【導讀】：功率半導體市場一直都處于溫溫不火的狀態(tài)的，但是隨著混合動力及電動汽車、電力和光伏（PV）逆變器的需求，GaN和SiC功率半導體市場規(guī)模呈現(xiàn)井噴式增長。

對SiC行業(yè)持續(xù)強勁增長的預(yù)期很高，主要推動力是混合動力和電動汽車銷售的增長。市場的滲透也在增長，特別是在中國，肖特基二極管、MOSFET、結(jié)柵場效應(yīng)晶體管（JFET）和其他SiC分立器件已經(jīng)出現(xiàn)在量產(chǎn)汽車DC-DC轉(zhuǎn)換器、車載電池充電器之中。

越來越明顯的跡象是，傳動系主逆變器——采用SiC MOSFET，而不是Si絕緣柵雙極晶體管（IGBT）—將在3-5年內(nèi)開始出現(xiàn)在市場上。由于非常多的設(shè)備用于主逆變器中，遠遠多于在DC-DC轉(zhuǎn)換器和車載充電器中的數(shù)量，這就會迅速增加設(shè)備需求。也許在某個時間點，逆變器制造商最終選擇定制全SiC功率模塊，而不選擇SiC分立器件。集成、控制和封裝優(yōu)化是模塊化裝配的主要優(yōu)點。

不僅每輛車的SiC設(shè)備數(shù)量將會增加，而且對于電池電動汽車（BEV）和插電式混合動力電動汽車（PHEV）的新增全球注冊需求也將在2017年和2027年之間增加10倍，因為全球許多政府都鎖定目標降低空氣污染，同時減少依賴燃燒化石燃料的車輛。中國、印度、法國、英國和挪威都已經(jīng)宣布計劃在未來數(shù)十年內(nèi)禁止搭載內(nèi)燃機的汽車，代之以更清潔的車輛。電氣化車輛的前景一般來說將會因此而變得非常好，特別是對寬禁帶半導體而言更是如此。

SiC器件獲得成長的最大抑制因素可能是GaN器件。第一個符合汽車AEC-Q101規(guī)范的GaN晶體管在2017年由Transphorm發(fā)布，而且在GaN-on-Si外延片上制造的GaN器件具有相當?shù)偷某杀?，也比在SiC晶片上制造任何產(chǎn)品都更為容易。由于這些塬因，GaN晶體管可能會成為2020年代后期逆變器中的首選，優(yōu)于較昂貴的SiC MOSFET。

近年來，有關(guān)GaN功率器件最有趣的故事是GaN系統(tǒng)集成電路（IC）的到來，也就是將GaN晶體管與硅柵驅(qū)動器IC或單片全GaN IC一同封裝起來。一旦它們的性能針對移動電話和筆記本充電器和其他高容量應(yīng)用得到優(yōu)化，就很可能在更廣泛的范圍內(nèi)大面積普及。相反，商業(yè)化的GaN功率二極管發(fā)展從未真正開始，因為它們未能提供相對于Si器件更為顯著的益處，相關(guān)的發(fā)展已被證明太過昂貴而且不可行。SiC肖特基二極管已經(jīng)很好地用于這一目標，并且具有良好的定價路線圖。

《SiC&GaN功率半導體報告》

本報告以30多個半導體供應(yīng)鏈和對潛在最終用戶的訪談為基礎(chǔ)。針對這個快速變化的市場，提供了詳細、全面的分析，并對主要應(yīng)用領(lǐng)域的增長驅(qū)動力和可能的采用率做出了詮釋。同時也針對各種電力設(shè)備提供了十年的價格預(yù)測，包括中期態(tài)勢以及樂觀與保守情景。

結(jié)論：

新興市場碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導體預(yù)計將在2020年達到近10億美元，推動力來自混合動力及電動汽車、電力和光伏（PV）逆變器等方面的需求。

SiC和GaN功率半導體在混合動力和電動汽車的主傳動系逆變器中的應(yīng)用，將導致2017之后復(fù)合年增長率（CAGR）超過35%，在2027年達到100億美元。

到2020年，GaN-on-silicon （Si）晶體管預(yù)期將會達到與硅金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）持平的價格，同時也會提供相同的優(yōu)越性能。一旦達到這個基準，2024年GaN電力市場預(yù)計將達到6億美元，2027年攀升至17億美元以上。