YLB開(kāi)放式耳機(jī)的市場(chǎng)份額已經(jīng)從一年前的7%大幅上漲至14%。盡管傳統(tǒng)真無(wú)線耳機(jī)的地位在目前還無(wú)法被撼動(dòng),但開(kāi)放式耳機(jī),也最有可能成為真無(wú)線耳機(jī)未來(lái)最大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。作為芯片供應(yīng)商,深圳銀聯(lián)寶科技一直關(guān)注電子產(chǎn)品市場(chǎng),并與多家廠商達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議,提供品質(zhì)優(yōu)良、多模式、恒流恒壓原邊控制功率開(kāi)關(guān)電源芯片,比如接下來(lái)要介紹的U6776D!
開(kāi)關(guān)電源芯片U6776D是一款高性能原邊控制器,可提供高精度恒壓和恒流輸出性能,尤其適合于小功率離線式充電器應(yīng)用中。同時(shí),U6776D也支持準(zhǔn)諧振降壓型LED恒流、恒壓輸出應(yīng)用,僅需將SEL管腳短接到GND管腳即可。
&應(yīng)用領(lǐng)域:
手機(jī)充電器
LED 照明驅(qū)動(dòng)
&典型功率推薦:
175--264Vac:36W
85 -- 264Vac:30W
開(kāi)關(guān)電源芯片U6776D管腳名稱如下:
1 VDD 芯片供電腳。
2 SEL 降壓型或反激型拓?fù)渑渲霉苣_。SEL懸空,反激原邊控制;SEL短接至GND,準(zhǔn)諧振降壓型控制
3 FB 系統(tǒng)反饋管腳。輔助繞組電壓經(jīng)電阻分壓后送至FB管腳,用于CV模式輸出電壓控制及CC模式輸出電流控制。
4 CS 電流采樣輸入腳。
5.6 Drain 內(nèi)置功率 MOSFET 漏極。
7 GND 芯片參考地。
開(kāi)關(guān)電源芯片U6776D主要特性:
&集成 650V MOSFET
&支持反激和降壓型拓?fù)鋺?yīng)用
&反激原邊控制(SEL 管腳懸空)
&準(zhǔn)諧振降壓控制 (SEL= GND)
&±4% 恒流、恒壓精度
&待機(jī)功耗<70mW
&多模式原邊控制方式
&工作無(wú)異音
&優(yōu)化的動(dòng)態(tài)響應(yīng)
&可調(diào)式線損補(bǔ)償
&集成線電壓和負(fù)載電壓的恒流補(bǔ)償
&集成完善的保護(hù)功能
短路保護(hù) (SLP)
過(guò)溫保護(hù) (OTP)
逐周期限流保護(hù) (OCP)
前沿消隱 (LEB)
管腳懸空保護(hù)
VDD過(guò)欠壓保護(hù)和箝位保護(hù)
&封裝形式 DIP-7
-
功率開(kāi)關(guān)
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
217瀏覽量
27451 -
無(wú)線耳機(jī)
+關(guān)注
關(guān)注
6文章
3272瀏覽量
51779 -
電源芯片
+關(guān)注
關(guān)注
43文章
1401瀏覽量
83264
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
解析 onsemi NTBLS1D7N08H 單通道 N 溝道功率 MOSFET
合科泰MOSFET選型中7N60與7N65的核心區(qū)別
Onsemi NTMFS0D7N04XL MOSFET:高效電源開(kāi)關(guān)的理想選擇
onsemi NTMTS0D7N04C N溝道MOSFET:高效功率解決方案
探索 onsemi NTMYS7D3N04CL 單通道 N 溝道功率 MOSFET
Onsemi NVMTS0D7N06C N溝道功率MOSFET的特性與應(yīng)用分析
NVMJD4D7N04CL雙N溝道功率MOSFET:緊湊設(shè)計(jì)與高性能的完美結(jié)合
onsemi FDB1D7N10CL7:100V N溝道屏蔽柵功率MOSFET的卓越性能與應(yīng)用
Onsemi FCH190N65F MOSFET:高效開(kāi)關(guān)電源的理想之選
onsemi FCH077N65F MOSFET:高性能開(kāi)關(guān)電源的理想之選
TLAC12/300D開(kāi)關(guān)電源模塊現(xiàn)貨庫(kù)存
選型手冊(cè):MOT7N65AF N 溝道功率 MOSFET 晶體管
選型手冊(cè):MOT7N65AC 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
選型手冊(cè):MOT7N70D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
內(nèi)置7N65功率開(kāi)關(guān)電源芯片U6776D封裝形式DIP-7
評(píng)論