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如何最大限度減小電源設(shè)計(jì)中輸出電容的數(shù)量和尺寸?

jf_pJlTbmA9 ? 來源:ADI亞德諾半導(dǎo)體 ? 作者:ADI亞德諾半導(dǎo)體 ? 2023-12-15 09:47 ? 次閱讀
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電源輸出電容一般是100 nF至100 μF的陶瓷電容,它們耗費(fèi)資金,占用空間,而且,在遇到交付瓶頸的時(shí)候還會難以獲得。所以,如何最大限度減小輸出電容的數(shù)量和尺寸,這個(gè)問題反復(fù)被提及。

輸出電容造成的影響

論及此問題,輸出電容的兩種影響至關(guān)重要:對輸出電壓紋波的影響,以及在負(fù)載瞬變后對輸出電壓的影響。

首先,我們來看一看輸出電容這個(gè)詞。這些電容一般安裝在電源的輸出端。但是,許多電力負(fù)載(電力消耗對象),例如FPGA,都需要使用一定數(shù)量的輸入電容。圖1顯示的是一種典型的包含負(fù)載和FPGA的電源設(shè)計(jì)。如果在電路板上,電壓生成電路和耗電電路之間的距離非常短,那么電源輸出電容和負(fù)載輸入電容之間的界限就會變得非常模糊。

wKgaomVdm0WAZhDzAABaUqpqBz8191.jpg

圖1. LTC3311 開關(guān)穩(wěn)壓器,包含所連接的FPGA對應(yīng)的輸出電容和輸入電容。

通常需要利用某種物理分隔方法來加以區(qū)分,而這會導(dǎo)致產(chǎn)生大量寄生電感(Llayout)。

電源輸出端的電容形成決定了降壓型(降壓)開關(guān)穩(wěn)壓器的電壓紋波。此時(shí),經(jīng)驗(yàn)法則適用:輸出紋波電壓等于電感紋波電流 X 輸出電容的電阻。

wKgZomVdm0aAPqirAAAQJvxVcyI116.jpg

這個(gè)電阻ZCout由電容的大小和數(shù)量,以及等效串聯(lián)電阻(ESR)和等效串聯(lián)電感(ESL)組成。如果電源輸出端只有一個(gè)電容,此公式高度適用。如果是更為復(fù)雜的情況(參見圖1),其中包含多個(gè)并聯(lián)電容,且因?yàn)椴季?Llayout)的原因產(chǎn)生了串聯(lián)電感,那么計(jì)算不會如此簡單。

在這種情況下,非常適合使用LTspice?這樣的模擬工具。圖2所示為針對圖1提到的情況快速創(chuàng)建的電路圖??梢詫⒉煌担ò‥SR和ESL)設(shè)置給單個(gè)電容。也可以考慮板布局(例如Llayout)可能產(chǎn)生的影響。然后,會仿真開關(guān)穩(wěn)壓器輸出端和負(fù)載輸入端的電壓紋波。

wKgaomVdm0iAUL6dAACHp2bh4rw033.jpg

圖2. 使用LTspice評估系統(tǒng)電源輸出端的不同電容。

輸出電容也會影響負(fù)載瞬變后的輸出電壓失調(diào)。我們也可以使用LTspice仿真這一影響。此時(shí),特別需要注意的是,在某些限制范圍內(nèi),電源控制環(huán)路的控制速度和輸出電容的電感是相互關(guān)聯(lián)的。電源控制環(huán)路的速度如果更快,那么在負(fù)載瞬變之后,只需要更少數(shù)量的輸出電容即可保持在特定的輸出控制窗口之內(nèi)。

最后但同樣重要的一點(diǎn)是,vvv具有自適應(yīng)電壓定位(AVP)。AVP可以利用輸入誤差電壓預(yù)算并減少輸出電容器的數(shù)量,此外,設(shè)計(jì)人員還可以通過增加環(huán)路帶寬來實(shí)現(xiàn)減少輸出電容的數(shù)量。

AVP在低負(fù)載條件下稍微增大輸出電壓,在高負(fù)載條件下稍微降低輸出電壓。然后,如果發(fā)生負(fù)載瞬變,則更多動(dòng)態(tài)輸出電壓偏差都發(fā)生在允許的輸出電壓范圍內(nèi)。

建議使用ADI公司的LTpowerCAD?來找出哪些控制環(huán)路可以優(yōu)化,以及可以減少多少個(gè)輸出電容。圖3所示為計(jì)算控制速度的屏幕截圖。其中顯示了在負(fù)載瞬變后計(jì)算得出的電壓過沖??梢酝ㄟ^改變輸出電容、調(diào)節(jié)開關(guān)穩(wěn)壓器控制環(huán)路的速度來進(jìn)行優(yōu)化。

wKgaomVdm06AB0IyAAH1x7mBsBM373.jpg

圖3. 使用LTpowerCAD優(yōu)化開關(guān)穩(wěn)壓器的控制環(huán)路,以及減少輸出電容的數(shù)量。

確定正確的參數(shù)后,即可減少電源中輸出電容的數(shù)量,如此可以節(jié)省資金和板空間,我們建議大家使用這個(gè)開發(fā)步驟。

文章來源:ADI亞德諾半導(dǎo)體

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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