TPS2379器件為8針集成電路 包含實現(xiàn) IEEE802.3at Type-2 受電設備 （PD） 所需的所有功能 例如檢測、分類、2 類硬件分類和 140mA 浪涌電流限制 啟動期間。0.5 Ω的低內部開關電阻，結合增強的散熱性能 PowerPAD 封裝的耗散使該控制器能夠連續(xù)處理高達 0.85 A 的電流。 該TPS2379集成了一個 0.5 Ω的低內部開關，可提供高達 0.85 A 的連續(xù)電流 在正常運行期間通過PD。TPS2379器件支持更高功率的應用 通過外部傳遞晶體管。該TPS2379包含多種保護功能，例如 熱關斷、限流折返和穩(wěn)健的 100V 內部開關。
*附件：tps2379.pdf

特性

• IEEE 802.3at Type-2 硬件分類，帶
  狀態(tài)標志
• 用于大功率擴展的輔助柵極驅動器
• 堅固耐用的 100V、0.5 Ω熱插拔 MOSFET
• 1A（典型值）工作電流限制
• 140 mA（典型值）浪涌電流限制
• DC-DC轉換器使能
• 15 kV/8 kV 系統(tǒng)級 ESD 能力
• PowerPAD? HSOP 封裝

參數(shù)

方框圖

?1. 產品概述?
TPS2379是德州儀器（TI）推出的8引腳集成電路，專為IEEE 802.3at Type-2供電設備（PD）設計，集成檢測、分類、Type-2硬件分類及140mA浪涌電流限制等功能。其核心特性包括：

• ?內部0.5Ω熱插拔MOSFET?：支持0.85A連續(xù)電流，采用PowerPAD? HSOP封裝增強散熱。
• ?擴展能力?：通過外部柵極驅動器支持更高功率應用（如視頻電話、基站等）。
• ?保護機制?：熱關斷、電流限制折返及100V耐壓內部開關。

?2. 關鍵特性?

• ?IEEE 802.3at兼容?：支持Type-2硬件分類及狀態(tài)標志。
• ?動態(tài)功率管理?：
  • 檢測電流范圍：53.8–58.3μA（VDD=1.4V）。
  • 分類電流：通過外部電阻（RCLS）編程，覆蓋Class 0–4（如Class 4需63.4Ω）。
• ?浪涌與運行保護?：
  • 浪涌電流限制：140mA（典型值）。
  • 運行電流限制：1A（典型值）。

?3. 應用場景?

• ?標準設備?：符合IEEE 802.3at/UPOE的IP電話、無線接入點、安防攝像頭。
• ?高功率擴展?：通過外部MOSFET支持非標應用（如60W系統(tǒng)）。

?4. 功能模塊詳解?

• ?DEN引腳?：檢測簽名（24.9kΩ電阻）兼禁用控制（拉低關閉PD）。
• ?CLS引腳?：分類電流編程，電阻值對應不同功率等級（如Class 4為63.4Ω）。
• ?GATE引腳?：驅動外部MOSFET，增強功率擴展能力。
• ?T2P引腳?：指示Type-2 PSE連接（低電平有效）。

?5. 保護與可靠性?

• ?ESD防護?：15kV（空氣放電）/8kV（接觸放電）。
• ?熱管理?：結溫范圍-40°C至125°C，內置熱關斷（145°C觸發(fā)）。
• ?輸入保護?：推薦TVS二極管（如SMAJ58A）抑制瞬態(tài)電壓。

?6. 設計要點?

• ?布局建議?：優(yōu)先短路徑布線，分離高壓與信號區(qū)域，PowerPAD需連接至VSS以優(yōu)化散熱。
• ?輸入橋接?：建議使用低漏電Schottky二極管以減少損耗。
• ?電容選擇?：VDD-VSS間需0.1μF陶瓷電容（符合IEEE標準）。

?7. 典型電路?

• ?拓撲結構?：集成輸入橋、TVS、RCLS/RDEN網(wǎng)絡，通過GATE控制外部MOSFET（如BUK7275-100A）擴展電流至2.26A。
• ?時序控制?：CDB引腳在浪涌結束后啟用下游轉換器，確保安全啟動。

?8. 文檔支持?

• 參考設計：SLVA498（60W PoE系統(tǒng)實現(xiàn)）。
• 封裝信息：8引腳HSOP（4.89mm×3.90mm），熱阻θJA=45.9°C/W。

?總結?
TPS2379為高功率PoE應用提供全集成的PD接口解決方案，兼具標準兼容性與擴展靈活性，適用于需高效電源管理的網(wǎng)絡設備設計。