雖然 WAT測(cè)試類型非常多，不過(guò)業(yè)界對(duì)于 WAT測(cè)試類型都有一個(gè)明確的要求，就是包括該工藝技術(shù)平臺(tái)所有的有源器件和無(wú)源器件的典型尺寸。芯片代工廠會(huì)依據(jù)這些典型尺寸的特點(diǎn)，制定一套 WAT 參數(shù)，或者一份 PCM文件或者電性設(shè)計(jì)規(guī)則（Electrical DesignRule，EDR）給客戶作為設(shè)計(jì)階段的參考。

以CMOS 工藝技術(shù)平臺(tái)的 WAT測(cè)試類型為例，圖5-2所示，是WAT 測(cè)試類型的幾種簡(jiǎn)單電路示意圖。根據(jù)CMOS 工藝技術(shù)平臺(tái)的特點(diǎn)，可以把WAT測(cè)試類型分為8大類：MOS晶體管、柵氧化層的完整性（Gate Oxide Integrity,GOI）、多晶硅柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Poly Field Device）和第1層金屬柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metall Field Device）、n 型結(jié)（n-diode 結(jié)構(gòu)）和p型結(jié)（p-diode 結(jié)構(gòu)）、方塊電阻Rs（Sheet Resistance）、接觸電阻 Rc（Contact Resist-ance）、隔離、金屬電容（MIM Capacitor）和多晶硅電容（PIP Capacitor）。

1） MOS 晶體管包括低壓 NMOS 和 PMOS，以及中壓 NMOS 和 PMOS，它的參數(shù)見(jiàn)表5-1。

2）柵氧化層完整性，它的參數(shù)見(jiàn)表5-2。

3）多晶硅柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管和第1層金屬柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它的參數(shù)見(jiàn)表5-3。

4） n 型結(jié)和p型結(jié)，它的參數(shù)見(jiàn)表5-4。

5）方塊電阻 Rs，它的參數(shù)見(jiàn)表5-5。

6）接觸電阻 Rc，它的參數(shù)見(jiàn)表5-6。

7）隔離，它的參數(shù)見(jiàn)表5-7。

8）金屬電容和多晶硅電容，它的參數(shù)見(jiàn)表5-8。