哈哈哈哈哈操欧洲电影,久草网在线,亚洲久久熟女熟妇视频,麻豆精品色,久久福利在线视频,日韩中文字幕的,淫乱毛视频一区,亚洲成人一二三,中文人妻日韩精品电影

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀(guān)看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

京瓷利用SN氮化硅材料研發(fā)高性能FTIR光源

KYOCERA京瓷中國(guó)商貿(mào) ? 來(lái)源:KYOCERA京瓷中國(guó)商貿(mào) ? 2023-12-15 09:18 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

京瓷成功研發(fā)高性能FTIR用SN光源

紅外輻射率更高,耐用性超過(guò)15萬(wàn)次

京瓷株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱(chēng)京瓷)成功研發(fā)用于FTIR※的氮化硅(Silicon Nitride,以下簡(jiǎn)稱(chēng)SN)高性能光源。

多年來(lái),京瓷一直使用氮化硅材料開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)用于柴油發(fā)動(dòng)機(jī)啟動(dòng)預(yù)熱的預(yù)熱塞。我們將在汽車(chē)零部件領(lǐng)域所積累的高可靠性技術(shù)應(yīng)用到FTIR光源的研發(fā),成功開(kāi)發(fā)出具有優(yōu)異性能、紅外輻射強(qiáng)度高的SN光源,以實(shí)現(xiàn)更精確的物質(zhì)識(shí)別。此外,京瓷的SN材料擁有優(yōu)異的耐用可靠性,可以降低設(shè)備故障率,減少維護(hù)時(shí)間。

※FTIR即傅立葉變換紅外光譜儀(Fourier Transform Infrared Spectroscopy)。該分析儀是通過(guò)向樣品照射紅外光,測(cè)量紅外光透射或反射率,再對(duì)照不同物質(zhì)對(duì)紅外光的透射和反射率,來(lái)分析其分子、成分的構(gòu)成。

京瓷高性能FTIR SN光源的特點(diǎn)

01 結(jié)構(gòu)緊湊,可根據(jù)客戶(hù)要求進(jìn)行定制

京瓷的SN光源是在氮化硅陶瓷中嵌入發(fā)熱體的構(gòu)造。發(fā)熱體可自由設(shè)計(jì),因此可以根據(jù)客戶(hù)的需求,對(duì)功率、工作溫度、加熱面積等進(jìn)行定制。

02 紅外輻射強(qiáng)度高

相較于常規(guī)使用的碳化硅(SiC)陶瓷材料,京瓷的SN光源具有更高的紅外輻射強(qiáng)度(見(jiàn)圖1)。FTIR設(shè)備使用SN光源更強(qiáng)的紅外輻射,能更準(zhǔn)確的識(shí)別物質(zhì)。

e2659fa0-9add-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

圖1:450℃時(shí)紅外線(xiàn)放射率

03 產(chǎn)品使用壽命長(zhǎng)

京瓷的SN光源是將發(fā)熱體密封在陶瓷內(nèi)部,能夠防止發(fā)熱體發(fā)生氧化。因此,即便使用15萬(wàn)次以上,也不會(huì)出現(xiàn)明顯的性能衰減,產(chǎn)品使用壽命長(zhǎng)。

e273ba36-9add-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

圖2:SN光源的循環(huán)測(cè)試數(shù)據(jù)

04 優(yōu)異的耐用可靠性

氮化硅材料有碳化硅兩倍以上的斷裂韌性※,并且還具有較高的耐熱沖擊性和耐磨性,因此在高溫時(shí)也有很好的強(qiáng)度。氮化硅材料制作的光源能夠有效防止裂紋和破損產(chǎn)生,在1350℃高溫時(shí)也具有出色的耐用可靠性。

※斷裂韌性是在材料表面或內(nèi)部產(chǎn)生裂紋的情況下,該材料防止裂紋擴(kuò)大或被破壞的一種性能指標(biāo)。

氮化硅
(SN 362)
碳化硅
(SC 1000)
斷裂韌性 MPa/√m 6 2~3







審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀(guān)點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • FTIR
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    38

    瀏覽量

    9354
  • 氮化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    106

    瀏覽量

    699

原文標(biāo)題:京瓷利用SN氮化硅材料研發(fā)高性能FTIR光源

文章出處:【微信號(hào):KYOCERA京瓷中國(guó),微信公眾號(hào):KYOCERA京瓷中國(guó)商貿(mào)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    氮化硅陶瓷水淬法ΔTc測(cè)定:抗熱震性能的工程化驗(yàn)證

    ? 一、從技術(shù)指標(biāo)切入:氮化硅的抗熱震底氣 氮化硅陶瓷在先進(jìn)結(jié)構(gòu)陶瓷中以卓越的抗熱震性能著稱(chēng)。采用水淬法進(jìn)行測(cè)試時(shí),氮化硅的臨界溫差ΔTc通常超過(guò)600-800°C,這意味著
    的頭像 發(fā)表于 04-18 07:20 ?295次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷水淬法ΔTc測(cè)定:抗熱震<b class='flag-5'>性能</b>的工程化驗(yàn)證

