通信IC:ISDN高壓功率控制器IHPC PEB 2026的深度解析
在通信領(lǐng)域,功率控制器的性能對于確保傳輸線路的穩(wěn)定運行至關(guān)重要。ISDN高壓功率控制器IHPC PEB 2026就是這樣一款關(guān)鍵的集成電路。下面,我們將深入探討這款控制器的特點、功能、操作模式以及電氣特性等方面。
一、產(chǎn)品概述
IHPC PEB 2026是專門為雙線ISDN傳輸線路供電而設(shè)計的集成功率控制器。其顯著特點包括:
- 高電池電壓:支持高達130V的電池電壓,能滿足多種供電需求。
- 單線路供電:可單獨為一條傳輸線路供電,實現(xiàn)精準的電力分配。
- 電流限制與溫度控制:具備電流限制和芯片溫度控制功能,能有效保護設(shè)備免受過載影響。
- 可編程限流:通過外部電阻可對限制電流進行編程,增加了使用的靈活性。
- 過熱自動降流:在過熱情況下,能自動降低供電電流,保障設(shè)備的穩(wěn)定性。
- 先進技術(shù)與小封裝:采用可靠的170V智能功率技術(shù)(SPT 170),并采用小尺寸的P - DSO - 20封裝。
二、引腳說明
2.1 引腳配置
PEB 2026有P - DSO - 20 - 6和P - DSO - 20 - 10兩種封裝形式,不同封裝的引腳配置有所不同。
2.2 引腳定義與功能
| 封裝 | 引腳 | 符號 | 類型 | 描述 |
|---|---|---|---|---|
| P - DSO - 20 - 6 | 4 - 7, 14 - 17 | V BAT | 電源 | 負電池供電電壓(?100V),參考GNDB |
| P - DSO - 20 - 6 | 20 | GNDB | 電源 | 電池地,RB和RA參考此引腳 |
| P - DSO - 20 - 6 | 1 | V DD | 電源 | 正供電電壓(+5V),參考GNDD |
| P - DSO - 20 - 6 | 3 | GNDD | 電源 | 數(shù)字地,V DD、REF、CP、CN、CTP、PFEN、PFENQ和APFI參考此引腳 |
| P - DSO - 20 - 6 | 9 | REF | 輸出 | 參考輸出,通過電阻連接到GNDD |
| P - DSO - 20 - 6 | 19 | CP | 輸出 | 外部電容C HP的正極 |
| P - DSO - 20 - 6 | 18 | CN | 輸入 | 外部電容C HP的負極 |
| P - DSO - 20 - 6 | 2 | CTP | 輸出 | 外部電容C TP的正極 |
| P - DSO - 20 - 6 | 11 | RB | 輸出 | 為線路b(tip)供電,電流感應 |
| P - DSO - 20 - 6 | 12 | RA | 輸出 | 為線路a(ring)供電的高壓輸出,電流限制/切換 |
| P - DSO - 20 - 6 | 10 | PFEN | 輸入 | 此引腳邏輯高電平開啟電流供電 |
| P - DSO - 20 - 6 | 8 | PFENQ | 輸入 | 此引腳邏輯低電平開啟電流供電 |
| P - DSO - 20 - 6 | 13 | APFI | 輸出 | 此引腳邏輯低電平表示電流限制激活 |
| P - DSO - 20 - 10 | 1, 10, 11, 20 | V BAT | 電源 | 負電池供電電壓(?100V),參考GNDB |
| P - DSO - 20 - 10 | 4 | GNDB | 電源 | 電池地,RB和RA參考此引腳 |
| P - DSO - 20 - 10 | 5 | V DD | 電源 | 正供電電壓(+5V),參考GNDD |
| P - DSO - 20 - 10 | 7 | GNDD | 電源 | 數(shù)字地,V DD、REF、CP、CN、CTP、PFEN、PFENQ和APFI參考此引腳 |
| P - DSO - 20 - 10 | 15 | REF | 輸出 | 參考輸出,通過電阻連接到GNDD |
| P - DSO - 20 - 10 | 3 | CP | 輸出 | 外部電容C HP的正極 |
| P - DSO - 20 - 10 | 2 | CN | 輸入 | 外部電容C HP的負極 |
| P - DSO - 20 - 10 | 6 | CTP | 輸出 | 外部電容C TP的正極 |
| P - DSO - 20 - 10 | 17 | RB | 輸出 | 為線路b(tip)供電,電流感應 |
三、功能描述
3.1 電流測量與濾波
從GNDB到RB的電流會被測量,其縮小的電流圖像會通過一個拐角頻率約為3Hz的高通濾波器進行濾波,該濾波器需要外部電容C HP。濾波后的“AC”電流會從帶隙中產(chǎn)生的參考電流中減去,參考電流的值由外部電阻R REF定義。
3.2 過熱保護
當芯片溫度過高時,熱保護TH - PROT會吸收電流,從而降低電流Limit,將芯片結(jié)溫限制在約165°C,防止因輸出過載而造成即時損壞。但持續(xù)的高溫會縮短IHPC的使用壽命,因此結(jié)溫不應超過150°C。
3.3 短路保護
