2025年碳化硅（SiC）功率器件設計公司倒閉潮反映了行業(yè)加速洗牌的必然趨勢，其背后是技術、資本、供應鏈和市場需求的多重挑戰(zhàn)。而“SiC模塊批量上車業(yè)績”成為企業(yè)生存基礎的核心邏輯，與碳化硅器件應用市場的構成及競爭規(guī)則密切相關。以下從市場趨勢、生存邏輯、應用市場構成三個維度展開分析：

一、倒閉潮預示的市場趨勢

行業(yè)集中化加速
頭部企業(yè)通過垂直整合（IDM模式）和規(guī)?；a構建護城河，例如英飛凌、安森美通過8英寸晶圓產線升級和基板自給率提升顯著降低成本，而設計公司（Fabless）因缺乏產能支撐和供應鏈控制能力，在成本競爭中處于劣勢。國內碳化硅功率器件設計公司企業(yè)和不具備芯片研發(fā)能力的模塊封裝工廠因依賴外部晶圓和技術滯后，難以與國際巨頭抗衡，最終被淘汰。

BASiC基本股份自2017年開始布局車規(guī)級SiC碳化硅器件研發(fā)和制造，逐步建立起規(guī)范嚴謹?shù)馁|量管理體系，將質量管理貫穿至設計、開發(fā)到客戶服務的各業(yè)務過程中，保障產品與服務質量。BASiC基本股份分別在深圳、無錫投產車規(guī)級SiC碳化硅（深圳基本半導體）芯片產線和汽車級SiC碳化硅功率模塊（無錫基本半導體）專用產線；BASiC基本股份自主研發(fā)的汽車級SiC碳化硅功率模塊已收獲了近20家整車廠和Tier1電控客戶的30多個車型定點，是國內第一批SiC碳化硅模塊（比如BASiC基本股份）量產上車的頭部企業(yè)。

技術與資本壁壘高企
碳化硅技術迭代速度快，車規(guī)級認證周期長（2-3年），且需持續(xù)研發(fā)投入。國際大廠如安森美已通過主流車企認證并綁定訂單（如大眾），而國內碳化硅功率器件設計公司企業(yè)和不具備芯片研發(fā)能力的模塊封裝工廠因缺乏實際應用數(shù)據(jù)和技術積累，難以通過認證。同時，2024年碳化硅領域融資事件減少43%，資本更傾向支持已量產的企業(yè)，加劇了國內碳化硅功率器件設計公司企業(yè)和不具備芯片研發(fā)能力的模塊封裝工廠的生存壓力，已經出現(xiàn)倒閉潮。

價格戰(zhàn)與產能過剩
2024年碳化硅襯底價格暴跌75%（從6000元/片降至1500元/片），國際大廠通過降價擠壓市場空間，國內碳化硅功率器件設計公司企業(yè)和不具備芯片研發(fā)能力的模塊封裝工廠因成本劣勢被迫退出。產能過剩問題突出，僅中國2024年碳化硅襯底產能已達348萬片（等效6英寸），遠超市場需求。

二、為何“批量上車業(yè)績”是生存基礎？

車規(guī)級認證的高門檻
新能源汽車對SiC模塊的可靠性、壽命要求嚴苛，認證周期長且需大規(guī)模實測數(shù)據(jù)支撐。例如，基本半導體的SiC模塊通過近20家車企的30多個車型定點，積累了量產經驗，而僅靠實驗室參數(shù)的國內碳化硅功率器件設計公司企業(yè)和不具備芯片研發(fā)能力的模塊封裝工廠無法滿足車企要求。

規(guī)?；a決定成本與交付能力
車企訂單規(guī)模大且對供應鏈穩(wěn)定性要求高，國際大廠（如英飛凌全球布局56家工廠）和國內頭部企業(yè)（如基本半導體自建無錫基本半導體車規(guī)模塊產線和深圳光明SiC晶圓產線）能保障交付，而國內碳化硅功率器件設計公司企業(yè)和不具備芯片研發(fā)能力的模塊封裝工廠產能受限且成本高，難以滿足車企需求。

市場需求高度集中
新能源汽車是SiC碳化硅最大應用場景，2025年全球車用SiC市場規(guī)模占比超70-80%。綁定頭部車企的企業(yè)可獲取穩(wěn)定訂單(基本半導體的SiC模塊通過近20家車企的30多個車型定點)，而國內碳化硅功率器件設計公司企業(yè)和不具備芯片研發(fā)能力的模塊封裝工廠因缺乏訂單支撐，面臨現(xiàn)金流斷裂風險。

