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南芯科技推出全集成同步雙向升降壓充電芯片SC8911

南芯半導體 ? 來源:南芯半導體 ? 2025-03-24 16:31 ? 次閱讀
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南芯科技(證券代碼:688484)宣布推出全集成同步雙向升降壓充電芯片 SC8911,該芯片配備 I2C 接口,專為常見的 2 串電池 30W 充電寶應用進行了效率優(yōu)化,可有效降低外殼溫升,為用戶提供更安全、更高效的充電體驗。SC8911 可支持 OTG 反向升壓功能,兼容涓流充電、預充電、恒流充電、恒壓充電、自動終止等多種模式,助力客戶實現(xiàn)更高的效率、更低的 BOM 成本和更小的 BOM 尺寸。

集成MOS方案,兼具三大亮點

在傳統(tǒng)升降壓控制器搭配外置 MOS 的方案中,由于布板限制,PCB 走線往往過長,導致功率管驅(qū)動速率受限,從而影響整體效率。相比之下,SC8911 采用高度集成化的設(shè)計,集成了 3 路 NMOS 驅(qū)動,兼具高效率、低成本、小尺寸三大亮點。在緊湊型應用中,SC8911 還具備以下優(yōu)勢:

效率大幅提升。通過內(nèi)置功率管,SC8911 能夠?qū)崿F(xiàn) 4V/ns 以上的更高的開關(guān)速率,從而顯著降低開關(guān)損耗。經(jīng)測試,SC8911 最高可實現(xiàn) 97.6% 的效率,即使在發(fā)熱嚴重的惡劣工況下(如電池電壓 6V、輸出 20V/1.5A),系統(tǒng)效率仍可達到 93.5%,PCBA 溫度僅 69℃,顯著優(yōu)于行業(yè)平均水平。

PCB 布局更友好。內(nèi)置功率管確保了足夠小的驅(qū)動回路和功率回路路徑,且在封裝引腳設(shè)計上,也充分考慮了輸入輸出電容放置的便捷性。因此,SC8911 能夠在保證高開關(guān)速度的同時,輕松應對 EMI 挑戰(zhàn)。

散熱性能卓越。SC8911 采用了 4mm*5mm QFN-27 Flip chip 倒裝封裝方式,IC 內(nèi)部的功率損耗熱量可以通過封裝銅柱直接傳導至 PCB,有效增強了芯片的散熱能力。

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SC8911 的放電效率曲線

適配多樣化需求,簡化充電設(shè)計

SC8911 擁有 4.4V-21V 的寬輸入電壓范圍,待機狀態(tài)下靜態(tài)電流低至 50μA,運輸模式下靜態(tài)電流低至 5μA,優(yōu)化設(shè)備能耗表現(xiàn)。在充電性能方面,SC8911 可通過 I2C 接口選擇 240kHz/360kHz/480kHz 三種不同的開關(guān)頻率,并實現(xiàn)全充電周期的電流及電壓調(diào)節(jié),充電電壓控制精度最高可達 ±0.5%。尤其是針對反向 OTG 功能,SC8911 支持 10mV 電壓步進精細調(diào)節(jié)需求,可滿足 PD 和 UFCS 協(xié)議調(diào)壓,支持終端設(shè)備的多樣化需求。

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SC8911 支持充/放電模式及相關(guān)參數(shù)

SC8911 的集成化給充電設(shè)計也帶去了很多便利:

SC8911 提供集成化的端口電流檢測功能和負載檢測功能,可省去系統(tǒng)的端口電流檢測電阻和 A 口負載檢測電路

通過優(yōu)化系統(tǒng)邏輯,SC8911 在使用過程中可減少 I/O 口需求,降低協(xié)議芯片門檻

使用 SC8911 還能讓系統(tǒng)省去端口放電、適配器插入檢測等電路,并將端口隔離 P 管替換成 N 管,進一步減小 BOM 尺寸、降低 BOM 成本。

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SC8911 典型應用框圖

多重檢測與保護機制,守護充電過程

SC8911 提供了多種檢測功能,可精確測量輸入電流、輸入電壓、電池電流、電池電壓、結(jié)溫和輸出電流等參數(shù),讓整個充電過程盡在掌控。在此基礎(chǔ)上,SC8911 集成了多種保護機制,包括端口和電池過壓保護、輸出過壓保護、短路保護、逐周期電流限制和熱關(guān)斷保護等,有效保障整個充電過程的安全與穩(wěn)定。

南芯科技充電管理產(chǎn)品家族

南芯科技現(xiàn)已建立起包含開關(guān)充電芯片、電荷泵充電芯片、線性充電芯片、無線充電芯片和 SoC 充電芯片在內(nèi)的充電管理產(chǎn)品家族。其中,開關(guān)充電芯片提供升壓、降壓、升降壓三種架構(gòu),可以對單節(jié)和多節(jié)電池進行充電和控制。新發(fā)布的 SC8911 兼具高效率、低成本、小尺寸三大優(yōu)勢,在小功率移動電源市場從 22.5W 向 30W 過渡的過程中,提供了極具競爭力的解決方案。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:重磅新品 | 南芯科技推出內(nèi)置MOS管的高集成度升降壓充電芯片

文章出處:【微信號:SOUTHCHIP,微信公眾號:南芯半導體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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