    技術(shù)突破與市場(chǎng)驗(yàn)證:氮化硅導(dǎo)電復(fù)合陶瓷的產(chǎn)業(yè)化路徑分析

    一、產(chǎn)品細(xì)節(jié)與技術(shù)指標(biāo) 氮化硅導(dǎo)電復(fù)合陶瓷的核心價(jià)值在于解決了傳統(tǒng)氮化硅陶瓷“高強(qiáng)絕緣”與“導(dǎo)電加工”難以兼得的矛盾。通過(guò)在氮化硅基體中引入TiN、TiZrN2或碳纖維等導(dǎo)電相,材料
    的頭像 發(fā)表于 03-27 09:23 ?128次閱讀
    技術(shù)突破與市場(chǎng)驗(yàn)證:<b class='flag-5'>氮化硅</b>導(dǎo)電復(fù)合陶瓷的產(chǎn)業(yè)化路徑分析

    氮化硅陶瓷限位塊:極端工況下的精密定位“隱形冠軍”

    隨著半導(dǎo)體設(shè)備、高端機(jī)械裝備及航空航天領(lǐng)域?qū)芏ㄎ慌c長(zhǎng)期可靠性的要求日益嚴(yán)苛,傳統(tǒng)金屬限位塊在耐磨性、熱穩(wěn)定性及真空潔凈度方面的短板愈發(fā)凸顯。氮化硅陶瓷憑借其全面的物理化學(xué)性能優(yōu)勢(shì),正在成為高端
    的頭像 發(fā)表于 03-24 11:07 ?293次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷限位塊:極端工況下的精密定位“隱形冠軍”

    技術(shù)突圍與市場(chǎng)破局:碳化硅焚燒爐內(nèi)膽的氮化硅陶瓷升級(jí)路徑

    ,市場(chǎng)對(duì)高性能內(nèi)膽的需求缺口正在放大。國(guó)內(nèi)部分技術(shù)領(lǐng)先的企業(yè)已開(kāi)始布局,例如海合精密陶瓷有限公司等具備先進(jìn)陶瓷制備能力的廠(chǎng)商,正通過(guò)優(yōu)化氮化硅-碳化硅復(fù)合材料的配方與燒結(jié)工藝,力圖在保
    發(fā)表于 03-20 11:23

    氮化硅陶瓷微波諧振腔基座:高透波性能引領(lǐng)工業(yè)創(chuàng)新

    高透波性能氮化硅陶瓷微波諧振腔陶瓷基座是現(xiàn)代高頻電子設(shè)備和微波系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件,其性能直接影響到微波信號(hào)的傳輸效率和系統(tǒng)穩(wěn)定性。這種基座材料氮化硅
    的頭像 發(fā)表于 01-23 12:31 ?354次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷微波諧振腔基座:高透波<b class='flag-5'>性能</b>引領(lǐng)工業(yè)創(chuàng)新

    氮化硅導(dǎo)電復(fù)合陶瓷:研磨拋光性能與應(yīng)用深度解析

    氮化硅導(dǎo)電復(fù)合陶瓷作為一種創(chuàng)新型工程材料,在研磨拋光領(lǐng)域憑借其獨(dú)特的物理化學(xué)性能,正逐步替代傳統(tǒng)陶瓷,成為高端工業(yè)應(yīng)用的關(guān)鍵選擇。海合精密陶瓷有限公司通過(guò)多年研發(fā),在該
    的頭像 發(fā)表于 01-20 07:49 ?300次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>導(dǎo)電復(fù)合陶瓷:研磨拋光<b class='flag-5'>性能</b>與應(yīng)用深度解析

    氮化硅陶瓷封裝基板:抗蠕變性能保障半導(dǎo)體長(zhǎng)效可靠

    的穩(wěn)定性。本文將分析氮化硅的物理化學(xué)性能,對(duì)比其他工業(yè)陶瓷材料的優(yōu)劣,介紹其生產(chǎn)制造過(guò)程,并探討適合的工業(yè)應(yīng)用。 ? 氮化硅陶瓷基板 氮化硅
    的頭像 發(fā)表于 01-17 08:31 ?1253次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷封裝基板:抗蠕變<b class='flag-5'>性能</b>保障半導(dǎo)體長(zhǎng)效可靠

