在本次視頻中我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理,而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
電阻
+關(guān)注
關(guān)注
88文章
5811瀏覽量
179908 -
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
10788瀏覽量
234852 -
ti
+關(guān)注
關(guān)注
114文章
8081瀏覽量
219985
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
Onsemi FDMA7672 MOSFET:高效同步降壓轉(zhuǎn)換器的理想之選
Onsemi FDMA7672 MOSFET:高效同步降壓轉(zhuǎn)換器的理想之選 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件,其性能表現(xiàn)直接影響到整個(gè)電路的效率和穩(wěn)定性。今天,我們就來深入了解一下
探索 onsemi FDMA8051L MOSFET:高效同步降壓轉(zhuǎn)換器的理想之選
探索 onsemi FDMA8051L MOSFET:高效同步降壓轉(zhuǎn)換器的理想之選 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET 作為關(guān)鍵元件,其性能直接影響著電路的效率和穩(wěn)定性。今天,我們將深入探討 onsemi
onsemi FDMA86108LZ MOSFET:高效同步降壓轉(zhuǎn)換器的理想之選
onsemi FDMA86108LZ MOSFET:高效同步降壓轉(zhuǎn)換器的理想之選 在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中,MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件,其性能直接影響到整個(gè)電路的效率和穩(wěn)定性。今天,我們來深入了解一下
onsemi FDMA86551L MOSFET:高效同步降壓轉(zhuǎn)換器的理想之選
onsemi FDMA86551L MOSFET:高效同步降壓轉(zhuǎn)換器的理想之選 引言 在電子電路設(shè)計(jì)中,MOSFET是極為關(guān)鍵的元件,特別是在同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用里,其性能直接影響著整個(gè)
在哪里可以找到MOSFET功率損耗信息?
我正在進(jìn)行 BMS 設(shè)計(jì)并計(jì)劃使用該MC33HB2000FK(如 RD-BESSK358BMU 參考設(shè)計(jì))。
我想估計(jì) MC33HB2000FK 的 MOSFET 損耗,用于 PCB 熱設(shè)計(jì)目的
發(fā)表于 04-16 10:43
SGM25811:高性能同步整流降壓轉(zhuǎn)換器MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片
- MOSFET的雙路高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片。當(dāng)與多相降壓PWM控制器結(jié)合使用時(shí),它能夠構(gòu)成先進(jìn)微處理器電壓調(diào)節(jié)器
SL1588降壓恒壓 DC12V降壓5V 3.3V/ 2A同步降壓恒壓芯片
在現(xiàn)代電子設(shè)備中,電源管理模塊的性能直接影響整機(jī)的穩(wěn)定性與能效。尤其是對于需要從較高輸入電壓(如12V)降壓至常用電平(如5V、3.3V等)的應(yīng)用,一款高效、可靠且集成度高的降壓芯片顯得尤為關(guān)鍵。森
發(fā)表于 01-29 14:33
MOSFET相關(guān)問題分享
損壞。其次是功率。如果功率高于25%,MOS發(fā)熱嚴(yán)重,性能會急劇下降,因此在設(shè)計(jì)時(shí)需要對MOS進(jìn)行降額使用。
2.Q: 目前的MOSFET提供哪些封裝?
A:封裝有TO-220、TO-220F
發(fā)表于 01-26 07:46
單片機(jī)低功耗的處理
什么單片機(jī),在程序上和電路上都是要一些處理才能把功耗控制在比較低的范圍。
程序的處理方法主要有以下幾點(diǎn):
1、單片機(jī)進(jìn)入睡眠狀態(tài)。這個(gè)是最基本的,只有睡眠的狀態(tài)下,功耗才是最低的。
發(fā)表于 01-21 08:25
MOSFET導(dǎo)通電阻Rds
(on)電阻值會隨著電流增大輕微上升,因此選擇時(shí)需要留有余量。
(3)Rds(on)低的MOSFET通常成本比較高,可以通過優(yōu)化驅(qū)動(dòng)電路,改進(jìn)散熱等方式,選用Rds(on)較大一些的的低成本器件。
發(fā)表于 12-23 06:15
為什么MOSFET柵極前面要加一個(gè)100Ω電阻
。
再進(jìn)一步講,為什么電阻是100Ω呢?
我在網(wǎng)上看到一個(gè)仿真試驗(yàn),實(shí)驗(yàn)在MOSFET電路中的柵極串聯(lián)電阻R3,分別對它取1歐姆,10歐姆,50歐姆進(jìn)行仿真實(shí)驗(yàn):
當(dāng)R3為1歐姆時(shí),
發(fā)表于 12-02 06:00
功率MOSFET管的應(yīng)用問題分析
。選取相關(guān)元件參數(shù)后,對電路進(jìn)行測試,直到滿足設(shè)計(jì)要求。負(fù)載開關(guān)穩(wěn)態(tài)功耗并不大,但是瞬態(tài)功耗很大,特別是長時(shí)間工作在線性區(qū),會產(chǎn)生熱失效問題。因此,要校核功率MOSFET管的安全工作區(qū)
發(fā)表于 11-19 06:35
SL1585B 36V輸入 輸出3A電流 12V降壓5V 12V降壓3.3V 降壓恒壓芯片
SL1585B 36V輸入3A輸出降壓芯片技術(shù)解析?
一、芯片概述?
SL1585B是一款高性能同步降壓轉(zhuǎn)換器,集成低EMI特性與內(nèi)部功率MOSFET,可在4.5V至36V寬輸入電壓范圍內(nèi)提供3A
發(fā)表于 11-04 15:34
如何降低電能質(zhì)量在線監(jiān)測裝置對傳導(dǎo)干擾的敏感度?
降低電能質(zhì)量在線監(jiān)測裝置對傳導(dǎo)干擾的敏感度,核心是通過 **“硬件抗擾增強(qiáng)、電路隔離優(yōu)化、濾波防護(hù)強(qiáng)化、軟件補(bǔ)償輔助”** 四大維度,從裝置自身設(shè)計(jì)層面提升抗干擾能力,減少干擾對測量鏈路的 “滲透
MOSFET導(dǎo)通電阻參數(shù)解讀
導(dǎo)通電阻(RDSON)指的是在規(guī)定的測試條件下,使MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)(工作在線性區(qū)),漏極(D)與源極(S)之間的直流電阻,反映了MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下對電流通過的阻礙程
如何對傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理,降壓MOSFET電阻比?
評論