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通信IC:ISDN高壓功率控制器IHPC PEB 2026的深度解析

chencui ? 2026-03-29 10:05 ? 次閱讀
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通信IC:ISDN高壓功率控制器IHPC PEB 2026的深度解析

在通信領(lǐng)域,功率控制器的性能對于確保傳輸線路的穩(wěn)定運行至關(guān)重要。ISDN高壓功率控制器IHPC PEB 2026就是這樣一款關(guān)鍵的集成電路。下面,我們將深入探討這款控制器的特點、功能、操作模式以及電氣特性等方面。

文件下載:PEB 2026 T-S V1.1.pdf

一、產(chǎn)品概述

IHPC PEB 2026是專門為雙線ISDN傳輸線路供電而設(shè)計的集成功率控制器。其顯著特點包括:

  1. 高電池電壓:支持高達130V的電池電壓,能滿足多種供電需求。
  2. 單線路供電:可單獨為一條傳輸線路供電,實現(xiàn)精準的電力分配。
  3. 電流限制與溫度控制:具備電流限制和芯片溫度控制功能,能有效保護設(shè)備免受過載影響。
  4. 編程限流:通過外部電阻可對限制電流進行編程,增加了使用的靈活性。
  5. 過熱自動降流:在過熱情況下,能自動降低供電電流,保障設(shè)備的穩(wěn)定性。
  6. 先進技術(shù)與小封裝:采用可靠的170V智能功率技術(shù)(SPT 170),并采用小尺寸的P - DSO - 20封裝。

二、引腳說明

2.1 引腳配置

PEB 2026有P - DSO - 20 - 6和P - DSO - 20 - 10兩種封裝形式,不同封裝的引腳配置有所不同。

2.2 引腳定義與功能

封裝 引腳 符號 類型 描述
P - DSO - 20 - 6 4 - 7, 14 - 17 V BAT 電源 負電池供電電壓(?100V),參考GNDB
P - DSO - 20 - 6 20 GNDB 電源 電池地,RB和RA參考此引腳
P - DSO - 20 - 6 1 V DD 電源 正供電電壓(+5V),參考GNDD
P - DSO - 20 - 6 3 GNDD 電源 數(shù)字地,V DD、REF、CP、CN、CTP、PFEN、PFENQ和APFI參考此引腳
P - DSO - 20 - 6 9 REF 輸出 參考輸出,通過電阻連接到GNDD
P - DSO - 20 - 6 19 CP 輸出 外部電容C HP的正極
P - DSO - 20 - 6 18 CN 輸入 外部電容C HP的負極
P - DSO - 20 - 6 2 CTP 輸出 外部電容C TP的正極
P - DSO - 20 - 6 11 RB 輸出 為線路b(tip)供電,電流感應
P - DSO - 20 - 6 12 RA 輸出 為線路a(ring)供電的高壓輸出,電流限制/切換
P - DSO - 20 - 6 10 PFEN 輸入 此引腳邏輯高電平開啟電流供電
P - DSO - 20 - 6 8 PFENQ 輸入 此引腳邏輯低電平開啟電流供電
P - DSO - 20 - 6 13 APFI 輸出 此引腳邏輯低電平表示電流限制激活
P - DSO - 20 - 10 1, 10, 11, 20 V BAT 電源 負電池供電電壓(?100V),參考GNDB
P - DSO - 20 - 10 4 GNDB 電源 電池地,RB和RA參考此引腳
P - DSO - 20 - 10 5 V DD 電源 正供電電壓(+5V),參考GNDD
P - DSO - 20 - 10 7 GNDD 電源 數(shù)字地,V DD、REF、CP、CN、CTP、PFEN、PFENQ和APFI參考此引腳
P - DSO - 20 - 10 15 REF 輸出 參考輸出,通過電阻連接到GNDD
P - DSO - 20 - 10 3 CP 輸出 外部電容C HP的正極
P - DSO - 20 - 10 2 CN 輸入 外部電容C HP的負極
P - DSO - 20 - 10 6 CTP 輸出 外部電容C TP的正極
P - DSO - 20 - 10 17 RB 輸出 為線路b(tip)供電,電流感應

三、功能描述

3.1 電流測量與濾波

從GNDB到RB的電流會被測量,其縮小的電流圖像會通過一個拐角頻率約為3Hz的高通濾波器進行濾波,該濾波器需要外部電容C HP。濾波后的“AC”電流會從帶隙中產(chǎn)生的參考電流中減去,參考電流的值由外部電阻R REF定義。

