CSD96415RWJ NexFET? 功率級是一種高度優(yōu)化的設計,適用于高功率、高密度同步降壓轉換器。該產品集成了驅動器件和功率 MOSFET,以完成功率級開關功能。這種組合在 5 mm × 6 mm 的小型封裝中產生高電流、高效率和高速開關能力。它還集成了精確的電流檢測和溫度檢測功能,以簡化系統(tǒng)設計并提高精度。此外,PCB 封裝也經過優(yōu)化,有助于縮短設計時間并簡化整個系統(tǒng)設計的完成。
*附件:csd96415.pdf
特性
- 峰值額定電流:80 A
- 16伏伏
在、25V 額定高側和低側 FET - 峰值效率 (f
西 南部= 600 kHz,升外= 150 nH):超過 94% - 高頻工作(高達 1.75 MHz)
- 溫度補償雙向電流檢測
- 模擬溫度輸出
- 故障監(jiān)控
- 兼容 3.3V 和 5V PWM 信號
- 三態(tài)PWM輸入
- 集成自舉開關
- 優(yōu)化的死區(qū)時間,實現(xiàn)擊穿保護
- 包裝
- 高密度 QFN 5 mm × 6 mm
- 超低電感
- 系統(tǒng)優(yōu)化的PCB封裝
- 熱增強的頂部冷卻
- 符合 RoHS 標準的無鉛端子電鍍
- 無鹵素
- 7 英寸和 13 英寸卷軸
參數(shù)

方框圖

?1. 核心特性?
- ?高性能參數(shù)?:80A峰值電流能力,支持16V輸入電壓(高/低側MOSFET耐壓25V),1.75MHz高頻開關,94%以上峰值效率(600kHz開關頻率下)。
- ?集成化設計?:
- 溫度補償雙向電流檢測
- 模擬溫度輸出與故障監(jiān)控
- 兼容3.3V/5V PWM信號,集成自舉開關
- 優(yōu)化的死區(qū)時間防止直通
- ?封裝優(yōu)勢?:5mm×6mm QFN封裝,超低寄生電感,頂部散熱優(yōu)化,符合RoHS標準。
?2. 典型應用?
?3. 技術亮點?
- ?系統(tǒng)級優(yōu)化?:集成驅動IC與MOSFET,簡化布局設計,提供精確電流/溫度傳感功能。
- ?可靠性保障?:ESD防護設計,支持-55°C至150°C工作溫度。
?4. 生產信息?
- ?封裝選項?:VQFN-CLIP(41引腳),提供卷帶包裝(250/2500片每卷)。
- ?環(huán)保認證?:無鹵素,符合綠色環(huán)保標準(RoHS豁免且不含銻/溴)。
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