不間斷電源的應用范圍在不斷擴大，除了傳統(tǒng)的通信、醫(yī)院、航天等領(lǐng)域外，針對小型領(lǐng)域的使用也在增多，比如機械硬盤領(lǐng)域，飛牛fnOS在9月份表示將為其數(shù)據(jù)業(yè)務自研了UPS不間斷電源。

可以說未來在不同領(lǐng)域不間斷電源使用肯定會越來越廣泛，如何也要自身產(chǎn)品能夠提升質(zhì)量，其中一個關(guān)鍵在于選對能替代IRFP2807PBF型號參數(shù)的MOS管。

國產(chǎn)化也是其中一步關(guān)鍵，今天推薦的正是飛虹半導體的FHP180N08V純國產(chǎn)MOS管。它具有180A、80V的電流、電壓，特別適用于不間斷電源的電路中。

該器件不僅能無縫替代IRFP2807PBF，其高頻開關(guān)能力、低導通損耗和可控性是讓不間斷電源實現(xiàn)高效率、高功率密度和小型化的基礎(chǔ)。

下面我們從產(chǎn)品的詳細產(chǎn)生特點來看：

FHP180N08V采用先進的溝槽技術(shù)，結(jié)合更優(yōu)的工藝條件、精細優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，使產(chǎn)品擁有極低的導通電阻并優(yōu)化了開關(guān)特性和可靠性。

該晶體管可提供TO-220封裝外形，可適用于不間斷電源、逆變器、電機驅(qū)動控制和各類高頻硬開關(guān)。產(chǎn)品符合JEDEC標準，在環(huán)保上符合RoHS和REACH標準、無鹵要求。

而從FHP180N08V場效應管的參數(shù)可看：ID（A）：180A；BVdss（V）：80V；Vgs（±V）：20；VTH（V）：3。靜態(tài)導通電阻RDS (on) = 4.5mΩ(max)@V GS =10V、RDS (on) = 3.6mΩ(typ)@V GS =10V。

正是該參數(shù)特點讓FHP180N08V場效應管是能更好替代IRFP2807PBF型號參數(shù)用于不間斷電源的電路。

FHP180N08V通過了100% UIS測試、100% DVDS瞬間熱阻測試、100% Rg測試等測試，通過采用特色的trench工藝，結(jié)合優(yōu)秀的封裝BOM材料，使產(chǎn)品擁有更高的可靠性,雪崩耐量高，抗沖擊性能強。

好產(chǎn)品才能占有更多市場，如研發(fā)中有選型的問題，歡迎溝通交流。需要選擇180A、80V的MOS管用于不間斷電源的選型問題，建議選用FHP180N08V場效應管。

除參數(shù)適合外，飛虹的工程師還會提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品測試服務。飛虹致力于半導體器件、集成電路、功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，給廠家提供可持續(xù)穩(wěn)定供貨。至今已經(jīng)有35年半導體行業(yè)經(jīng)驗以及20年研發(fā)、制造經(jīng)驗。除可提供免費試樣外，更可根據(jù)客戶需求進行量身定制MOS管產(chǎn)品。