探索 onsemi FQAF11N90C N 溝道 MOSFET：特性、參數(shù)與應(yīng)用

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件，其性能直接影響著電源、照明等眾多應(yīng)用的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來(lái)深入了解 onsemi 推出的 FQAF11N90C N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。

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產(chǎn)品概述

FQAF11N90C 采用 onsemi 專有的平面條紋和 DMOS 技術(shù)制造。這種先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)經(jīng)過(guò)特別優(yōu)化，旨在降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)提供卓越的開(kāi)關(guān)性能和高雪崩能量強(qiáng)度。該器件適用于開(kāi)關(guān)模式電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）以及電子燈鎮(zhèn)流器等應(yīng)用。

關(guān)鍵特性

電氣性能

• 額定參數(shù)：具備 7.0 A 的連續(xù)漏極電流和 900 V 的漏源電壓，在 VGS = 10 V、ID = 3.5 A 時(shí)，最大導(dǎo)通電阻 RDS(on) 為 1.1Ω。
• 低柵極電荷：典型柵極電荷僅為 60 nC，有助于降低開(kāi)關(guān)損耗，提高開(kāi)關(guān)速度。
• 低 Crss：典型反向傳輸電容 Crss 為 23 pF，可減少米勒效應(yīng)，提升開(kāi)關(guān)性能。
• 雪崩測(cè)試：經(jīng)過(guò) 100% 雪崩測(cè)試，保證了器件在雪崩狀態(tài)下的可靠性。

熱特性

• 熱阻：結(jié)到外殼的最大熱阻 RθJC 為 1.04°C/W，結(jié)到環(huán)境的最大熱阻 RθJA 為 40°C/W，良好的熱性能有助于器件在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作。

絕對(duì)最大額定值

需要注意的是，超過(guò)這些額定值可能會(huì)損壞器件，影響其功能和可靠性。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓 BVDSS：在 VGS = 0 V、ID = 250 μA 時(shí)，為 900 V。
• 擊穿電壓溫度系數(shù) ΔBVDSS/ΔTJ：在 ID = 250 μA 時(shí)，參考 25°C 為 1.00 V/°C。
• 零柵壓漏極電流 IDSS：在 VDS = 900 V、VGS = 0 V 時(shí)為 10 μA，在 VDS = 720 V、TC = 125°C 時(shí)為 100 μA。
• 柵體正向和反向泄漏電流 IGSSF 和 IGSSR：分別為 100 nA 和 -100 nA。

導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓 VGS(th)：在 VDS = VGS、ID = 250 μA 時(shí)，范圍為 3.0 至 5.0 V。
• 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 RDS(on)：在 VGS = 10 V、ID = 3.5 A 時(shí)，范圍為 0.91 至 1.1Ω。
• 正向跨導(dǎo) gFs：在 VDS = 50 V、ID = 3.5 A 時(shí)給出相關(guān)參數(shù)。

動(dòng)態(tài)特性

• 輸入電容 Ciss：在 VDS = 25 V、VGS = 0 V、f = 1 MHz 時(shí)，范圍為 2530 至 3290 pF。
• 輸出電容 Coss：范圍為 215 至 280 pF。
• 反向傳輸電容 Crss：范圍為 23 至 30 pF。

開(kāi)關(guān)特性

• 導(dǎo)通延遲時(shí)間 td(on)：在 VDD = 450 V、ID = 11.0 A 時(shí)，范圍為 60 至 130 ns。
• 導(dǎo)通上升時(shí)間 tr：在 RG = 25Ω 時(shí)，范圍為 130 至 270 ns。
• 關(guān)斷延遲時(shí)間 td(off)：范圍為 130 至 270 ns。
• 關(guān)斷下降時(shí)間 tf：范圍為 85 至 180 ns。
• 總柵極電荷 Qg：在 VDS = 720 V、ID = 11.0 A 時(shí)，范圍為 60 至 80 nC。
• 柵源電荷 Qgs：在 VGS = 10 V 時(shí)為 13 nC。
• 柵漏電荷 Qgd：為 25 nC。

漏源二極管特性

• 最大連續(xù)漏源二極管正向電流 IS：為 7.0 A。
• 最大脈沖漏源二極管正向電流 ISM：為 28.0 A。
• 漏源二極管正向電壓 VSD：在 VGS = 0 V、IS = 7.0 A 時(shí)為 1.4 V。
• 反向恢復(fù)時(shí)間 trr：在 VGS = 0 V、IS = 11.0 A、dIF/dt = 100 A/μs 時(shí)為 1000 ns。
• 反向恢復(fù)電荷 Qrr：為 17.0 μC。

典型特性曲線

文檔中提供了一系列典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓隨溫度的變化、導(dǎo)通電阻隨溫度的變化、最大安全工作區(qū)、最大漏極電流隨外殼溫度的變化以及瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些曲線有助于工程師更直觀地了解器件在不同條件下的性能表現(xiàn)。

封裝與訂購(gòu)信息

FQAF11N90C 采用 TO - 3PF（無(wú)鉛）封裝，每管裝 30 個(gè)器件。

總結(jié)

onsemi 的 FQAF11N90C N 溝道 MOSFET 憑借其低導(dǎo)通電阻、卓越的開(kāi)關(guān)性能和高雪崩能量強(qiáng)度，在開(kāi)關(guān)模式電源、PFC 和電子燈鎮(zhèn)流器等應(yīng)用中具有很大的優(yōu)勢(shì)。工程師在設(shè)計(jì)時(shí)，應(yīng)充分考慮其各項(xiàng)參數(shù)和特性，確保器件在合適的工作條件下發(fā)揮最佳性能。同時(shí)，要嚴(yán)格遵守絕對(duì)最大額定值，以保障器件的可靠性和使用壽命。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過(guò)類似 MOSFET 的使用問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。