帶隙基準(zhǔn)的一階溫度補(bǔ)償如圖1所示,雙極型晶體管基極-發(fā)射極電壓差ΔVBE具有正溫度系數(shù),而雙極型晶體管基極-發(fā)射極電壓VBE具有負(fù)溫度系數(shù),如果將兩個(gè)電壓進(jìn)行相加,理論上就可以通過(guò)設(shè)計(jì)合適的參數(shù)實(shí)現(xiàn)接近于零溫度系數(shù)的電壓。而雙極型晶體管基極-發(fā)射極電壓VBE隨溫度的變化具有一定的非線性,因此產(chǎn)生的基準(zhǔn)電壓存在一定的曲率,如果對(duì)溫度漂移系數(shù)具有很高的要求,那么帶隙基準(zhǔn)的一階溫度補(bǔ)償就無(wú)能為力了。

圖1(來(lái)源于公開(kāi)資料)
帶隙基準(zhǔn)的高階溫度補(bǔ)償
02雙極型晶體管基極-發(fā)射極電壓VBE與溫度的函數(shù)關(guān)系如下:

其中帶隙電壓Vbandgap =E g /q;T0為絕對(duì)零度;η與溫度無(wú)關(guān);若流過(guò)雙極型晶體管的電流與溫度無(wú)關(guān),則x=0,若為PTAT電流,則x=1。可以看到該函數(shù)的第3項(xiàng)為一個(gè)對(duì)數(shù)項(xiàng),造成了V~BE~隨溫度的變化具有非線性。高階溫度補(bǔ)償?shù)哪康木褪窍ミ@一個(gè)對(duì)數(shù)項(xiàng)。
如圖2,是一個(gè)引入了高階溫度補(bǔ)償?shù)牡蛪簬痘鶞?zhǔn)。

圖2(來(lái)源于公開(kāi)資料)
除了流過(guò)R1的PTAP電流 IPTAT (R1的壓降為雙極型晶體管基極-發(fā)射極電壓差ΔV BE ,呈正溫度系數(shù))以及流過(guò)R2的CTAT電流 ICTAT (R2的壓降為雙極型晶體管基極-發(fā)射極電壓VBE ,呈負(fù)溫度系數(shù)),還存在一個(gè)對(duì)數(shù)項(xiàng)電流 INL 。
那么INL是如何產(chǎn)生的呢?我們?cè)俅文贸鲞@個(gè)函數(shù)式子:

Q1流過(guò)的是PTAT電流,則x=1;Q2流過(guò)的是與溫度無(wú)關(guān)的電流,則x=0。那么VBE3與VBE1之差就只剩對(duì)數(shù)項(xiàng):

R3上的壓降即VBE3 -V BE1 ,因此R3流過(guò)的電流為一非線性電流,與溫度呈對(duì)數(shù)關(guān)系:

以X或Y結(jié)點(diǎn)作為參考,可以得到輸出電流為PTAP、CTAT、非線性電流共同作用。

只要通過(guò)設(shè)計(jì)R2與R3的比值,就可以與VBE1中的對(duì)數(shù)項(xiàng)相抵消,實(shí)現(xiàn)高階溫度補(bǔ)償。
-
電流
+關(guān)注
關(guān)注
40文章
7224瀏覽量
141564 -
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
78文章
10432瀏覽量
148508 -
發(fā)射極
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
36瀏覽量
10461 -
帶隙基準(zhǔn)
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
5瀏覽量
9382
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
基于LDO穩(wěn)壓器的帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)
一種高精度BiCMOS電流模帶隙基準(zhǔn)電路設(shè)計(jì)
如何去設(shè)計(jì)一種運(yùn)用曲率補(bǔ)償的帶隙基準(zhǔn)源電路?
帶隙基準(zhǔn)是什么?帶隙基準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)是由哪些部分組成的?
一種高精度BiCMOS帶隙電壓基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)
基于汽車環(huán)境的帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)
新型電流模式曲率補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)源設(shè)計(jì)
一種高精度帶隙基準(zhǔn)源
cmos帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)
帶隙基準(zhǔn)是什么_帶隙基準(zhǔn)電路的優(yōu)點(diǎn)
帶隙基準(zhǔn)的高階溫度補(bǔ)償
評(píng)論