    熱壓燒結(jié)氮化硅陶瓷手指:半導(dǎo)體封裝的性能突破

    半導(dǎo)體封裝作為集成電路制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié),對(duì)材料性能要求極為苛刻,尤其是在高溫、高應(yīng)力及精密操作環(huán)境中。熱壓燒結(jié)氮化硅陶瓷手指作為一種專(zhuān)用工具,以其獨(dú)特的物理化學(xué)性能,在芯片貼裝、引線(xiàn)鍵合
    的頭像 發(fā)表于 12-21 08:46 ?1861次閱讀
    熱壓燒結(jié)<b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷手指:半導(dǎo)體封裝的<b class='flag-5'>性能</b>突破

    高抗彎強(qiáng)度氮化硅陶瓷晶圓搬運(yùn)臂解析

    對(duì)比其他工業(yè)陶瓷材料的優(yōu)缺點(diǎn),接著介紹制品的生產(chǎn)制造過(guò)程及適用工業(yè)應(yīng)用,以展示其在現(xiàn)代科技中的重要性。 氮化硅陶瓷搬運(yùn)臂 氮化硅陶瓷的物理化學(xué)性能突出,主要體現(xiàn)在高強(qiáng)度、高硬度和優(yōu)異的
    的頭像 發(fā)表于 11-23 10:25 ?2348次閱讀
    高抗彎強(qiáng)度<b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷晶圓搬運(yùn)臂解析

    氮化硅陶瓷封裝基片

    問(wèn)題,為現(xiàn)代高性能電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行提供了堅(jiān)實(shí)的材料基礎(chǔ)。 ? 氮化硅陶瓷封裝基片 一、 氮化硅陶瓷基片的物理化學(xué)性能核心分析
    的頭像 發(fā)表于 08-05 07:24 ?1382次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷封裝基片

    熱壓燒結(jié)氮化硅陶瓷逆變器散熱基板

    )等還原性氣氛環(huán)境。氮化硅(Si3N4)陶瓷憑借其卓越的綜合性能,特別是優(yōu)異的耐還原性氣體能力,成為此類(lèi)嚴(yán)苛工況下的理想基板材料。 ? 氮化硅陶瓷基板 一、
    的頭像 發(fā)表于 08-03 11:37 ?1703次閱讀
    熱壓燒結(jié)<b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷逆變器散熱基板

    氮化硅陶瓷逆變器散熱基板:性能、對(duì)比與制造

    氮化硅(Si?N?)陶瓷以其卓越的綜合性能,成為現(xiàn)代大功率電子器件(如IGBT/SiC模塊)散熱基板的理想候選材料。
    的頭像 發(fā)表于 07-25 17:59 ?2122次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷逆變器散熱基板:<b class='flag-5'>性能</b>、對(duì)比與制造

    氮化硅陶瓷射頻功率器件載體:性能、對(duì)比與制造

    氮化硅陶瓷憑借其獨(dú)特的物理化學(xué)性能組合,已成為現(xiàn)代射頻功率器件載體的關(guān)鍵材料。其優(yōu)異的導(dǎo)熱性、絕緣性、機(jī)械強(qiáng)度及熱穩(wěn)定性,為高功率、高頻率電子設(shè)備提供了可靠的解決方案。 氮化硅陶瓷載體
    的頭像 發(fā)表于 07-12 10:17 ?1.5w次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷射頻功率器件載體:<b class='flag-5'>性能</b>、對(duì)比與制造

    化硅薄膜和氮化硅薄膜工藝詳解

    化硅薄膜和氮化硅薄膜是兩種在CMOS工藝中廣泛使用的介電層薄膜。
    的頭像 發(fā)表于 06-24 09:15 ?2494次閱讀
    氧<b class='flag-5'>化硅</b>薄膜和<b class='flag-5'>氮化硅</b>薄膜工藝詳解

    氮化硅在芯片制造中的核心作用

    在芯片制造這一復(fù)雜且精妙的領(lǐng)域中,氮化硅(SiNx)占據(jù)著極為重要的地位,絕大多數(shù)芯片的生產(chǎn)都離不開(kāi)它的參與。從其構(gòu)成來(lái)看,氮化硅屬于無(wú)機(jī)化合物,由硅元素與氮元素共同組成。這種看似普通的元素組合,卻蘊(yùn)含著諸多獨(dú)特的性質(zhì),在芯片制造流程里發(fā)揮著不可替代的作用 。
    的頭像 發(fā)表于 04-22 15:23 ?3343次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>在芯片制造中的核心作用
    滕州市| 阳泉市| 义马市| 邓州市| 枣庄市| 连江县| 滁州市| 锡林浩特市| 延安市| 荔波县| 紫金县| 定远县| 延庆县| 大关县| 万年县| 通州区| 临桂县| 和龙市| 姚安县| 潍坊市| 达尔| 陆川县| 阜宁县| 镇原县| 社旗县| 棋牌| 长沙县| 河东区| 沂源县| 佛坪县| 北安市| 江北区| 焉耆| 祁门县| 新竹市| 慈溪市| 凤山县| 张掖市| 新民市| 临朐县| 开阳县|