在短路情況下,需要采取措施關(guān)閉IHPC。例如,當引腳APFI指示電流限制激活時,應在1.5秒后使用引腳PFEN或PFENQ停用IHPC。再次上電嘗試應給IHPC足夠的時間冷卻(例如30秒)。
3.4 電流限制與輸出
電流I Limit會通過運算放大器OP、晶體管T L和兩個電阻(4Ω,4kΩ)反映到從RA到V BAT的輸出電流Line上,公式為: [I{Line,max }(t)=1000 × I{Limit }(t)=1000 timesleft(I{REF}-I{TH-PROT }(t)-I_{AC}(t)right)] 在“無電流限制”情況下,運算放大器OP的輸出電壓等于正OP供電電壓,晶體管T L“導通”。當輸出電流Line上升到Line,max時,電流鏡會激活并將輸出電流保持在該水平。
3.5 狀態(tài)信號濾波
晶體管T L的柵極電壓顯示電流限制器的狀態(tài)(電流限制是否激活),該狀態(tài)信號會通過一個低通濾波器進行濾波,產(chǎn)生邏輯輸出APFI。外部電容C TP定義了低通濾波器的拐角頻率和延遲時間t LIMON和t LIMOFF。
3.6 抗干擾功能
電流傳感器I - SENS和高通濾波器可防止頻率范圍約為(5 * f CHP)到約100kHz的縱向干擾導致電流限制,前提是縱向電流的最大幅度低于外部電阻R REF定義的電流限制的約一半。
3.7 電流瞬態(tài)
從狀態(tài)LIMOFF切換到LIMON時,會出現(xiàn)電流瞬態(tài)。例如,給線路上電(給線路電容充電)或線路短路時,電流瞬態(tài)從Line,max的一半開始,并以由C HP值定義的時間常數(shù)t CHP增加到Line.max。
3.8 二極管保護
連接到GNDB和RB的二極管可保護IHPC免受雷擊和過電壓影響。此外,由于技術(shù)原因,從引腳V BAT到所有其他引腳存在寄生二極管。
3.9 (I_{BAT})電流峰值
當線路供電開啟(晶體管T L導通)且RA和GNDB(或GNDD)之間發(fā)生短路時,需要一定時間來卸載T L的柵源電容并將電流限制到定義的最大值。在此期間,會在電源電壓V BAT上看到電流峰值I BAT。IHPC中的快速雙極npn晶體管可限制此類電流峰值,當V BAT = 100V時,產(chǎn)生的I BAT電流瞬態(tài)呈三角脈沖狀,峰值約為1.5A,持續(xù)時間(50%到50%)約為130nsec。
四、操作模式
| 操作模式 | 狀態(tài) | PFEN | PFENQ | APFI |
|---|---|---|---|---|
| OFF,斷電 | “V IL” | 不關(guān)心 | “V OL” | |
| OFF,斷電 | 不關(guān)心 | “V IH” | “V OL” | |
| ON,供電 | LIMON,限制器激活 | “V IH” | “V IL” | “V OL” |
| ON,供電 | LIMOFF,限制器未激活 | “V IH” | “V IL” | “V OH” |
邏輯輸入引腳PFEN和PFENQ通過集成電流源連接到GNDD。如果這些引腳未外部連接,邏輯電平為“V IL”。
五、外部組件設(shè)計
5.1 電阻(R_{REF})
該電阻的值定義了電流限制(I{Limit, ON}),并會影響電源電流(I{BAT})和(I{DD})。可參考相關(guān)圖表獲取(I{Limit,ON})、(I{BAT})和(I{DD})隨(R_{REF})變化的典型值。
5.2 電容(C_{HP})
此電容的值定義了高通濾波器的拐角頻率(f{CHP})和電流瞬態(tài)的時間常數(shù)(t{CHP})??蓞⒖紙D表了解(f{CHP})和(t{CHP})隨(C_{HP})變化的典型值。
5.3 電容(C_{TP})
該電容的值定義了低通濾波器的拐角頻率和延遲時間(t{LIMON})和(t{LIMOFF})??蓞⒖紙D表獲取(t{LIMON})和(t{LIMOFF})隨(C_{TP})變化的典型值。
六、應用說明
6.1 外部組件作用
- R REF:定義電流限制和內(nèi)部偏置電流,較小/較大的值會增加/減小電流限制,并影響電源電流。
- C TP:與內(nèi)部電阻一起定義低通濾波器的延遲時間(典型值為20ms),可過濾短干擾。較小/較大的值會減小/增加延遲時間。
- C HP:與內(nèi)部電阻一起定義高通濾波器的拐角頻率,確??v向干擾(AC)不會產(chǎn)生電流限制效果。較小/較大的值會減小/增加拐角頻率。
- R LA, R LB:這些電阻可限制雷擊瞬態(tài)期間的峰值電流,其最大值由電阻上允許的電壓降定義。
- C:該電容可分流AC信號電流。
- A, B:連接到用戶的A線和B線。
- V BAT:最負的供電電壓,也稱為電池電壓。
- 過電壓保護:該電路可確保在雷擊情況下,RA到V BAT的電壓不超過定義的限制。
6.2 推薦器件值
器件 值 說明 R REF 22kΩ 電流限制設(shè)置為50mA C TP 220nF ‘APFI’延遲時間設(shè)置為20ms C HP 4.7μF 頻率范圍高于16.666Hz的AC縱向干擾不會影響電流限制 R LA, R LB 23Ω 最小值,確保雷擊時峰值電流不超過16A(使用40Ω源電阻的1kV電壓峰值)
