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SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二極管和雙二極管模塊

深圳市浮思特科技有限公司 ? 2024-06-14 11:36 ? 次閱讀
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近日,半導體器件領(lǐng)域企業(yè)SemiQ宣布,其QSiC?產(chǎn)品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二極管和雙二極管模塊。這一創(chuàng)新舉措旨在滿足包括開關(guān)電源(SMPS)、不間斷電源(UPS)、電動汽車(EV)充電站在內(nèi)的多種高要求應用場景在尺寸和功率上的嚴格標準。

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這款新推出的SiC肖特基二極管技術(shù)亮點在于其無反向恢復電流的特性,這意味著開關(guān)過程中的損耗極低。此外,該二極管在熱管理方面的改進也令人矚目,有助于降低系統(tǒng)冷卻需求,使工程師能夠設(shè)計出更高效、性能更優(yōu)的電源系統(tǒng)。通過減少系統(tǒng)產(chǎn)生的熱量,這些器件允許使用更小的散熱器,從而節(jié)省了成本和空間。

具體而言,SemiQ推出的GP3D050B170X(裸片)和GP3D050B170B(TO-247-2L封裝)分立二極管,在最大正向電流方面分別達到了110A和151A。其設(shè)計支持簡單的并聯(lián)配置,為電源應用提供了更高的靈活性和可擴展性。

同時,GHXS050B170S-D3和GHXS100B170S-D3雙二極管模塊,采用SOT-227封裝,每個組件的最大正向電流分別為110A和214A,能夠滿足更高功率輸出的需求。

這些SiC二極管在高頻下的性能尤為出色,低損耗和低電磁干擾(EMI)的操作特性使它們成為提高能源效率和可靠性的理想選擇。其內(nèi)部隔離封裝(AIN)提供了出色的絕緣和導熱性,結(jié)和外殼之間的低熱阻確保了即使在高功率水平下也能保持穩(wěn)定性。此外,正向電壓(Vf)的正溫度系數(shù)(Tc)特性有助于模塊的并聯(lián)使用,進一步增強了系統(tǒng)的靈活性和可靠性。

SemiQ表示,這些新開發(fā)的1,700V SiC二極管在功率效率和可靠性方面取得了重大進步。QSiC?二極管的設(shè)計緊湊且靈活,運行損耗低,熱管理出色,為客戶開發(fā)先進且高性能的解決方案提供了有力支持。所有組件均經(jīng)過嚴格的電壓測試和雪崩測試,確保了其卓越的性能和可靠性。

隨著電動汽車和可再生能源技術(shù)的快速發(fā)展,對高效、可靠的電力電子器件的需求不斷增長。SemiQ此次推出的1,700V SiC肖特基二極管,無疑將為電源和電動汽車充電站等領(lǐng)域帶來更加出色的性能和效率提升。

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