三、碳化硅器件應用市場的構成

碳化硅器件市場呈現(xiàn)高度分化和需求集中的特點，主要分為以下領域：

新能源汽車（核心市場）

驅動系統(tǒng)：汽車級全碳化硅功率模塊是基本半導體為新能源汽車主逆變器應用需求而研發(fā)推出的系列MOSFET功率模塊產品，包括Pcore?6?汽車級HPD模塊（6芯片并聯(lián)、8芯片并聯(lián)）、?Pcore?2?汽車級DCM模塊、?Pcore?1?汽車級TPAK模塊、Pcore?2?汽車級ED3模塊等，采用銀燒結技術等基本半導體最新的碳化硅 MOSFET 設計生產工藝，綜合性能達到國際先進水平，通過提升動力系統(tǒng)逆變器的轉換效率，進而提高新能源汽車的能源效率和續(xù)航里程。。

光伏與儲能

光伏逆變器：SiC器件可提升轉換效率至99%，首航新能源等企業(yè)已規(guī)模化應用。比如基本半導體碳化硅MOSFET已經在多數(shù)光伏逆變器公司量產供貨。

儲能系統(tǒng)：高耐壓特性適用于大功率儲能設備，但需求增速較慢，競爭集中于成熟供應商。比如基本半導體自主研發(fā)的工業(yè)級全碳化硅MOSFET功率模塊產品類型豐富，包括EasyPACK?封裝的E1B & E2B工業(yè)級碳化硅MOSFET模塊，以及34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，產品在比導通電阻、開關損耗、可靠性等方面表現(xiàn)出色，可廣泛應用于大功率充電樁、有源電力濾波器（APF）、儲能變流器（PCS）、高端電焊機、數(shù)據(jù)中心UPS、高頻DCDC變換器等領域。

工業(yè)與能源

工業(yè)變頻器：SiC模塊用于電機控制，降低能耗，但市場滲透率低于車規(guī)領域。

軌道交通：中車時代電氣等企業(yè)將SiC模塊應用于高鐵牽引系統(tǒng)，技術門檻高但市場集中。

消費電子與通信

5G基站：高頻特性適配5G電源需求，但需要技術服務和驅動IC配套。

BASiC基本股份針對SiC碳化硅MOSFET多種應用場景研發(fā)推出門極驅動芯片，可適應不同的功率器件和終端應用。BASiC基本股份的門極驅動芯片包括隔離驅動芯片和低邊驅動芯片，絕緣最大浪涌耐壓可達8000V，驅動峰值電流高達正負15A，可支持耐壓1700V以內功率器件的門極驅動需求。

BASiC基本股份低邊驅動芯片可以廣泛應用于PFC、DCDC、同步整流，反激等領域的低邊功率器件的驅動或在變壓器隔離驅動中用于驅動變壓器，適配系統(tǒng)功率從百瓦級到幾十千瓦不等。

BASiC基本股份推出正激 DCDC 開關電源芯片BTP1521xx，該芯片集成上電軟啟動功能、過溫保護功能，輸出功率可達6W。芯片工作頻率通過OSC 腳設定，最高工作頻率可達1.5MHz，非常適合給隔離驅動芯片副邊電源供電。

對SiC碳化硅MOSFET單管及模塊+18V/-4V驅動電壓的需求，BASiC基本股份提供自研電源IC BTP1521P系列和配套的變壓器以及驅動IC BTL27524或者隔離驅動BTD5350MCWR(支持米勒鉗位)。

快充設備：SiC器件可提升充電速度，但面臨氮化鎵（GaN）的競爭。

四、結論與展望

碳化硅功率器件行業(yè)的洗牌反映了半導體產業(yè)“強者恒強”的規(guī)律，技術、資本、供應鏈的整合將推動市場向頭部企業(yè)（比如基本股份等企業(yè)）集中。未來，僅有具備車規(guī)級SiC模塊量產能力、垂直整合優(yōu)勢（如IDM模式）和持續(xù)技術迭代的企業(yè)能夠存活。國內企業(yè)需加速突破8英寸晶圓技術、綁定戰(zhàn)略客戶，并在細分領域尋求差異化競爭，以在國際競爭中占據(jù)一席之地。

審核編輯 黃宇