七、電氣特性
7.1 絕對最大額定值
| 參數(shù) | 符號 | 限制值(min. - max.) | 單位 | 測試條件 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 電池電壓 | V BAT | -150 - 0.5 | V | 參考GNDB | |
| V DD供電電壓 | V DD | -0.5 - 6 | V | 參考GNDD | |
| 接地電壓差 | V GNDB - V GNDD | -0.5 - 0.5 | V | ||
| 接地脈沖電壓差 | V GNDB - V GNDD | -1 - 1 | V | t max = 1ms | |
| 結(jié)溫 | T j | 150 | °C | ||
| 邏輯輸入PFEN、PFENQ電壓 | V PFEN, V PFENQ | -0.3 - V DD + 0.3 | V | 參考GNDD | |
| REF電壓 | V REF | -0.3 - V DD + 0.3 | V | 參考GNDD | |
| CP電壓 | V CP | -0.3 - V DD + 0.3 | V | 參考GNDD | |
| CN電壓 | V CN | -0.3 - V DD + 0.3 | V | 參考GNDD | |
| CTP電壓 | V CTP | -0.3 - V DD + 0.3 | V | 參考GNDD | |
| 邏輯輸出APFI電壓 | V APFI | -0.3 - V DD + 0.3 | V | 參考GNDD | |
| RB電壓 | V RB | -0.5 - +0.5 | V | 參考GNDB | |
| RB脈沖電流 | I RB (流入引腳RB) | -8 - 8 | A | t max = 1ms | |
| RB峰值電流 | I RB_peak | -16 - 16 | A | 見圖7 - 7 | |
| RA電壓 | V RA | -0.3 - 150 | V | 參考V BAT | |
| RA脈沖電流 | I RA (流入引腳RA) | -1 - 1 | A | t max = 1ms | |
| RA脈沖電壓 | V RA_pulse | -1 - 170 | V | t max = 1ms,參考V BAT | |
| ESD電壓,所有引腳 | 1 | kV | 人體模型 |
7.2 工作范圍
| 參數(shù) | 符號 | 限制值(min. - max.) | 單位 | 測試條件 |
|---|---|---|---|---|
| 電池電壓 | V BAT | -130 - -30 | V | 參考GNDB |
| V DD供電電壓 | V DD | 4.75 - 5.25 | V | 參考GNDD |
| 接地電壓差 | V GNDB - V GNDD | -0.3 - 0.3 | V | |
| 環(huán)境溫度(PEB 2026 PEF 2026) | T A | 0 - 70(PEB 2026),-40 - 85(PEF 2026) | °C |
7.3 靜態(tài)熱阻
| 封裝 | 熱阻類型 | 熱阻值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| P - DSO - 20 - 10 | 結(jié)到環(huán)境 | 55 | K/W |
| P - DSO - 20 - 10 | 結(jié)到外殼 | 4 | K/W |
| P - DSO - 20 - 6 | 結(jié)到環(huán)境 | 65 | K/W |
| P - DSO - 20 - 6 | 結(jié)到引腳 | 15 | K/W |
7.4 電氣參數(shù)
典型值在以下測試條件下定義: [V{DD}=5 V pm 1 % C{HP}=4.7 mu F pm 10 %(6.3 V)] [V{BAT}=-100 V pm 1 % C{TP}=220 nF pm 10 %(6.3 V)] [R{LA}=23 Omega pm 1 % T{A}=25 pm 5^{circ} C] [R{LB}=23 Omega pm 1 % R{Line }= pm 0.1 %] [R_{REF}=22 k Omega pm 1 % no heatsink] 最小和最大值在整個工作范圍內(nèi)有效。
八、總結(jié)
ISDN高壓功率控制器IHPC PEB 2026憑借其豐富的功能和良好的性能,為ISDN傳輸線路的供電提供了可靠的解決方案。在設(shè)計和使用過程中,工程師需要根據(jù)實際需求合理選擇外部組件,并注意其電氣特性和工作范圍,以確保設(shè)備的穩(wěn)定運行。你在使用這款控制器時遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。
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