近日，國內(nèi)有2個氮化鎵項目公布新進展，合計投資金額達6000萬元。

遠創(chuàng)達、江南大學

新增2個GaN射頻項目

近日，新增的2個GaN相關項目的實施主體分別為遠創(chuàng)達、江南大學，合計投資金額達6000萬元。

●遠創(chuàng)達GaN射頻項目

1月9日，蘇州遠創(chuàng)達科技有限公司對外公示了《年產(chǎn)GaN及LDMOS射頻高功率半導體封裝器件100萬顆項目》的環(huán)保驗收情況，公示期為2024年1月4日-2月1日。

據(jù)了解，該項目總投資3500萬元，建設于蘇州工業(yè)園區(qū)，項目建成后，將年產(chǎn)100萬顆GaN及LDMOS射頻高功率半導體封裝器件。

蘇州遠創(chuàng)達科技有限公司成立于2008年8月，主要從事射頻高功率LDMOS半導體技術和產(chǎn)品的開發(fā)和生產(chǎn)?！靶屑艺f三代半”了解到，蘇州遠創(chuàng)達科技的主要供應商是蘇州英諾迅科技股份有限公司。

●江南大學獲批GaN重點項目

近日，江蘇省2023年度項目立項名單公示，其中江南大學“氮化鎵微波毫米波無線能量轉(zhuǎn)換芯片關鍵技術研發(fā)”項目獲得立項，項目總預算2500萬元，省財經(jīng)費支持1000萬元。

據(jù)介紹，該項目由江南大學物聯(lián)網(wǎng)工程學院敖金平教授團隊牽頭組織，聯(lián)合蘇州實驗室、蘇州納維科技有限公司、中國電子科技集團公司第五十五研究所、無錫華潤安盛科技有限公司、南京大學、江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司共同參與，擬在氮化鎵基微波毫米波無線能量轉(zhuǎn)換芯片相關方面取得突破性進展，實現(xiàn)關鍵技術從“實驗室”走向“生產(chǎn)線”。

目前，江南大學建有寬帶隙/超寬禁帶半導體材料與器件實驗室，擁有材料生長和器件工藝超凈間，器件制備用的光刻機、等離子體刻蝕機、磁控濺射臺、快速熱退火系統(tǒng)等全套工藝設備，具有完整的材料生長、器件制備及測試評價能力。

2024年以來

還有3起GaN項目公布動態(tài)

今年1月，國內(nèi)還有3起GaN項目同時迎來新動態(tài)：

● 芯睿半導體氮化鎵晶圓廠項目：該項目簽約落地福州新區(qū)，由福建芯睿半導體有限公司建設。目前該項目還未披露更多信息，“行家說三代半”將持續(xù)跟進該項目進展，敬請關注。

● 福州半導體氮化鎵外延片項目：該項目簽約落地福州新區(qū)，由福州鎵谷半導體有限公司建設，主營第三代半導體的研發(fā)與生產(chǎn)，預計投入10億元，用地86畝，達產(chǎn)后年產(chǎn)能24萬片，產(chǎn)值數(shù)十億元，上市市值可達數(shù)百億元。

● 國微納總部項目：該項目簽約落地蘇州高新區(qū)，由蘇州國微納半導體設備有限公司建設，總投資近7億元，旨在打造第三代半導體氮化鎵及碳化硅外延設備總部基地。

審核編輯：劉清