近日，中國臺灣和遼寧省分別傳來好消息，兩家新的SiC（碳化硅）襯底工廠正式落成或正在積極推進中，合計年產(chǎn)能將達到7.2萬片。

在中國臺灣，SiC新玩家格棋化合物半導體于10月23日舉行了新工廠的落成典禮。該工廠位于桃園中壢區(qū)，總投資金額達6億新臺幣（約合1.33億人民幣）。預計2024年第四季度，該工廠的6吋碳化硅襯底月產(chǎn)能將達到5000片。此外，格棋還計劃在新廠內(nèi)安裝20臺8吋長晶爐和100臺6吋長晶爐，以大幅提升整體產(chǎn)能。

在落成儀式上，格棋與臺灣中科院及日本三菱簽署了合作協(xié)議。與中科院的合作將共同開發(fā)高頻通訊用碳化硅組件，為5G/B5G通訊基礎建設提供關鍵組件。而與三菱的合作則致力于擴大日本消費類和車用市場的SiC產(chǎn)品布局。格棋成立于2022年，團隊成員在第三代化合物半導體領域擁有超過10年的經(jīng)驗。今年10月，格棋還成功完成了15億新臺幣（約合3.33億人民幣）的A輪融資。

與此同時，在遼寧省，奧億達新材料股份有限公司正在積極推進年產(chǎn)1000噸瀝青基碳纖維和500噸熱場隔熱材料的一體化生產(chǎn)及研發(fā)中心建設項目。該項目計劃總投資4.52億元，占地面積達8.5萬平方米。預計在今年10月中旬完成廠房與附屬設施建設，并在明年年初正式達產(chǎn)。項目達產(chǎn)后，預計實現(xiàn)營業(yè)收入約3.3億元，年稅后利潤總額1.7億元，并提供329個就業(yè)崗位。

奧億達新材料成立于2011年，已形成了“石油瀝青-瀝青基碳纖維－熱場材料”全產(chǎn)業(yè)鏈布局。在第三代SiC半導體晶體與外延生長領域，奧億達新材料率先打破了國外企業(yè)在半導體熱場隔熱材料領域的壟斷，填補了國內(nèi)空白。此外，奧億達新材料還已正式參編《2024碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》，將與眾多行業(yè)企業(yè)一起深入剖析碳化硅產(chǎn)業(yè)脈絡。

這兩家新工廠的落成和推進，無疑將為中國SiC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入新的動力。