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ON Semiconductor ATP207:N溝道功率MOSFET的性能與應(yīng)用解析

lhl545545 ? 2026-04-01 17:25 ? 次閱讀
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ON Semiconductor ATP207:N溝道功率MOSFET的性能與應(yīng)用解析

電子工程師的日常工作中,選擇合適的功率MOSFET至關(guān)重要。今天來聊聊ON Semiconductor推出的ATP207 N溝道功率MOSFET,它在40V、65A的工作場景下表現(xiàn)優(yōu)異,值得我們深入研究。

文件下載:ATP207-D.PDF

1. 產(chǎn)品概述

ATP207是一款N溝道功率MOSFET,額定電壓40V,額定電流65A,導(dǎo)通電阻低至9.1mΩ,采用單ATPAK封裝。它具備低導(dǎo)通電阻、大電流承載能力等特性,可以用于多種電子設(shè)備的電源管理、開關(guān)電路等設(shè)計中。

2. 產(chǎn)品特性

2.1 低導(dǎo)通電阻

ATP207在4.5V驅(qū)動下就能實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻,這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,它的功率損耗較小,能有效提高電路的效率。同時,該產(chǎn)品符合無鹵標(biāo)準(zhǔn),更加環(huán)保。大家在設(shè)計對功耗要求較高的電路時,低導(dǎo)通電阻的特性是不是很有吸引力呢?

2.2 大電流承載能力

它能夠承受65A的直流電流,在脈沖寬度小于等于10μs、占空比小于等于1%的情況下,脈沖電流可達195A。并且采用了超薄封裝,內(nèi)部還集成了保護二極管,在大電流應(yīng)用場景中表現(xiàn)出色。

3. 規(guī)格參數(shù)

3.1 絕對最大額定值

在環(huán)境溫度為25°C時,ATP207的各項絕對最大額定值如下: 參數(shù) 符號 條件 額定值 單位
漏源電壓 VDSS - 40 V
柵源電壓 VGSS - ±20 V
漏極直流電流 ID - 65 A
漏極脈沖電流 IDP PW ≤ 10 μs,占空比 ≤ 1% 195 A
允許功耗 PD Tc = 25°C 50 W
溝道溫度 Tch - 150 °C
存儲溫度 Tstg - -55 至 +150 °C
雪崩能量(單脈沖) EAS - 35 mJ
雪崩電流 IAV - 33 A

需要注意的是,超過最大額定值的應(yīng)力可能會損壞器件,且在推薦工作條件以上的功能操作并不被保證。長時間處于推薦工作條件以上的應(yīng)力環(huán)境可能會影響器件的可靠性。

3.2 電氣特性

在25°C環(huán)境溫度下,ATP207的電氣特性參數(shù)豐富,以下是部分關(guān)鍵參數(shù): 參數(shù) 符號 條件 最小值 典型值 最大值 單位
漏源擊穿電壓 V(BR)DSS ID = 1mA,VGS = 0V 40 - - V
零柵壓漏極電流 IDSS VDS = 40V,VGS = 0V - - 1 μA
柵源泄漏電流 IGSS VGS = ±16V,VDS = 0V - - ±10 μA
截止電壓 VGS(off) VDS = 10V,ID = 1mA 1.5 - 2.6 V
正向傳輸導(dǎo)納 yfs VDS = 10V,ID = 33A 12 20 - S
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 RDS(on)1 ID = 33A,VGS = 10V - 7 9.1
RDS(on)2 ID = 17A,VGS = 4.5V - 11 15.5

這些參數(shù)為我們在電路設(shè)計中評估器件性能提供了重要依據(jù)。大家在實際設(shè)計時,會重點關(guān)注哪些參數(shù)呢?

4. 封裝與包裝信息

4.1 封裝尺寸

ATP207采用ATPAK封裝,具體尺寸(單位:mm,典型值)可參考文檔中的詳細(xì)標(biāo)注。這種封裝具有一定的優(yōu)勢,比如在空間利用上更加高效。

4.2 包裝信息

產(chǎn)品型號為ATP207 - TL - H,包裝類型為TL,最小包裝數(shù)量為3000pcs/卷。包裝包含載帶、內(nèi)盒和外盒,并且有相應(yīng)的標(biāo)簽說明。其中,“LEAD FREE”表示端子表面處理無鉛。

5. 開關(guān)時間測試電路

文檔中給出了開關(guān)時間測試電路的相關(guān)信息,包括輸入電壓VIN、電源電壓VDD、負(fù)載電阻RL等參數(shù)。通過這個測試電路,我們可以準(zhǔn)確測量ATP207的開關(guān)時間等性能指標(biāo)。

6. 注意事項

由于ATP207是MOSFET產(chǎn)品,在使用時應(yīng)避免在高電荷物體附近使用,防止靜電等因素對器件造成損壞。同時,ON Semiconductor對產(chǎn)品的使用也有相關(guān)說明,如不承擔(dān)因產(chǎn)品應(yīng)用或使用產(chǎn)生的任何責(zé)任,產(chǎn)品參數(shù)會因應(yīng)用場景不同而有所變化等。大家在使用過程中,一定要嚴(yán)格遵循這些注意事項,確保設(shè)計的可靠性。

綜上所述,ATP207 N溝道功率MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻、大電流承載能力等特性,在電子電路設(shè)計中具有廣泛的應(yīng)用前景。電子工程師們在進行電路設(shè)計時,可以根據(jù)具體需求,充分利用該器件的優(yōu)勢,打造出高效、可靠的電子系統(tǒng)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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