威兆半導體推出的VS6038AD是一款面向 60V 中壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，采用 TO-252/TO-251 封裝，適配中壓中功率電源管理、負載開關等領域。

一、產品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配中壓供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：典型值 35mΩ（\(V_{GS}=10V\)），中壓場景下傳導損耗可控；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時 25A、\(T=100^\circ\text{C}\)時 16A，承載能力較強；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：100A（大散熱片下，\(T=25^\circ\text{C}\)），可應對瞬時大電流沖擊。

二、核心特性

• 高雪崩可靠性：雪崩測試覆蓋至最大結溫，提升極端場景下的穩(wěn)定性；
• 快速開關：開關特性優(yōu)異，適配高頻中壓電源場景；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無鉛及 RoHS 標準，適配綠色電子制造。

三、關鍵電氣參數（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：TO-252（表面貼裝）/TO-251（直插）封裝，適配不同電路板設計；
• 典型應用：
  • 60V 級中壓中功率 DC/DC 轉換器；
  • 工業(yè)設備、消費電子的中壓負載開關；
  • 中壓電源管理模塊。

五、信息來源

威兆半導體官方產品手冊（注：以上參數基于手冊標注整理，實際以最新版手冊為準。）