森國科最新推出的采用PDFN8*8封裝并結(jié)合Cu-Clip（銅帶）連接技術(shù)的碳化硅二極管，代表了公司在功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域的重要創(chuàng)新。這一創(chuàng)新解決方案針對高功率密度和高效率應(yīng)用需求，通過優(yōu)化封裝結(jié)構(gòu)和互連工藝，顯著提升了產(chǎn)品性能。

01PDFN8*8封裝技術(shù)的核心優(yōu)勢

PDFN8*8封裝作為一種緊湊型表面貼裝技術(shù)，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。這種封裝尺寸僅為8mm x 8mm，比傳統(tǒng)TO-220封裝節(jié)省了約70%的安裝空間，非常適合空間受限的高功率密度應(yīng)用場景。

與更大尺寸的封裝相比，PDFN8*8的低外形設(shè)計有助于減小布板面積，提高功率密度。這種封裝還具有優(yōu)異的熱性能，通過底部大面積裸露焊盤，能有效將芯片產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)至PCB板，并散發(fā)到周圍環(huán)境中。

02Cu-Clip互連技術(shù)的革命性突破

Cu-Clip（銅帶）互連技術(shù)是森國科此次創(chuàng)新的另一大亮點。與傳統(tǒng)鍵合線技術(shù)相比，Cu-Clip技術(shù)通過扁平銅帶替代傳統(tǒng)的鋁線或金線，實現(xiàn)了芯片與引腳之間的面接觸連接。這一技術(shù)顯著降低了封裝內(nèi)部的寄生電感，有助于減少開關(guān)損耗和電壓過沖。傳統(tǒng)鍵合線結(jié)構(gòu)的寄生電感通常在幾十nH，而Cu-Clip技術(shù)能將這一值降低至十幾nH，從而提升高頻開關(guān)性能。

Cu-Clip技術(shù)還改善了電流流動路徑，顯著降低了導(dǎo)通電阻。銅材料的高電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率使芯片能夠承受更高的電流密度，同時提高散熱效率，使器件能夠在更高溫度下可靠工作。

03PDFN8*8 & Cu-Clip雙重技術(shù)結(jié)合的協(xié)同效應(yīng)

PDFN8*8封裝與Cu-Clip技術(shù)的結(jié)合產(chǎn)生了顯著的協(xié)同效應(yīng)。這種組合充分發(fā)揮了碳化硅材料本身的優(yōu)異特性——碳化硅的禁帶寬度達3.2eV，擊穿場強是硅的10倍，熱導(dǎo)率也是硅的3倍。

--在熱性能方面，Cu-Clip技術(shù)提供了優(yōu)異的垂直散熱路徑，而PDFN8*8封裝的底部散熱焊盤則增強了水平方向的散熱能力。雙重散熱機制確保了芯片結(jié)溫保持在較低水平，提高了可靠性并延長了使用壽命。

--電性能方面，低寄生參數(shù)與緊湊封裝布局相結(jié)合，使這款碳化硅二極管特別適合高頻開關(guān)應(yīng)用。測試數(shù)據(jù)顯示，采用這種封裝組合的碳化硅二極管開關(guān)損耗比傳統(tǒng)硅基快恢復(fù)二極管降低約90%，效率提升顯著。

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深圳市森國科科技股份有限公司是一家專業(yè)從事功率器件、模塊，功率IC的高新科技企業(yè)。功率器件主要包括碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT，功率芯片主要包括功率器件驅(qū)動芯片、無刷電機驅(qū)動芯片兩大類。公司總部在深圳市南山區(qū)，在深圳、成都設(shè)有研發(fā)及運營中心。公司研發(fā)人員占比超過70%，研究生以上學(xué)歷占比50%，來自聯(lián)發(fā)科、海思、比亞迪微電子、羅姆、華潤上華等機構(gòu)，囊括清華大學(xué)、電子科技大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、西北工業(yè)大學(xué)等微電子專業(yè)知名院校。

森國科碳化硅產(chǎn)品線為650V、1200V 和碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、SiC二極管模塊、SiC MOSFET 模塊，該產(chǎn)品系列廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏逆變器、充電樁電源模塊、礦機電源、通信設(shè)備電源、5G微基站電源、服務(wù)器電源、工業(yè)電源、快充電源、軌道交通電源等。森國科碳化硅產(chǎn)品采用6寸車規(guī)級晶圓，具有高耐溫，高頻，高效，高壓特性，已穩(wěn)步進入國內(nèi)汽車三電、主流大功率電源、光風(fēng)儲逆變器、充電樁電源模塊等上市公司供應(yīng)鏈。

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森國科在中金資本、北汽產(chǎn)投、藍思科技、凌霄股份、中科海創(chuàng)等股東的助力下，以低成本創(chuàng)新為己任，努力為客戶提供高性價比的綠色“芯”動力，成為全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體公司！