3.2 過熱保護

當芯片溫度過高時,熱保護TH - PROT會吸收電流,從而降低電流Limit,將芯片結(jié)溫限制在約165°C,防止因輸出過載而造成即時損壞。但持續(xù)的高溫會縮短IHPC的使用壽命,因此結(jié)溫不應超過150°C。

3.3 短路保護

在短路情況下,需要采取措施關(guān)閉IHPC。例如,當引腳APFI指示電流限制激活時,應在1.5秒后使用引腳PFEN或PFENQ停用IHPC。再次上電嘗試應給IHPC足夠的時間冷卻(例如30秒)。

3.4 電流限制與輸出

電流I Limit會通過運算放大器OP、晶體管T L和兩個電阻(4Ω,4kΩ)反映到從RA到V BAT的輸出電流Line上,公式為: [I{Line,max }(t)=1000 × I{Limit }(t)=1000 timesleft(I{REF}-I{TH-PROT }(t)-I_{AC}(t)right)] 在“無電流限制”情況下,運算放大器OP的輸出電壓等于正OP供電電壓,晶體管T L“導通”。當輸出電流Line上升到Line,max時,電流鏡會激活并將輸出電流保持在該水平。

3.5 狀態(tài)信號濾波

晶體管T L的柵極電壓顯示電流限制器的狀態(tài)(電流限制是否激活),該狀態(tài)信號會通過一個低通濾波器進行濾波,產(chǎn)生邏輯輸出APFI。外部電容C TP定義了低通濾波器的拐角頻率和延遲時間t LIMON和t LIMOFF。

3.6 抗干擾功能

電流傳感器I - SENS和高通濾波器可防止頻率范圍約為(5 * f CHP)到約100kHz的縱向干擾導致電流限制,前提是縱向電流的最大幅度低于外部電阻R REF定義的電流限制的約一半。

3.7 電流瞬態(tài)

從狀態(tài)LIMOFF切換到LIMON時,會出現(xiàn)電流瞬態(tài)。例如,給線路上電(給線路電容充電)或線路短路時,電流瞬態(tài)從Line,max的一半開始,并以由C HP值定義的時間常數(shù)t CHP增加到Line.max。

3.8 二極管保護

連接到GNDB和RB的二極管可保護IHPC免受雷擊和過電壓影響。此外,由于技術(shù)原因,從引腳V BAT到所有其他引腳存在寄生二極管。

3.9 (I_{BAT})電流峰值

當線路供電開啟(晶體管T L導通)且RA和GNDB(或GNDD)之間發(fā)生短路時,需要一定時間來卸載T L的柵源電容并將電流限制到定義的最大值。在此期間,會在電源電壓V BAT上看到電流峰值I BAT。IHPC中的快速雙極npn晶體管可限制此類電流峰值,當V BAT = 100V時,產(chǎn)生的I BAT電流瞬態(tài)呈三角脈沖狀,峰值約為1.5A,持續(xù)時間(50%到50%)約為130nsec。

四、操作模式

操作模式 狀態(tài) PFEN PFENQ APFI
OFF,斷電 “V IL” 不關(guān)心 “V OL”
OFF,斷電 不關(guān)心 “V IH” “V OL”
ON,供電 LIMON,限制器激活 “V IH” “V IL” “V OL”
ON,供電 LIMOFF,限制器未激活 “V IH” “V IL” “V OH”

邏輯輸入引腳PFEN和PFENQ通過集成電流源連接到GNDD。如果這些引腳未外部連接,邏輯電平為“V IL”。

五、外部組件設(shè)計

5.1 電阻(R_{REF})

該電阻的值定義了電流限制(I{Limit, ON}),并會影響電源電流(I{BAT})和(I{DD})。可參考相關(guān)圖表獲取(I{Limit,ON})、(I{BAT})和(I{DD})隨(R_{REF})變化的典型值。

5.2 電容(C_{HP})

此電容的值定義了高通濾波器的拐角頻率(f{CHP})和電流瞬態(tài)的時間常數(shù)(t{CHP})??蓞⒖紙D表了解(f{CHP})和(t{CHP})隨(C_{HP})變化的典型值。

5.3 電容(C_{TP})

該電容的值定義了低通濾波器的拐角頻率和延遲時間(t{LIMON})和(t{LIMOFF})??蓞⒖紙D表獲取(t{LIMON})和(t{LIMOFF})隨(C_{TP})變化的典型值。

