英飛凌推出新型SSO10T TSC頂部冷卻封裝
英飛凌科技近日發(fā)布了一款采用OptiMOS? MOSFET技術(shù)的SSO10T TSC封裝。這款封裝憑借其獨(dú)特的頂部直接冷卻技術(shù)，為汽車電子控制單元提供了卓越的散熱性能，有效防止熱量傳遞至印刷電路板（PCB）。
SSO10T TSC封裝的設(shè)計(jì)簡潔且緊湊，支持雙面PCB布局，進(jìn)一步簡化了汽車電源設(shè)計(jì)。其高效散熱特性有助于降低汽車電源設(shè)計(jì)的冷卻需求，從而降低了系統(tǒng)成本。
這款新型封裝適用于多種應(yīng)用，包括電動助力轉(zhuǎn)向（EPS）、電子機(jī)械制動（EMB）、配電系統(tǒng)、無刷直流驅(qū)動器（BLDC）、安全開關(guān)、反向電池和DCDC轉(zhuǎn)換器等。英飛凌科技的這一創(chuàng)新舉措，再次證明了其在半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
英飛凌
+關(guān)注
關(guān)注
68文章
2560瀏覽量
143133 -
封裝
+關(guān)注
關(guān)注
128文章
9317瀏覽量
149027
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
頂部冷卻（TOLT）封裝：重塑高密度AI機(jī)柜的導(dǎo)熱路徑與電學(xué)架構(gòu)
頂部冷卻（TOLT）封裝：重塑高密度AI機(jī)柜的導(dǎo)熱路徑與電學(xué)架構(gòu) 1. 引言：2026年人工智能算力硬件的功率密度悖論與破局 隨著全球技術(shù)基礎(chǔ)設(shè)施深度邁入超大規(guī)模生成式人工智能（AI）時(shí)代，數(shù)據(jù)中心
巧妙分離電氣通路與散熱通路的碳化硅Q-DPAK頂部散熱封裝，實(shí)現(xiàn)極致功率密度
英飛凌CoolSiCMOSFET1200VG2系列產(chǎn)品采用先進(jìn)的Q-DPAK頂部冷卻封裝，針對高功率密度與高溫運(yùn)行場景優(yōu)化設(shè)計(jì)，適用于電動汽車充電、光伏、UPS、固態(tài)斷路器、工業(yè)驅(qū)動及
Wolfspeed發(fā)布新一代TOLT頂部散熱封裝產(chǎn)品組合
Wolfspeed 計(jì)劃發(fā)布三個(gè)頂部散熱封裝系列產(chǎn)品。在推出首個(gè)頂部散熱 U2 產(chǎn)品組合之后，Wolfspeed發(fā)布第二個(gè)頂部散熱 TOLT
英飛凌推出新一代USB 2.0外設(shè)控制器EZ-USB? FX2G3
1月27日，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日推出新一代USB 2.0外設(shè)控制器EZ-USB? FX2G3，該產(chǎn)品可為USB設(shè)備帶來卓越的性能、強(qiáng)大的安全性與先進(jìn)的能效
發(fā)表于 01-27 13:42
?1622次閱讀
頂部散熱封裝QDPAK安裝指南
由于QDPAK封裝是英飛凌新一代大功率產(chǎn)品的表貼頂部散熱產(chǎn)品，其安裝方式有所不同，所以針對其安裝方式做一些詳細(xì)的介紹。如下圖，英飛凌針對600V以上高壓器件
QDPAK頂部散熱封裝簡介
不久前推出的QDPAK封裝也是目前英飛凌量產(chǎn)的封裝中最大尺寸的頂部散熱產(chǎn)品。QDPAK封裝目前包
安森美推出采用T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET
安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON)宣布推出采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET，為汽車和工業(yè)應(yīng)
英飛凌推出專為高功率與計(jì)算密集型應(yīng)用而設(shè)計(jì)的400V和440V MOSFET
【2025年10月24日, 德國慕尼黑訊】 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）通過增加頂部散熱（TSC）的T
TSC封裝：功率器件冰涼體驗(yàn)
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 頂部散熱（TSC）封裝在今年受到市場歡迎，在年中的上海慕尼黑展上我們注意到多家廠商推出了TSC
英飛凌推出采用Q-DPAK 封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2，將工業(yè)應(yīng)用功率密度提升至新高度
【2025年8月1日，德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPA
Wolfspeed推出新型頂部散熱（TSC）碳化硅MOSFET和肖特基二極管，優(yōu)化熱管理并節(jié)約能耗
Wolfspeed 推出新型頂部散熱（TSC） 碳化硅 MOSFET 和肖特基二極管 優(yōu)化熱管理并節(jié)約能耗 Wolfspeed 正在擴(kuò)展其行業(yè)領(lǐng)先的碳化硅（SiC）MOSFET 和肖特基二極管分立
Wolfspeed推SiC MOSFET/SBD新品：頂部散熱封裝
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近Wolfspeed的破產(chǎn)消息給業(yè)界帶來了不小的震撼，雖然在資本層面面臨危機(jī)，不過Wolfspeed當(dāng)前的業(yè)務(wù)還是在正常推進(jìn)的。Wolfspeed本周推出了新型的頂部散熱
新品 | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET
新品采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飛凌采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200V
JSAB推出應(yīng)用于工業(yè)伺服及變頻的頂部散熱TO-263T單管
JSAB正式推出應(yīng)用于工業(yè)伺服及變頻的頂部散熱TO-263T單管，產(chǎn)品采用TO-263T 4L封裝，封裝
英飛凌推出新型CoolSiC? JFET技術(shù)，實(shí)現(xiàn)更加智能、快速的固態(tài)配電
為推動下一代固態(tài)配電系統(tǒng)的發(fā)展，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出了新型CoolSiCJFET產(chǎn)品系列。新系列產(chǎn)品擁有
評論