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多品牌上車(chē)應(yīng)用,SiC想象空間有多大?

Big-Bit商務(wù)網(wǎng) ? 來(lái)源:Big-Bit商務(wù)網(wǎng) ? 作者:Big-Bit商務(wù)網(wǎng) ? 2025-01-08 17:23 ? 次閱讀
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全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,成為半導(dǎo)體技術(shù)研究的前沿和產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)。在新能源汽車(chē)等應(yīng)用市場(chǎng)快速發(fā)展的推動(dòng)下,國(guó)內(nèi)外廠商正在積極布局碳化硅業(yè)務(wù),發(fā)展前景究竟如何?

隨著全球科技的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體行業(yè)正迎來(lái)一場(chǎng)革命性的變革。第三代半導(dǎo)體材料,以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用前景,正逐漸成為推動(dòng)這一變革的核心力量。

第三代半導(dǎo)體是指以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。與前兩代半導(dǎo)體材料相比,第三代半導(dǎo)體具備高頻、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能,在新能源車(chē)、光伏、風(fēng)電、5G基站、高鐵等領(lǐng)域有著很大應(yīng)用潛力,引領(lǐng)著電子器件向更高效率、更高性能的方向發(fā)展。

以碳化硅為例,2024年國(guó)內(nèi)外碳化硅領(lǐng)域發(fā)展現(xiàn)狀是怎樣的?企業(yè)投身碳化硅業(yè)務(wù)布局動(dòng)向如何?

01 | 新能源汽車(chē)市場(chǎng)推動(dòng)碳化硅快速發(fā)展

全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,正在成為半導(dǎo)體技術(shù)研究的前沿和產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)。

在宏觀政策的推動(dòng),以及隨著5G通信、新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,第三代半導(dǎo)體的市場(chǎng)需求持續(xù)增長(zhǎng)。

相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,2023年我國(guó)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模已經(jīng)達(dá)到152.15億元,預(yù)計(jì)2028年將增長(zhǎng)至583.17億元,年復(fù)合增長(zhǎng)率為30.83%。

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《半導(dǎo)體器件應(yīng)用網(wǎng)》整理自網(wǎng)絡(luò)

以第三代半導(dǎo)體中的碳化硅為例,得益于新能源汽車(chē)市場(chǎng)的爆發(fā),相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,2022-2027年碳化硅市場(chǎng)將保持快速增長(zhǎng);2027年后碳化硅市場(chǎng)增長(zhǎng)保持在47%年均增速,并且未來(lái)新能源車(chē)及光伏在整體碳化硅市場(chǎng)比例將維持在50%左右。

新能源汽車(chē)及相關(guān)充電設(shè)施是我國(guó)第三代半導(dǎo)體功率電子應(yīng)用最主要的市場(chǎng),占比超過(guò)70%,消費(fèi)電子PFC也是主要應(yīng)用市場(chǎng)。

全球主流供應(yīng)廠商發(fā)布的數(shù)據(jù)中,英飛凌在2024年Q3財(cái)報(bào)中表示,2024財(cái)年在碳化硅市場(chǎng)中實(shí)現(xiàn)了6.5億歐元的營(yíng)收,同比增長(zhǎng)30%以上,超過(guò)市場(chǎng)平均增速。并預(yù)計(jì)2025財(cái)年繼續(xù)保持兩位數(shù)的增長(zhǎng)。

安森美的碳化硅業(yè)務(wù)在電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的表現(xiàn)尤為突出,尤其是在中國(guó)市場(chǎng)的帶動(dòng)下,碳化硅業(yè)務(wù)取得了顯著增長(zhǎng)。2024年第三季度安森美在汽車(chē)業(yè)務(wù)方面實(shí)現(xiàn)了5%的環(huán)比增長(zhǎng),達(dá)9.51億美元,預(yù)計(jì)將以接近50%的市場(chǎng)份額結(jié)束2024年中國(guó)碳化硅市場(chǎng)布局。

意法半導(dǎo)體預(yù)計(jì)到2030年碳化硅市場(chǎng)相關(guān)收入將達(dá)到50億美元,占市場(chǎng)份額的30%以上。

從不同行業(yè)的滲透情況來(lái)看,800V高壓平臺(tái)的應(yīng)用推動(dòng)新能源汽成為碳化硅功率器件第一大爆發(fā)市場(chǎng)。據(jù)CASAResearch統(tǒng)計(jì),全球已經(jīng)有超過(guò)35家車(chē)企推出支持800V高壓平臺(tái)的車(chē)型,“800V+SiC”基本成為高端電動(dòng)汽車(chē)標(biāo)配。

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《半導(dǎo)體器件應(yīng)用網(wǎng)》整理自網(wǎng)絡(luò)

