改革開放40年，中國高新技術(shù)發(fā)展水平如何？特別是在ICT（信息通訊技術(shù)）領(lǐng)域，國外半導(dǎo)體專家究竟是如何看待和評價的呢？帶著這些問題，科技日報記者日前采訪了韓國著名企業(yè)家和半導(dǎo)體專家崔珍奭博士，傾聽了他的看法。

崔博士在韓國半導(dǎo)體業(yè)界名氣很大。根據(jù)韓國NAVER門戶網(wǎng)站上面人物詞典的介紹，崔博士歷任三星電子技術(shù)開發(fā)部首席研究員、常務(wù)理事、海力士半導(dǎo)體專務(wù)理事、副社長、STX SOLAR 社長、韓和集團制造部門運營創(chuàng)新總括社長等職，并在多所大學(xué)擔任過教職。他從三星電子轉(zhuǎn)職海力士，依靠研發(fā)和管理能力幫助危機重重的海力士業(yè)務(wù)走上正軌的案例，堪稱韓國半導(dǎo)體發(fā)展史上的經(jīng)典。

中國半導(dǎo)體業(yè)取得階段性成果

改革開放40年，中國已躍升全球最大的半導(dǎo)體消費國和電子產(chǎn)品生產(chǎn)國，中國企業(yè)消耗的芯片數(shù)量幾乎是全球產(chǎn)量一半。與此同時，中國使用的芯片也有不少需要進口。但是，業(yè)內(nèi)人士無疑看到了更多的內(nèi)容。

崔博士說，韓國半導(dǎo)體業(yè)界早已感受到中國的進步。雖然韓國企業(yè)規(guī)模更大，綜合技術(shù)實力更強，但中國的步伐顯然邁得更快。

崔博士的觀點很明確：中國在半導(dǎo)體行業(yè)里已經(jīng)取得了階段性成果，天下三分，已置身其二。

崔博士表示，半導(dǎo)體行業(yè)大致可以劃分為儲存器業(yè)務(wù)、系統(tǒng)芯片業(yè)務(wù)和晶圓代工業(yè)務(wù)三塊，中國在其中的兩個業(yè)務(wù)領(lǐng)域已取得成功，技術(shù)實力接近了主流水平。

在系統(tǒng)芯片領(lǐng)域，美國和歐洲企業(yè)技術(shù)實力強勁，特別是在高端芯片市場，美歐企業(yè)目前仍然保持行業(yè)領(lǐng)先位置，但是在相對低端的通用CPU等細分市場，中國在2010年就已經(jīng)超越韓國，成為全球主要的系統(tǒng)芯片生產(chǎn)國之一。中國在這個領(lǐng)域至今仍然保持著迅猛發(fā)展的勢頭，逐步進入高端芯片領(lǐng)域。

在晶圓代工業(yè)務(wù)方面，中國的總體水平已經(jīng)開始領(lǐng)跑韓國。中國的SMIC和華虹正在推進28納米工程，而韓國三星電子雖然具備40—14納米技術(shù)，但是晶圓代工業(yè)務(wù)并不活躍，業(yè)務(wù)量占比很低。而韓國主要晶圓代工企業(yè)，如東部、MAGNACHIP等，目前的核心業(yè)務(wù)都建立在8英寸晶圓和180—100納米制程上，已經(jīng)同中國企業(yè)存在技術(shù)代差。

全球存儲器業(yè)務(wù)中長期預(yù)測樂觀

2016年下半年，儲存器業(yè)務(wù)迎來了最近一輪景氣周期。其中DRAM產(chǎn)業(yè)集中度更高，表現(xiàn)也更加亮眼。當前全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的主要玩家包括韓國的三星電子、海力士半導(dǎo)體和美國的美光，這三家在2017年和2018年第一季度均取得了令人矚目的經(jīng)營業(yè)績。三星電子2018年第一季度業(yè)績，總營收達到60．56萬億韓元，同比增長約20％，當季營業(yè)利潤也創(chuàng)下歷史新高的15．64萬億韓元，同比增長約三分之一。其中以DRAM為主的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)創(chuàng)造的營業(yè)利潤超過了集團總利潤的一半。

另一個值得關(guān)注的數(shù)據(jù)是，經(jīng)過2017年一年時間，全球儲存器業(yè)務(wù)占半導(dǎo)體整體業(yè)務(wù)的比重已經(jīng)從2016年的21％提升到了30％。對于半導(dǎo)體這樣一個發(fā)展了數(shù)十年的成熟行業(yè)來說，這種提升幅度是巨大的，其中最主要的影響因子是內(nèi)存漲價因素。不過，考慮到智能手機和各種移動設(shè)備硅含量的不斷增加，圖形處理器、大數(shù)據(jù)、人工智能、智能汽車和物聯(lián)網(wǎng)等新的電子技術(shù)未來內(nèi)存需求的釋放，存儲器業(yè)務(wù)中長期的預(yù)測仍然是樂觀的。

中國儲存器業(yè)務(wù)尚未完全啟動

崔博士介紹，一般來說，評價內(nèi)存企業(yè)技術(shù)水平主要考察企業(yè)的技術(shù)節(jié)點。目前為止，內(nèi)存生產(chǎn)技術(shù)大體沿著28、25、23、20、18納米的路線進行迭代和升級。這種差距意味著內(nèi)存顆粒性能的高下之別，也意味著生產(chǎn)成本的巨大差異。對于內(nèi)存行業(yè)來說，一代的差距也意味著大約2年的追趕時間。

崔博士表示，以2017年為基準，三星電子的主力DRAM使用18納米制程，海力士和美光為20納米制程。從數(shù)據(jù)上大體可以認為，三星電子領(lǐng)先一代左右。而同樣使用20納米制程，美光在單位面積晶圓上制造的內(nèi)存單元的數(shù)量相當于23納米制程的水平。這樣看美光還要落后一代。同中國ICT行業(yè)巨大的規(guī)模和需求相比，中國的儲存器業(yè)務(wù)尚未完成啟動過程，目前計劃投產(chǎn)的企業(yè)在制程上恐怕還要落后于美光。這個差距需要關(guān)注。

崔博士強調(diào)，中國并不缺乏資金和設(shè)備，也有龐大的市場作為支撐，目前缺乏的是技術(shù)。他說，內(nèi)存企業(yè)需要確定正確的技術(shù)路線，需要迭代研發(fā)制程工藝，對人才的需求是非常迫切的。他表示，核心技術(shù)沒有捷徑，相信中國企業(yè)能夠直面差距，著眼長遠，解決好左右未來發(fā)展的瓶頸問題。