(tài),器件不導(dǎo)通,器件是常閉狀態(tài),虛線的含義就是表示斷開。

(2)向外的箭頭:表示了加上柵極電壓后溝道中電子運(yùn)動方向,電子向外被排斥運(yùn)動,空穴被吸引至溝道,從而溝道被空穴填形成空穴型導(dǎo)電溝道-P溝道。

(3)VSG電壓:源極S-柵極G施加大于開通閾值的正電壓,正電壓的電場力吸引空穴,排斥電子,從而讓源極S填充空穴,形成S-D的空穴導(dǎo)電溝道

P溝道MOSFET圖解

2、對于耗盡型溝道的MOSFET,區(qū)別在于溝道線是實(shí)線,表示在門極不加電壓的情況下,導(dǎo)電溝道已經(jīng)形成,器件是常開狀態(tài),實(shí)線的含義就是表示閉合。

耗盡型MOSFET

增強(qiáng)型MOSFET我們在電路設(shè)計(jì)中用的最多,需要掌握。

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