02 | 6英寸產(chǎn)線向8英寸發(fā)展,ST、英飛凌、安森美氮化鎵業(yè)務(wù)大單不斷

在碳化硅市場(chǎng)快速推動(dòng)下,國(guó)內(nèi)外布局第三代半導(dǎo)體的企業(yè)也越來(lái)越多。

從國(guó)外來(lái)看,意法半導(dǎo)體、安森美、英飛凌、Wolfspeed等頭部廠商都在積極布局碳化硅市場(chǎng)業(yè)務(wù)。

作為歐洲領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè),意法半導(dǎo)體在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上宣布將重新調(diào)整生產(chǎn)布局,加速300毫米硅片和200毫米碳化硅(SiC)片產(chǎn)能的擴(kuò)展,目標(biāo)在2026年底實(shí)現(xiàn)每周4000片的產(chǎn)能。

在Catania晶圓廠,意法半導(dǎo)體將重點(diǎn)推進(jìn)200毫米硅碳化物生產(chǎn),進(jìn)一步提升意法半導(dǎo)體在電動(dòng)汽車(chē)、AI數(shù)據(jù)中心等新興領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。

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Agrate晶圓廠 圖源:意法半導(dǎo)體

上個(gè)月,雷諾集團(tuán)創(chuàng)立的智能電動(dòng)汽車(chē)純制造商Ampere和意法半導(dǎo)體宣布雙方戰(zhàn)略合作的新一步,從 2026 年開(kāi)始,意法半導(dǎo)體和雷諾集團(tuán)將就碳化硅 (SiC) 功率模塊的供應(yīng)達(dá)成多年期協(xié)議,作為雙方在 Ampere 超高效電動(dòng)動(dòng)力系統(tǒng)逆變器電源箱方面合作的一部分。

Ampere 和意法半導(dǎo)體共同優(yōu)化了電源箱中的關(guān)鍵元件電源模塊,以利用 Ampere 在電動(dòng)汽車(chē)技術(shù)方面的專業(yè)知識(shí)和意法半導(dǎo)體在先進(jìn)電力電子方面的專業(yè)知識(shí),在電動(dòng)動(dòng)力系統(tǒng)中獲得最高性能和最佳競(jìng)爭(zhēng)力。

英飛凌也是SiC MOSFET模塊的關(guān)鍵玩家之一。

英飛凌與汽車(chē)制造商和能源解決方案開(kāi)發(fā)商建立了合作關(guān)系。例如,英飛凌與大眾汽車(chē)達(dá)成了戰(zhàn)略協(xié)議,為后者提供EliteSiC 1200V功率模塊,用于主牽引逆變器。起亞也在其電動(dòng)緊湊型跨界SUV EV6 GT中采用了英飛凌的EliteSiC系列。

同樣在2024年底,英飛凌與Stellantis官宣將共同開(kāi)發(fā)Stellantis電動(dòng)汽車(chē)的功率架構(gòu),助力Stellantis實(shí)現(xiàn)為大眾提供環(huán)保、安全、經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的出行方式這一遠(yuǎn)大目標(biāo)。其中合作包括:

-英飛凌的PROFET?智能功率開(kāi)關(guān)將取代傳統(tǒng)保險(xiǎn)絲,減少布線,并使Stellantis成為首批實(shí)施智能電網(wǎng)管理的汽車(chē)制造商之一。

-SiC半導(dǎo)體將支持Stellantis實(shí)現(xiàn)功率模塊標(biāo)準(zhǔn)化,提高電動(dòng)汽車(chē)的性能和效率,并降低成本。

英飛凌已經(jīng)暫緩了馬來(lái)西亞居林3號(hào)晶圓廠的擴(kuò)建,轉(zhuǎn)而向200nm碳化硅晶圓的快速過(guò)渡。

另一家半導(dǎo)體巨頭安森美也在發(fā)力第三代半導(dǎo)體,碳化硅在電動(dòng)汽車(chē)中的應(yīng)用為安森美開(kāi)辟了新的增長(zhǎng)空間。隨著中國(guó)800伏電動(dòng)汽車(chē)架構(gòu)的普及,安森美的1200伏M3e碳化硅解決方案已經(jīng)被中國(guó)主要的電動(dòng)汽車(chē)OEM采用。

安森美在碳化硅市場(chǎng)供應(yīng)鏈上通過(guò)將6英寸產(chǎn)線轉(zhuǎn)向8英寸,確保在不顯著增加成本的情況下提升產(chǎn)能。

03 | 首條國(guó)產(chǎn)8英寸碳化硅芯片生產(chǎn)線將投產(chǎn)!國(guó)內(nèi)廠商積極發(fā)力碳化硅領(lǐng)域!

