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國(guó)際團(tuán)隊(duì)成功開發(fā)出5nm存儲(chǔ)元器件

jXID_bandaotigu ? 來(lái)源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-08-28 11:50 ? 次閱讀
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據(jù)科技日?qǐng)?bào)和物理學(xué)家組織網(wǎng),華中科技大學(xué)、中國(guó)地質(zhì)大學(xué)和美國(guó)加州大學(xué)伯克利分??蒲腥藛T組成的國(guó)際團(tuán)隊(duì),開發(fā)出小于7納米的新型存儲(chǔ)元器件——平均直徑為5納米的磁鐵。由于尺寸小、熱穩(wěn)定性高,以及可以應(yīng)用于簡(jiǎn)單的自組裝工藝制造,這種納米磁鐵被認(rèn)為是下一代存儲(chǔ)器件具有超高密度和低功耗的關(guān)鍵。相關(guān)論文發(fā)表在最近一期《應(yīng)用物理快報(bào)》上。

以前的研究已經(jīng)演示了幾個(gè)不同種類的個(gè)位數(shù)納米結(jié)構(gòu),然而到目前為止,用于制造這些結(jié)構(gòu)的所有技術(shù)都涉及復(fù)雜且昂貴的圖案化工藝,例如光刻和離子束蝕刻。而在此項(xiàng)新研究中,納米磁鐵可以進(jìn)行自組裝,只涉及簡(jiǎn)單的濺射工藝,不需要任何納米級(jí)圖案化加工工藝。

論文作者之一、華中科技大學(xué)的洪炯明認(rèn)為,這項(xiàng)研究最重要的部分是展示了具有良好熱穩(wěn)定性的亞5納米存儲(chǔ)單元,這項(xiàng)研究是未來(lái)自旋轉(zhuǎn)移力矩隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(STT MRAM)應(yīng)用的關(guān)鍵組成部分?!拔覀儾捎米越M裝方法制造5納米磁晶粒用于信息存儲(chǔ),無(wú)需進(jìn)行納米級(jí)加工”。

納米磁鐵由鐵鉑顆粒組成,每個(gè)納米磁鐵都有兩個(gè)磁化方向。這兩個(gè)磁化方向?qū)?yīng)于磁隧道結(jié)的兩種狀態(tài)(并聯(lián)和反并聯(lián)),并形成非易失性存儲(chǔ)單元的基本組建模塊。研究人員利用最先進(jìn)的高聚焦自旋探頭,證明了由于自旋轉(zhuǎn)移力矩,施加的電流可以切換單個(gè)納米磁鐵的磁化強(qiáng)度。

鑒于超小型納米磁鐵具有高熱穩(wěn)定性,存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保留時(shí)間可以超過(guò)10年。目前,該團(tuán)隊(duì)正致力于研究以可靠的方式來(lái)控制設(shè)備尺寸。

納米磁鐵已經(jīng)被發(fā)現(xiàn)可應(yīng)用于核磁共振成像、水處理、生物化學(xué)和電子等多個(gè)領(lǐng)域,更有望刷新下一代存儲(chǔ)器件的密度與能耗紀(jì)錄?,F(xiàn)在,科學(xué)家開發(fā)出5納米磁晶粒用于信息存儲(chǔ),而未來(lái)信息領(lǐng)域的中心問(wèn)題,其實(shí)就是存儲(chǔ)——只有存儲(chǔ)容量的不斷增大,才能滿足信息社會(huì)高速發(fā)展的需要。

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原文標(biāo)題:5nm存儲(chǔ)元器件開發(fā)成功

文章出處:【微信號(hào):bandaotiguancha,微信公眾號(hào):半導(dǎo)體觀察IC】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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