近日，Nexperia宣布推出一系列高效且堅固的汽車級碳化硅(金屬氧化物半導體場效應晶體管，SiC MOSFET)，這些新產(chǎn)品在RDS(on)額定值方面分別為30、40和60 mΩ。這些產(chǎn)品在性能指標(FoM)上處于行業(yè)領先水平，之前僅提供工業(yè)級版本。隨著獲得AEC-Q101汽車標準認證，這些MOSFET現(xiàn)已適合用于多種應用場景，包括車載充電器(OBC)、電動車(EV)的牽引逆變器、直流-直流轉換器以及供暖、通風和空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)。

新款SiC MOSFET采用了表面貼裝D2PAK-7封裝，相較于傳統(tǒng)的穿孔設備，這種封裝形式在自動化裝配過程中具備更高的兼容性，能提升生產(chǎn)效率。這一系列器件的推出，旨在滿足汽車市場對高效能和高可靠性的迫切需求，特別是在電動車和可再生能源相關應用中。

在SiC MOSFET的性能中，RDS(on)參數(shù)是一個關鍵的性能指標，它直接影響到導電損耗。然而，單純關注名義值并不全面，因為在工作溫度升高的情況下，RDS(on)的值可能會顯著上升，增加幅度通常超過100%，這將對導電效率造成重大影響。尤其是在使用表面貼裝設備(SMD)封裝的情況下，溫度穩(wěn)定性變得尤為重要，因為這類設備依賴于印刷電路板(PCB)進行熱管理。

為了應對這一挑戰(zhàn)，Nexperia通過其先進的工藝技術，開發(fā)出具有優(yōu)異溫度穩(wěn)定性的SiC MOSFET。新產(chǎn)品在25°C到175°C的廣泛工作溫度范圍內(nèi)，RDS(on)僅增加38%。這種卓越的穩(wěn)定性使得設計師能夠在不影響性能的條件下，使用Nexperia提供的更高25°C RDS(on)額定值，進而實現(xiàn)更高的輸出功率。

此外，Nexperia在未來的發(fā)展規(guī)劃中，將進一步擴展其汽車級SiC MOSFET產(chǎn)品線，計劃于2025年推出17 mΩ和80 mΩ RDS(on)變體。這一擴展將為下一代汽車動力應用提供更多選擇，推動更高效的電力管理解決方案。

總體而言，Nexperia的新款汽車級SiC MOSFET通過在效率、熱穩(wěn)定性和兼容性方面的創(chuàng)新，為電動車和其他汽車應用提供了強有力的支持。隨著全球汽車市場向電氣化和智能化轉型，Nexperia將繼續(xù)致力于提供高性能的半導體解決方案，以滿足不斷增長的市場需求。