國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體廠商也在積極發(fā)力碳化硅市場(chǎng)布局。

相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,2022年我國(guó)SiC襯底產(chǎn)能達(dá)到94萬(wàn)片/年(折合6英寸),外延產(chǎn)能達(dá)到84萬(wàn)片/年(折合6英寸),芯片/器件產(chǎn)能達(dá)到96萬(wàn)片/年,相較于2021年分別增加了30.6%、58.5%和62.7%。

2023年,我國(guó)碳化硅襯底、外延和芯片/器件產(chǎn)能分別達(dá)到120萬(wàn)片/年、115萬(wàn)片/年和144萬(wàn)片/年。

業(yè)界樂(lè)觀預(yù)計(jì),2024年中國(guó)碳化硅晶圓在全球的占比有望達(dá)到50%。目前,中國(guó)企業(yè)每月的總產(chǎn)能約為6萬(wàn)片,預(yù)計(jì)2024年月產(chǎn)能將達(dá)到12萬(wàn)片,年產(chǎn)能150萬(wàn)。

當(dāng)前,我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料初步形成了京津冀魯、長(zhǎng)三角、珠三角、閩三角、中西部等五大重點(diǎn)發(fā)展區(qū)域。其中,江蘇省第三代半導(dǎo)體代表性企業(yè)分布最多,如蘇州納維、晶湛半導(dǎo)體、英諾賽科等等。

國(guó)內(nèi)廠商也在積極布局碳化硅業(yè)務(wù)。

例如華潤(rùn)微電子作為專注于功率器件的IDM公司,在多年前就布局了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)?;谧陨砉杌骷O(shè)計(jì)、制造和銷(xiāo)售優(yōu)勢(shì),在國(guó)內(nèi)建設(shè)了第一條6吋碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)線,覆蓋從晶圓制造和成品封裝。

目前6吋的SiC和GaN晶圓線均已穩(wěn)定量產(chǎn),如碳化硅JBS、碳化硅MOS能比肩國(guó)際先進(jìn)水平,在消費(fèi)、工業(yè)和汽車(chē)領(lǐng)域的較多標(biāo)桿客戶批量出貨。

另一家代表性企業(yè)是三安光電。在碳化硅芯片領(lǐng)域,三安光電已分別在湖南、重慶兩地投建工廠,其中在重慶與意法半導(dǎo)體(中國(guó))投資有限公司合資投建的中西部地區(qū)第一條國(guó)產(chǎn)8英寸碳化硅芯片生產(chǎn)線預(yù)計(jì)將于2月底通線投片。

04 | 小結(jié)

回顧過(guò)去的一年,得益于市場(chǎng)增量,多家布局碳化硅業(yè)務(wù)的廠商取得了業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)。意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美等國(guó)內(nèi)外頭部半導(dǎo)體廠商紛紛加碼布局碳化硅,為碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體的未來(lái)前景注入了更多活力。

但是,目前碳化硅面臨著應(yīng)用市場(chǎng)的挑戰(zhàn):除新能源汽車(chē)外,碳化硅在其他應(yīng)用領(lǐng)域還沒(méi)有得到廣泛應(yīng)用,相對(duì)單一的市場(chǎng)也導(dǎo)致了當(dāng)下國(guó)內(nèi)碳化硅市場(chǎng)的內(nèi)卷局面。有數(shù)據(jù)顯示,2024年國(guó)內(nèi)在注銷(xiāo)了5千多家企業(yè)的基礎(chǔ)上,還有4千多家碳化硅企業(yè)存續(xù),內(nèi)卷程度可見(jiàn)一斑。

同時(shí),碳化硅行業(yè)快速發(fā)展仍有許多問(wèn)題待解決:碳化硅如何從8英寸轉(zhuǎn)向12英寸?碳化硅如何拓展更多應(yīng)用領(lǐng)域,以打造更大增量增量?在價(jià)格敏感的市場(chǎng)環(huán)境中,碳化硅如何做好成本控制?

雖然短期面臨著挑戰(zhàn),但從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看,碳化硅市場(chǎng)仍有巨大的增量空間,除新能源汽車(chē)外,光伏、軌道交通、數(shù)據(jù)中心等都存在較大市場(chǎng)開(kāi)發(fā)潛力。在市場(chǎng)和技術(shù)不斷發(fā)展的情況下,碳化硅有望迎來(lái)更廣闊的發(fā)展空間。

本文為嗶哥嗶特資訊原創(chuàng)文章,未經(jīng)允許和授權(quán),不得轉(zhuǎn)載

審核編輯 黃宇

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    0? 引言SiC-MOSFET 開(kāi)關(guān)模塊(簡(jiǎn)稱“SiC 模塊”)由于其高開(kāi)關(guān)速度、高耐壓、低損耗的特點(diǎn)特別適合于高頻、大功率的應(yīng)用場(chǎng)合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開(kāi)關(guān)速度更快
    發(fā)表于 04-23 11:25

    對(duì)比三款主驅(qū)逆變器,SiC和Si IGBT差距巨大!

    汽車(chē)市場(chǎng)的滲透率快速飆升。 ? 盡管我們經(jīng)常能夠看到SiC的優(yōu)勢(shì),但實(shí)際新能源汽車(chē)主驅(qū)應(yīng)用中,跟IGBT到底差別多大?為什么這么車(chē)企在短短幾年的時(shí)間內(nèi)紛紛切換到SiC?下面我們通過(guò)Y
    的頭像 發(fā)表于 04-21 09:08 ?2930次閱讀
    對(duì)比三款主驅(qū)逆變器,<b class='flag-5'>SiC</b>和Si IGBT差距巨大!
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