六、應用說明

6.1 外部組件作用

  • R REF:定義電流限制和內(nèi)部偏置電流,較小/較大的值會增加/減小電流限制,并影響電源電流。
  • C TP:與內(nèi)部電阻一起定義低通濾波器的延遲時間(典型值為20ms),可過濾短干擾。較小/較大的值會減小/增加延遲時間。
  • C HP:與內(nèi)部電阻一起定義高通濾波器的拐角頻率,確??v向干擾(AC)不會產(chǎn)生電流限制效果。較小/較大的值會減小/增加拐角頻率。
  • R LA, R LB:這些電阻可限制雷擊瞬態(tài)期間的峰值電流,其最大值由電阻上允許的電壓降定義。
  • C:該電容可分流AC信號電流。
  • A, B:連接到用戶的A線和B線。
  • V BAT:最負的供電電壓,也稱為電池電壓。
  • 過電壓保護:該電路可確保在雷擊情況下,RA到V BAT的電壓不超過定義的限制。

    6.2 推薦器件值

    器件 說明
    R REF 22kΩ 電流限制設(shè)置為50mA
    C TP 220nF ‘APFI’延遲時間設(shè)置為20ms
    C HP 4.7μF 頻率范圍高于16.666Hz的AC縱向干擾不會影響電流限制
    R LA, R LB 23Ω 最小值,確保雷擊時峰值電流不超過16A(使用40Ω源電阻的1kV電壓峰值)

七、電氣特性

7.1 絕對最大額定值

參數(shù) 符號 限制值(min. - max.) 單位 測試條件
電池電壓 V BAT -150 - 0.5 V 參考GNDB
V DD供電電壓 V DD -0.5 - 6 V 參考GNDD
接地電壓差 V GNDB - V GNDD -0.5 - 0.5 V
接地脈沖電壓差 V GNDB - V GNDD -1 - 1 V t max = 1ms
結(jié)溫 T j 150 °C
邏輯輸入PFEN、PFENQ電壓 V PFEN, V PFENQ -0.3 - V DD + 0.3 V 參考GNDD
REF電壓 V REF -0.3 - V DD + 0.3 V 參考GNDD
CP電壓 V CP -0.3 - V DD + 0.3 V 參考GNDD
CN電壓 V CN -0.3 - V DD + 0.3 V 參考GNDD
CTP電壓 V CTP -0.3 - V DD + 0.3 V 參考GNDD
邏輯輸出APFI電壓 V APFI -0.3 - V DD + 0.3 V 參考GNDD
RB電壓 V RB -0.5 - +0.5 V 參考GNDB
RB脈沖電流 I RB (流入引腳RB) -8 - 8 A t max = 1ms
RB峰值電流 I RB_peak -16 - 16 A 見圖7 - 7
RA電壓 V RA -0.3 - 150 V 參考V BAT
RA脈沖電流 I RA (流入引腳RA) -1 - 1 A t max = 1ms
RA脈沖電壓 V RA_pulse -1 - 170 V t max = 1ms,參考V BAT
ESD電壓,所有引腳 1 kV 人體模型

7.2 工作范圍

參數(shù) 符號 限制值(min. - max.) 單位 測試條件
電池電壓 V BAT -130 - -30 V 參考GNDB
V DD供電電壓 V DD 4.75 - 5.25 V 參考GNDD
接地電壓差 V GNDB - V GNDD -0.3 - 0.3 V
環(huán)境溫度(PEB 2026 PEF 2026) T A 0 - 70(PEB 2026),-40 - 85(PEF 2026) °C

7.3 靜態(tài)熱阻

封裝 熱阻類型 熱阻值 單位
P - DSO - 20 - 10 結(jié)到環(huán)境 55 K/W
P - DSO - 20 - 10 結(jié)到外殼 4 K/W
P - DSO - 20 - 6 結(jié)到環(huán)境 65 K/W
P - DSO - 20 - 6 結(jié)到引腳 15 K/W

7.4 電氣參數(shù)

典型值在以下測試條件下定義: [V{DD}=5 V pm 1 % C{HP}=4.7 mu F pm 10 %(6.3 V)] [V{BAT}=-100 V pm 1 % C{TP}=220 nF pm 10 %(6.3 V)] [R{LA}=23 Omega pm 1 % T{A}=25 pm 5^{circ} C] [R{LB}=23 Omega pm 1 % R{Line }= pm 0.1 %] [R_{REF}=22 k Omega pm 1 % no heatsink] 最小和最大值在整個工作范圍內(nèi)有效。

八、總結(jié)

ISDN高壓功率控制器IHPC PEB 2026憑借其豐富的功能和良好的性能,為ISDN傳輸線路的供電提供了可靠的解決方案。在設(shè)計和使用過程中,工程師需要根據(jù)實際需求合理選擇外部組件,并注意其電氣特性和工作范圍,以確保設(shè)備的穩(wěn)定運行。你在使用這款控制器時遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。

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